Ingeniería Electrónica
Dispositivos y Circuitos Analógicos
LABORATORIO N° 3A
EL TRANSISTOR MOSFET EN CD
Código Apellidos y Nombres
1 u202019035 Carlos Calderon Luis Javier
U202022351 Santos Arcayo Rommel Yeltsin
Sección Grupo Fecha Mesa
LS5A 02 06/15/2023 4
Calificación
Desarrollo Actividad Nota Final
(8) (2) (10)
Observaciones:
LABORATORIO 3A
MODO OPERATIVO DEL MOSFET EN DC Y DETERMINACIÓN EXPERIMENTAL DE LA FUNCIÓN DE
TRANSFERENCIA
INTRODUCCIÓN
En el presente laboratorio analizaremos la operación experimental del Mosfet con circuitos
básicos y la determinación de la función de transferencia. Los Mosfets tienen muchas aplicaciones
prácticas en cámaras fotográficas, amplificadores de sonido, construcción de fuentes de corriente
de potencia, así como constituyente del sistema del puente H para controlar motores DC con una
sola fuente de alimentación.
OBJETIVOS
1. Reconoce el modo de operación del Mosfet en sus tres modos: corte, saturación y triodo a
través de la función de transferencia con un circuito de prueba.
2. Realiza diseño de circuitos para la zona de saturación y triodo bajo determinadas condiciones
operativas.
MATERIALES
Osciloscopio digital + dos sondas
Multímetro digital
Módulo global PB503 Generador de señales + sonda (sin atenuación)
Mosfet IC CD4007 (Vt = 1.2V, kn(W/L) = 0.7mA/V2 , kp(W/L) = 0.2mA/V2 )
Resistencia de 10k, Potenciómetro de 10k (2), 100k
SOFTWARE Proteus Professional 8
EXPERIENCIA 1
DETERMINACIÓN DE LA FUNCION DE TRANSFERENCIA Y CARACTERÍSTICA I-V DEL MOSFET
1. Construya el circuito mostrado con R1=10kΩ
2. Usando el generador de señales triangular, calíbrelo para una amplitud de 4V y a una frecuencia
de 1kHz. Conecte la fuente VCC (VGS) en el pin 6 del chip IC CD4007.
3. Conecte el CH1 en VCC (vi) y el CH2 en VD (vo) Recuerde que vi es una onda triangular y por
tanto ajuste la escala de tiempo a 50s, CH1 a 1V/DIV y CH2 a 2V/DIV. Dibuje con mucho detalle la
salida vo. (3P)
4. ¿Se puede utilizar el circuito para amplificar pequeñas señales? Explique con argumentos en
tres líneas (3P)
- El circuito se puede usar para amplificar pequeñas señales, esto es debido sus zonas operativas
del MOSFET. Para amplificar una pequeña señal se debe usar el MOSFET en su zona de
SATURACION, debido a que nos permite controlar la corriente que va del DRENADOR al SURTIDOR.
En este caso, la configuración de este circuito nos permite amplificar señales cuando el voltaje VGS
tiene el rango de 1.32V a 2.32V.
5. Determine el valor experimental de Vt: 1.32 V (2P)
6. Desplace los ejes de CH1 y CH2 dos cuadrados debajo del eje central de la pantalla.
7. Para determinar la función de transferencia del sistema, usando el botón “display” del
osciloscopio, modifique la opción y(t) a xy. Después de ello ajuste el CH1 y CH2 a 1V/DIV.
8. Grafique detalladamente la FT del sistema indicado las zonas operativas del Mosfet y el valor
experimental de Vt. (3P)
Determinación de la ley v-i del Mosfet
9. Adicione una resistencia de 100 entre el pin S del Mosfet y GND.
10. Ubique el CH2 en el pin7 (S), luego pulse el botón “adquisición” o “adquire” del osciloscopio y
ajuste el promediado de 16 a 128 para minimizar el ruido.
11. Ajuste CH1 a 1V/DIV y CH2 a 20mV/DIV. El CH2 representa a la corriente del Mosfet
12. Grafique rigurosamente CH2. (3P)
EXPERIENCIA 2
POLARIZACIÓN DEL MOSFET
PROCEDIMIENTO
1. El siguiente circuito se pretende diseñar para que la corriente de dren ID=0.6mA, el voltaje en la
fuente VS=3V y el voltaje del dren deba estar en un punto de valor equidistante entre VS y la
alimentación del circuito. El NMOS debe operar en zona de saturación.
2. Seleccione los valores de RD, RS, RG1 y RG2.según el criterio de diseño del paso anterior.
RD = 10kΩ RS = 5kΩ RG1 = 6.9MΩ RG2 = 3.1MΩ (2P)
3. Verifique con el multímetro la región en que se encuentra operando el MOSFET. (1P)
Región: SATURACION (VGS > Vt) VGS = 1.64V VGD = -4.17 V
4. Conservando los valores de RG1 y RG2, halle otra combinación de valores para RD y RS que
proporcione un valor de VGS=3V (zona de triodo):
RD = 51kΩ RS = 6kΩ (las resistencias deben estar en k en lo posible)
(2P)
5. Verifique con el multímetro la región en que se encuentra operando el MOSFET. (1P)
Región: TRIODO (justifique por qué)
VGS = 3.01V VGD = 2.94V
- El circuito se encuentra en TRIODO cuando VGS=3 V , esto es debido a que
VDS ≤VGS – VT . Esto quiere decir, que el MOSFET no está controlando corriente y
deja pasar toda la posible del DRENAJE al SURTIDOR . El valor de la corriente es
15 V
0.26 mA y se determina mediante .
51m+6 m
