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Práctica de Laboratorio 2 (virtual)
Felipe González, Pedro Romero y Daniel Rodriguez
Universidad INCCA de Colombia
[email protected] [email protected] [email protected] Para D 1:
En este informe de laboratorio de electrónica, se
presentan circuitos desarrollados y demostrados tanto de forma
I D1=10 mA
matemática cómo en un simulador. El objetivo es verificar el I s1 =10∗I s 2 (debido a la mayor área de unión)
análisis matemático de los circuitos. Además, se realiza una
sustentación en vídeo. Los resultados obtenidos se presentan en este
documento. n=2
I. INTRODUCCIÓN V T =Tensión termica = 26 mV
Este informe de laboratorio de electrónica presenta el
desarrollo, análisis y verificación de tres circuitos electrónicos. Sustituimos los valores en la ecuación:
( e∗2∗26V mV −1 )
Se llevó a cabo un análisis matemático y una simulación para
verificar su funcionamiento. Además, se realizó una 10 mA =10∗I s 2∗ →
sustentación en vídeo para complementar los resultados
obtenidos. 1 mA
I s2 =
II. DESARROLLO MATEMATICO
( V
e∗52 mV −1 )
Para D 2:
1En el circuito de la figura 1 ambos diodos tienen n = 2, I D2 =3 mA
pero D1 tiene 10 veces el área de unión (región de
agotamiento) de D2, lo cuál implica que la corriente de
I s2 =I s 1
saturación inversa también es 10 veces mayor. n=2
V T =Tensión termica = 26 mV
Sustituimos los valores en la ecuación:
3 mA =I s 1∗ ( e∗2∗26V mV −1 ) →
3 mA
I s1 =
( V
e∗52 mV −1 )
Igualamos las expresiones:
Figura 1
1 mA 3 mA
a) ¿Cuál es el valor de V? =
b) ¿Cuál es el valor de V con n = 1?
c) Para obtener un valor de V = 50 mV ¿Qué corriente I2 ( V
e∗52 mV −1 ) (V
e∗52 mV −1 ) y despejamos V
es necesaria?
Para el punto a: para calcular la tensión usamos la V =52 mV ∗ln(3)=104 mV
ecuación de Shocley y asi hallamos la corriente en D 1 y D 2:
Para el punto b: Sabemos que n=1 modificamos las
ecuaciones del punto anterior reemplazando n por 1.
Ecuación de Shocley → I =I s∗
( e∗n∗VV −1 )
T Para D 1:
2
I D1=10 mA para D 2 pero con una tensión de 50 mV.
I s1 =10∗I s 2 (debido a la mayor área de unión)
n=2 ( e∗2∗26
I =I s∗
mV −1 )
50 mV
→
V T =Tensión termica = 26 mV
I =0.95 mA∗(
e∗2∗26 mV −1 )
50 mV
→
Sustituimos los valores en la ecuación:
I =0.95 mA∗(2.94−1) → I =1.89 mA
10 mA =10∗I s 2∗ (V
e∗1∗26 mV −1 ) →
2Para el circuito de la figura 2 ambos diodos son
1 mA
I s2 = idénticos, conduciendo 10 mA a 0.7 V y 100 mA a 0.8 V.
( V
e∗26 mV −1 ) Encuentre el valor de la resistencia R para el que V = 50 mV
Para D 2:
I D2 =3 mA
I s2 =I s 1
n=2
V T =Tensión termica = 26 mV
Sustituimos los valores en la ecuación:
3 mA =I s 1∗ ( e∗1∗26V mV −1 ) →
3 mA
I s1 = Figura 3
( V
e∗26 mV −1 ) Inicialmente definimos las corrientes y tensiones
Igualamos las expresiones:
1mA 3 mA
=
( V
e∗26 mV −1 ) (
V
e∗26 mV −1 ) y despejamos V
V =26 mV ∗ln(3)=52 mV
Para el punto c: nos apoyamos nuevamente en la ecuación
de Shockley → I =I s∗ ( V
e∗n∗V T −1 )
Teniendo los valores conocidos: I 1 = la corriente que circula por el diodo D1
I D2 =3 mA I 2 = la corriente que circula por el diodo D2
V =50 mV V 1 = la tensión en el diodo D1
n=2 V 2 = la tensión en el diodo D2
V T =Tensión termica = 26 mV El nodo A es igual a I =I 1+ I 2
Sustituimos obteniendo lo siguiente:
3 mA =Is∗ (
50 mV
e∗2∗26 mV −1 ) →
I 2=I s exp
( )
V2
nV T
Is=3 mA∗ (50 mV
e∗2∗26 mV −1 ) I 1=I s exp
( )
V 2−V
nV T
( ) ( )
I s1 =0.95 mA V2 −V
¿ I s exp exp
nV T nV T
Calculamos la I 2 usando la misma ecuación de Shockley
3
I 2=I s exp ( nVV )T
Entonces
I =I 1+ I 2
[
I =I 1 1+exp
( nVV )]
T Figura 3
I
I 1= Teniendo en cuenta el comportamiento de un diodo de silicio
1+ exp
( ) V
nV T
que conduce a partir de los 0.7V obtenemos un circuito
equivalente de la siguiente manera:
V
R=
I1
R=
V
I [ ( )]
1+exp
V
nV T
→ Siendo esta la expression
para hallar R .
Donde: la batería representa la caída de tensión interna del
Ahora vamos a determinar V T teniendo en cuenta: diodo y la resistecia su Resistencia interna.
log
( )
ID
IS
=
V
nV T
Sabemos que al poner dos diodos del mismo material en
paralelo y debido a diferencias constructivas toda la corriente
circulara por uno de ellos (el que primero opere en polarización
log
( ) ( )
I Da
IS
−log
I Db V a−V b
IS
=
nV T
directa) y el otro estará abierto, obteniendo el siguiente
modelo:
V a−V b
nV T =
log Da
I
( )
I Db
Ahora reemplazamos los valores de
V a =0.8 V
V b =0.7 V
Ahora por medio de LVK hallamos la tensión de salida,
I a=100 mA
formulado la ecuación:
I b=10 mA V I −0 , 7 V −V 0=0
V I −0 , 7 V =V 0
Y obtenemos que:
V 0=V I −0 ,7 V
0.1
nV T = → nV T =43.4 mV Concluímos que la tensión de salida es 0,7V menor a la
log ( 10 )
tensión de entrada:
V 0=10V −0 , 7 V
Ahora hallamos R
V 0=9 ,3 V
R=
V
I1 [ ( )]
1+exp
V
nV T
→ R=
50
10 [ ( )]
1+exp
50
43.4
Por lo tanto la onda de salida no empieza en fase con la onda
de entrada, sino que, empieza cuando la onda de entrada supera
R=5 [ 1+3.165 ] → R=20.825Ω los 0,7V, obteniendo la siguiente onda:
3Determine la onda de salida para el circuito de la figura
3, y simular.
4
Esto ocurre en el semiciclo positivo, ya que en el semiciclo
negativo los diodos se encuentran en polarización inversa, por
lo tanto, no conducen y el circuito estaría abierto, obtieniendo
una onda de salida de la siguiente manera:
III. CONCLUSIONES
Un circuito rectificador de media onda convierte una tensión
alterna en una tensión continua pulsante con un solo semiciclo
positivo. La tensión de salida es menor que la tensión de
entrada debido a la caída de tensión en el diodo. La frecuencia
de la tensión de salida es la misma que la frecuencia de la
tensión de entrada.
Es importante ser cuidadoso al seleccionar y utilizar diodos
y fuentes en circuitos electrónicos. Una mínima variación en
los valores o características de estos componentes puede tener
un impacto significativo en el funcionamiento del circuito.
El trabajo colaborativo en equipo es fundamental para el
desarrollo y la comprensión de los ejercicios planteados, ya
que el grupo retroalimenta el conocimiento obtenido.
