"301 - Modifiche superficiali"
Este documento se enfoca en las modificaciones superficiales de los materiales,
destacando las técnicas y aplicaciones más comunes.
Clasificación de Modificaciones Superficiales:
1. Film sottili (Recubrimientos delgados):
o Espesor inferior a 10 µm.
o Técnicas de deposición en fase vapor, como PVD (Physical Vapor
Deposition) y CVD (Chemical Vapor Deposition).
2. Film spessi (Recubrimientos gruesos):
o Espesor superior a 10 µm.
o Técnicas que implican la adición de material en estado fundido o semi-
fundido, como el thermal spray.
Técnicas de Thermal Spray:
• Descripción: Depósito de polvos metálicos, cerámicos o cermet para mejorar la
resistencia al desgaste, corrosión, estrés térmico y propiedades electromagnéticas
u ópticas.
• Ventajas:
o Amplia gama de materiales utilizables.
o No requiere pre-calentamiento del sustrato.
• Desventajas:
o Trayectoria en línea recta de las partículas, lo que puede limitar la
cobertura.
Aplicaciones:
• Recubrimientos metálicos, cerámicos y cermet se utilizan en componentes que
requieren alta resistencia al desgaste y protección contra la corrosión.
"302 - Rivestimenti spessi"
Este documento se centra en los recubrimientos gruesos y sus aplicaciones, describiendo
en detalle los métodos de thermal spray y otras técnicas de deposición.
Técnicas de Thermal Spray:
1. Flame Spray:
o Combustible: propano, acetileno.
o Temperatura de la llama: 2700-3100 °C.
o Velocidad de las partículas: 60-240 m/s.
2. Powder Flame Spray:
o Similar al flame spray, pero utilizando polvos en lugar de alambre.
3. Electric-Arc Spray:
o Utiliza un arco eléctrico para fundir y proyectar material.
4. Plasma Spray:
o A.P.S. (Atmospheric Plasma Spray):
▪ Temperatura de la llama: 5000-16000 °C.
▪ Velocidad de las partículas: hasta 550 m/s.
o V.P.S. (Vacuum Plasma Spray):
▪ Realizado en una cámara de vacío para evitar oxidación.
▪ Velocidad de las partículas: 500-800 m/s.
o A.T.C. (Atmosphere and Temperature Controlled):
▪ Ambiente protegido por gas inerte como argón.
▪ Control de temperatura para mejorar la calidad del recubrimiento.
5. HVOF (High Velocity Oxygen Fuel):
o Velocidad del gas: 2000 m/s.
o Velocidad de las partículas: 1000 m/s.
6. Cold Spray:
o Aceleración de polvos a través de un gas (helio o nitrógeno).
o Presión: 3.5 Mpa.
o Velocidad: 600-1500 m/s.
Factores que Influencian la Formación del Recubrimiento:
• Preparación de la superficie del sustrato.
• Topografía de la superficie.
• Temperatura y velocidad durante la deposición.
• Propiedades químico-físicas y reacciones durante el proceso.
Aplicaciones de los Recubrimientos:
• Mejora de la resistencia al desgaste y la corrosión.
• Reducción de los esfuerzos térmicos.
• Aplicaciones electromagnéticas y ópticas
"304 appendice - tecnologia del vuoto e fisica dei plasmi"
Este documento es un apéndice que trata sobre la tecnología del vacío y la física de los
plasmas, importantes en procesos industriales y científicos avanzados. Se destacan las
técnicas, aplicaciones y principios fundamentales relacionados con estas tecnologías.
Tecnología del Vacío
Importancia del Vacío en los Procesos Industriales:
• Mantener un ambiente de baja presión es crucial para procesos que requieren la
ausencia de oxígeno y otros contaminantes.
• La tecnología del vacío se utiliza en la fabricación de semiconductores,
recubrimientos de alta precisión y en la investigación científica.
Aplicaciones Específicas:
• Fabricación de Semiconductores: Los procesos de fabricación de chips y otros
componentes electrónicos requieren ambientes libres de contaminantes.
• Recubrimientos de Alta Precisión: Las técnicas de deposición física y química
en fase vapor (PVD y CVD) se benefician enormemente de las condiciones de
vacío.
• Investigación Científica: En experimentos donde la presencia de gases puede
interferir con los resultados, como en física de partículas y estudios de materiales.
Física de los Plasmas
Conceptos Básicos:
• El plasma es un estado de la materia compuesto por un gas ionizado con igual
número de electrones y iones positivos.
• Las propiedades únicas del plasma, como su alta conductividad eléctrica y
reactividad química, lo hacen útil en diversas aplicaciones tecnológicas.
Aplicaciones de los Plasmas:
1. Depósito de Recubrimientos:
o Plasma Spray: Utiliza plasma para fundir y proyectar material en forma
de recubrimiento. Proporciona recubrimientos resistentes y duraderos.
o Vacuum Plasma Spray (VPS): Realizado en cámaras de vacío para evitar
oxidación. Ideal para materiales sensibles al oxígeno.
2. Tratamientos Superficiales:
o Modificación de Propiedades Superficiales: Mejora de la dureza,
resistencia al desgaste y propiedades químicas de la superficie de los
materiales.
o Limpieza y Activación de Superficies: Preparación de superficies para
procesos subsecuentes, como la adhesión de recubrimientos o el pegado
de materiales.
3. Generación de Energía:
o Investigación en Fusión Nuclear: Uso de plasmas para intentar recrear
las condiciones de las estrellas y generar energía limpia y sostenible.
o Otras Tecnologías de Energía: Plasmas en procesos de conversión de
energía, como en celdas de combustible y generación de hidrógeno.
Técnicas de Depósito en Plasma
Vacuum Plasma Spray (VPS):
• Descripción: El proceso se realiza en una cámara de vacío para evitar la oxidación
de los materiales depositados.
• Ventajas: Permite la deposición de materiales que reaccionarían negativamente
con el oxígeno en condiciones normales.
• Aplicaciones: Utilizado en la industria aeroespacial, biomédica y de turbinas para
recubrimientos de alta resistencia y precisión.
Atmosphere and Temperature Controlled (ATC):
• Descripción: Este proceso permite un control preciso de la atmósfera y la
temperatura durante la deposición.
• Características:
o Ambiente Protegido: Uso de gas inerte como argón para crear un entorno
controlado.
o Control de Temperatura: Uso de argón líquido nebulizado para
mantener una temperatura constante y evitar sobrecalentamientos.
• Aplicaciones: Utilizado en situaciones donde es crucial evitar la oxidación y
controlar estrictamente las condiciones de proceso.
Deposition Physical Vapor Deposition (PVD)
Descripción: La deposición física en fase vapor (PVD) es un proceso en el cual un
material sólido se evapora en un ambiente de vacío y se deposita sobre la superficie de
un sustrato para formar un recubrimiento delgado. Este proceso se usa ampliamente para
aplicar recubrimientos metálicos, cerámicos y de otros materiales.
Etapas del Proceso PVD:
1. Evaporación del Material: El material de recubrimiento se calienta hasta que se
evapora. Esto se puede hacer mediante técnicas como la evaporación térmica, el
arco de cátodo o el haz de electrones.
2. Transporte del Vapor: Los átomos evaporados se transportan en fase vapor a
través de una cámara de vacío hacia el sustrato.
3. Condensación y Crecimiento del Recubrimiento: Los átomos en fase vapor se
condensan sobre la superficie del sustrato, formando una capa delgada. El
crecimiento del recubrimiento puede ser controlado por la temperatura del
sustrato, la presión del gas y la energía de los átomos depositados.
Ventajas del PVD:
• Recubrimientos Duros y Resistentes: Produce recubrimientos con alta dureza y
resistencia al desgaste.
• Adherencia Fuerte: Buena adherencia entre el recubrimiento y el sustrato.
• Control de Composición: Permite un control preciso de la composición y las
propiedades del recubrimiento.
• Versatilidad: Puede aplicarse a una amplia variedad de materiales y formas de
sustratos.
Desventajas del PVD:
• Costo Elevado: Requiere equipos costosos y una atmósfera de vacío.
• Cobertura Limitada: La técnica puede ser limitada en áreas de geometría
compleja debido a la naturaleza de la evaporación y el transporte lineal del vapor.
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Descripción: La deposición química en fase vapor (CVD) es un proceso en el que se
deposita un recubrimiento sólido a partir de una reacción química en fase vapor en la
superficie de un sustrato. Los precursores en fase gas reaccionan o se descomponen en la
superficie del sustrato, formando la película deseada.
Etapas del Proceso CVD: 3 fases en el proceso
1. Introducción de Precursores Gaseosos: Los precursores gaseosos se introducen
en la cámara de reacción.
2. Reacción Química: Los precursores reaccionan en la superficie del sustrato,
liberando los átomos o moléculas que forman el recubrimiento y subproductos
gaseosos que se eliminan del sistema.
3. Deposición del Recubrimiento: Los átomos o moléculas resultantes de la
reacción se depositan en el sustrato, formando una capa uniforme.
Variantes del CVD:
• CVD a Alta Temperatura: Utiliza temperaturas elevadas para la
descomposición de precursores.
• CVD de Plasma: Utiliza un plasma para activar las reacciones químicas a
temperaturas más bajas.
• CVD a Baja Presión (LPCVD): Realizado a bajas presiones para mejorar la
uniformidad del recubrimiento.
• CVD de Metal-Orgánico (MOCVD): Utiliza compuestos metal-orgánicos como
precursores.
Ventajas del CVD:
• Uniformidad y Conformidad: Proporciona recubrimientos uniformes y
conformes, incluso en superficies complejas.
• Alta Pureza: Los recubrimientos son generalmente de alta pureza y densidad.
• Versatilidad de Materiales: Puede depositar una amplia gama de materiales,
incluyendo metales, cerámicos y polímeros.
• Aplicaciones Diversas: Utilizado en la fabricación de semiconductores,
recubrimientos protectores, y componentes ópticos.
Desventajas del CVD:
• Condiciones Extremas: A menudo requiere altas temperaturas y/o presiones
bajas, lo que puede limitar los materiales de sustrato.
• Complicaciones de Proceso: Las reacciones químicas pueden ser complejas y
difíciles de controlar.
• Manejo de Precursores: Los precursores pueden ser tóxicos o peligrosos,
requiriendo medidas de seguridad estrictas.
Comparación entre PVD y CVD
• Mecanismo: PVD es un proceso físico (evaporación y condensación), mientras
que CVD es un proceso químico (reacción y deposición).
• Temperatura: PVD generalmente opera a temperaturas más bajas que CVD.
• Uniformidad: CVD ofrece una mejor conformidad en superficies complejas en
comparación con PVD.
• Equipos: PVD utiliza principalmente cámaras de vacío, mientras que CVD puede
usar reactores a alta presión o de plasma.
• Aplicaciones: Ambos métodos se usan en la industria de semiconductores, pero
CVD es preferido para recubrimientos conformes y PVD para recubrimientos
duros y resistentes.
