PREPARACION Y CARACTERIZACION DE

RECUBRIMIENTOS Y LAMINAS DELGADAS

TEMA 4:

TÉCNICAS DE DEPOSICIÓN FÍSICA

(PVD): II. DEPOSICIÓN MEDIANTE
BOMBARDEO CATÓDICO
('SPUTTERING')

DR. J.M. ALBELLA

 TÉCNICAS DE DEPOSICIÓN FÍSICA (PVD):
II. DEPOSICIÓN MEDIANTE BOMBARDEO
CATÓDICO ('SPUTTERING')

1. INTRODUCCIÓN.

2. MECANISMOS BÁSICOS DE 'SPUTTERING'.

3. EFICIENCIA DE ‘SPUTTERING’.

4. ‘SPUTTERING DE ALEACIONES Y COMPUESTOS

5.TÉCNICAS DE 'SPUTTERING' EN CORRIENTE CONTINUA:

5.1. Diodo planar,
5.3. ‘Sputtering’ magnetrón. Diferentes configuraciones.
5.4. Sputtering’ Magnetrón no-balanceado.

6. 'SPUTTERING’ EN CORRIENTE ALTERNA (R.F.).

7. 'SPUTTERING' REACTIVO.

8. RESUMEN Y CONCLUSIONES.

1
1. INTRODUCCIÓN: ASPECTOS GENERALES DE LA
TECNICA DE ‘SPUTTERING’.

• Problemas asociados a la evaporación en vacío:

• Baja energía de llegada de los átomos al substrato →

• Películas poco densas y adherentes
• Dificultad en evaporar metales refractarios
• Difícil control de la composición en aleaciones y compuestos
• Direccionalidad de la trayectoria de los átomos → no homogeneidad

• Descripción de la técnica de sputtering:

• Fundamento de la evaporación por sputtering:

Descarga eléctrica entre dos electrodos (cátodo = blanco)

↓
Bombardeo de iones (+) sobre el blanco (material a evaporar)
↓
Transferencia de momento
↓
Pulverización del blanco

• Características de la técnica:

• Versatilidad → Posibilidad de evaporar cualquier tipo de materiales

• Deposición de mezclas y aleaciones manteniendo la composición del
blanco
• Deposición a temperatura baja (sin necesidad de calentar del blanco)
• Posibilidad de deposición de materiales de alto punto de fusión
• Buena adherencia de la película depositada

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1. INTRODUCCIÓN: ASPECTOS GENERALES DE LA TECNICA DE ‘SPUTTERING’ (CONT’N)

• Esquema de un equipo de bombardeo catódico (‘sputtering’ diodo)

REFRIGERACIÓN
DE AGUA

ENTRADA DE
GAS (Ar)

DESCARGA CATODO
(PLASMA)

Fuente
ATOMOS Alimentación
PULVERIZADOS

SUBSTRATOS
ANODO

SISTEMA DE
VACIO

• Notar:

• En el ‘sputtering’ tipo diodo la tensión necesaria para mantener la

descarga es muy elevada (> 1000 V)
• En condiciones de descarga la presión en la cámara es ≈ 1-10
mTorr)
• El gas de descarga suele ser Ar (masa atómica elevada)
• Polaridad de la descarga:

cátodo (-) = blanco,

ánodo (+) = substratos
(normalmente a tierra)

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2. MECANISMOS BÁSICOS DE 'SPUTTERING'.

• Las partículas bombardeantes transfieren su energía y momento a los

átomos de la superficie del blanco, dando lugar a la eyección de aquellos
átomos del blanco con energía suficiente para superar la energía local de
enlace.

• Esquema:

Ion incidente M Ion incidente

M
Atomo
eyectado Atomo eyectado
 M − Mt 
v' i =  i  ⋅ v i
 Mi + M t 

 2Mi  Colisión de
v' t =   ⋅ v i
 Mi + M t  baja energía
Atomos
de la red

• Intercambio de momentos máximo para masas iguales (‘matching’ de

masas) →

• Utilización de gases inertes de masa elevada (típicamente Ar)

• Posibilidad de reflexión o de penetración (cuando hay reflexión el gas de
‘sputtering’ puede quedar atrapado en el substrato)

• Procesos de colisión con ‘sputtering’:

• Choque simple con intercambio de momentos → posibilidad de eyección

del átomo por efecto de ‘pala’ (scooping)
• Cascadas de varios átomos → eyección por efecto de ‘retroceso’
• Formación de ‘picos’ de temperatura (spikes) → desplazamiento de
muchos átomos

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2. MECANISMOS BÁSICOS DE 'SPUTTERING' (CONT’N).

SÍMIL: BILLAR AMERICANO

a) antes del impacto de salida

b) después del impacto

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2. MECANISMOS BÁSICOS DE 'SPUTTERING' (CONT’N).

• Consideraciones energéticas:

• Energías de bombardeo del blanco ≈ 100-1000 eV

• Energías de enlace entre átomos de la superficie ≈ 5-10 eV

• Energía de desplazamiento de átomos en el interior, Eb ≈ 25 eV

• Energías de átomos fisisorbidos ≈ 0.5 eV Aplicación en

qumisorbidos ≈ 1-10 eV → procesos de limpieza
superficies

• Número de átomos desplazados ≈ 450 eV/ (2Ed) = 9 átomos

• Distribución en energía de los átomos pulverizados: Maxwelliana,

con Emax ≈ 10 eV, y una población alta en la cola de alta energía →
Emed ≈ 10- 40 eV . (Comparar con la energía de evaporación térmica: ≈
0.3 eV)

• Velocidad media de las partículas: vmed ≈ 3-6 X 105 cm/s,

(Independiente de MA, pero Emed aumenta con MA).

• Gráfica:

Cobre,
1.0 bombardeado
con iones Hg+
Valor relativo

0.5
Cobre,
evaporado a
150 K
0

0 2 4 6 8 10

Velocidad (Km/s)

Comparación de la distribución de velocidades

entre átomos de cobre pulverizados y evaporados

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3. EFICIENCIA DE ‘SPUTTERING’.

• Eficiencia: Valor medio del número de átomos arrancados del blanco

(cátodo) por partícula incidente

• Dependencia:

• naturaleza del blanco (masa), estado de la superficie (topografía)

• partículas de bombardeo (masa), energía y ángulo:

4.0
Ag

3.0 Cu
Eficiencia

2.0
Ni

Al
1.0
Ti
Si
0 C

0 200 400 600 800

Energía de bombardeo (eV)

Variación de la eficiencia de ‘sputtering’ con la energía del

bombardeo con iones Ar+ sobre diferentes materiales

• Notar:

• S depende de la energía de los iones y de la naturaleza del blanco

• S no depende de la temperatura del blanco y del estado de carga de las

partículas incidentes

• Variación pequeña de S de unos elementos a otros (mismo orden)

7
 .
3. EFICIENCIA DE ‘SPUTTERING (CONT’N)

• Ecuación de la eficiencia de ‘sputtering’:

MiMb  E 
S=K  α(Mb /Mi )
(Mi + Mb ) 2  Uo 

con:

- K = cte ≈ 0.1- 0.3,

- E = energía ion incidente,
- Uo = energía de enlace átomos blanco (≈ energía sublimación),
- α (Mb / Mi) = función creciente con (Mb / Mi), (para Mb / Mi = 2, α ≈ 0.3)
- Mi y Mb = masas de los iones incidentes y de los átomos del blanco,
respectivamente

• Velocidad de erosión del blanco, R:

R = 0.10 J S MA/ ρ (nm/s)

- MA = peso atómico,
- ρ = densidad del blanco (en g/cm3),
- J =densidad de corriente iónica (en mA/cm2)

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4. ‘SPUTTERING’ DE ALEACIONES Y COMPUESTOS

• Materiales con diferente eficiencia de ‘sputtering’ (S):

Etapas:

1. Transitorio inicial, durante el cual el depósito se enriquece en el

material con mayor valor de S mientras que en el blanco ocurre lo
contrario
2. Estado estacionario en el cual el depósito mantiene la composición del
blanco (equilibrado de la superficie)

• Esquema:

Material Material
Material Material de baja
de alta de alta
de baja eficiencia
eficiencia eficiencia
eficiencia

blanco blanco

1. Situación inicial 2. Después del equilibrio

• Materiales formados por aleaciones de dos fases con diferente S →

Etapa inicial: el material con mayor S se ataca mas rápido con formación
de conos recubiertos con el material de la otra fase. En el equilibrio se
igualan las velocidades de ‘sputtering’.

• Notar:

− Las capas depositadas mantienen la composición del blanco, siempre

que se cumplan ciertas condiciones (no difusión interna hacia la
superficie).

− El equilibrio se alcanza por la formación de una capa alterada en la

superficie (entre 3-10 nm) de composición diferente.

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5.TÉCNICAS DE 'SPUTTERING' EN CORRIENTE
CONTINUA:

5.1. DIODO PLANAR.

• Esquema de los fenómenos de descarga entre dos electrodos:

Protección
blanco
Blanco
Flujo iones (cátodo)
e-
+ Ar
Ar
Atomos e-
Plasma
eyectados +
Ar

Substratos
Anodo

• Notar:

• Condiciones de descarga en la región ‘anormal’ de la curva I-V.

• Aceleración de los iones (+) en el espacio obscuro (≈ 1- 4 cm).

• Mantenimiento de la descarga mediante multiplicación de electrones →

Necesidad de trabajar con presiones relativamente altas (≈ 50-100 mTorr)
para disminuir el recorrido libre medio (λ= 1/Nσ, con σ = 1 x 10-16 cm2
para E = 500 eV).

• Condiciones típicas de deposición: J = 1 mA/cm2 , V descarga = 3000 V,

P = 75 mTorr, separación electrodos = 4 cm, vel. deposición 40 nm/s.

• Substratos en contacto con la descarga → problemas de bombardeo

intenso y radiación.

• Posibilidad de aumentar la corriente de descarga a bajas presiones

mediante la inyección de electrones a través de un filamento
incandescente.

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5.2. ‘SPUTTERING’ MAGNETRÓN: DIFERENTES
CONFIGURACIONES.

• Fundamento del sputtering magnetrón: La presencia de un campo

magnético en las proximidades del cátodo hace que los electrones en el
plasma tengan unas trayectorias circulares alrededor del campo
produciendo un mayor número de colisiones

• Características:

• aumento de la eficiencia de ionización

• mayor corriente de descarga del plasma (20 mA/cm2)
• potencial de descarga más bajo (600-800 V)
• posibilidad de confinamiento del plasma en la región próxima al cátodo
• posibilidad de trabajar a presiones mas bajas (≈ 1 mTorr)
• velocidad de deposición más alta (1-3 nm/s)

• Gráfica: Comparación de la corriente y voltaje de descarga en las distintas

configuraciones con el caso diodo, para blancos de Al.

10000
Diodo planar
(Ar, 6.5 Pa)
5000
Voltaje de descarga, V

Magnetrón cilíndrico
1000 (Ar, 0.13 Pa)

500
Magnetrón planar (Ar,
0,13 Pa)

10
0
0.1 1.0 100

Corriente de descarga (A)

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5.TÉCNICAS DE 'SPUTTERING' EN CORRIENTE CONTINUA:

• Diferentes configuraciones del ‘sputtering’ magnetrón:

• Planar → cátodo plano (circular o rectangular), rodeado por ánodo anular

• cañón (‘S-gun’ ) → cátodo anular, alrededor de un ánodo circular
• poste cilíndrico → cátodo cilíndrico, ánodo anular en los extremos
• cilíndrico hueco → configuración similar. con cátodo hueco

• Esquema de la configuración de los electrodos en el magnetrón planar:

Atomos
pulverizados
del blanco

Líneas del c.
magnético

Plasma

Cátodo
(blanco)

Anodo
(V = 0)

Imanes Refrigeración

Contacto de
Entrada de cátodo (V
agua negativo)

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5.TÉCNICAS DE 'SPUTTERING' EN CORRIENTE CONTINUA (CONT’N):

• Ventajas del ‘sputtering’ magnetrón planar:

• Posibilidad de implementación como accesorio de un sistema de vacío

• Posibilidades de escalado para recubrimientos de grandes áreas y para
formación de multicapas (Ver esquema pág. siguiente)
• Separación entre el plasma y los substratos → no daños de bombardeo

• Aplicaciones:

• Metalizaciones en microelectrónica y optoelectrónica

• Recubrimientos de piezas y herramientas (problemas con substratos 3D)
• Paneles arquitectónicos

• Ejemplo: Esquema de una instalación de ‘sputtering’ tipo magnetrón planar

de trabajo en continuo para la metalización de grandes superficies. El
sistema va provisto de tres unidades de magnetrón para formar multicapas
y de dos cámaras de vacío previo, a la entrada y a la salida, para la carga de
los substratos de forma continua.

Cámaras de entrada Cámara de recubrimiento Sputtering Cámaras de

e intermedia (triple) planar salida

Sistema de
transporte de
substratos

al sistema de vacío

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5.TÉCNICAS DE 'SPUTTERING' EN CORRIENTE CONTINUA (CONT’N):

5.3 SPUTTERING MAGNETRÓN NO-BALANCEADO.

• Objetivo: Aumento de la energía de las partículas pulverizadas →

• Películas mas densas y adherentes (aplicación en recubrimientos duros)

• Propiedades determinadas por la energía y el flujo de los iones

bombardeantes. Parámetro útil :

relación corriente iónica / velocidad deposición ≡ relación I/A

• Alternativas:

• Aplicación de polarización (‘bias’) negativa a los substratos →

Aumento corriente iónica (relación I/A ≈ 0.1)
(Límite de V impuesto por aumento de tensiones en la capa)

• Extensión del campo B hasta las proximidades del substrato :

Magnetrón ‘no- balanceado’ →
Atrapamiento de los electrones del plasma hasta el substrato
Extensión de la región del plasma

• Esquema:

a) magnetrón b) magnetrón no c) ídem + polariz.

convencional balanceado cátodo

plasma plasma
plasma

I/A: = 0.5/1 I/A: = 2/1 I/A: = 10/1

(comparable
‘ion plating’)

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6. 'SPUTTERING’ EN CORRIENTE ALTERNA (R.F.).

• Dificultad de ‘pulverizar’ blancos aislantes debido a la acumulación de carga

positiva en el blanco.

• Notar: Debido a la mayor movilidad de los e- del plasma →

Mayor bombardeo sobre superficies aisladas inmersas en el plasma,
Potencial del plasma, VP ≈ -5 a -30 V (corriente i+ = corriente e -).

• Fundamento del ‘sputtering’ en c.a.:

Aplicación de onda alterna, sobre un electrodo aislante (blanco) →
Potencial de polarización negativo ≈ voltaje de pico de la onda →
Efecto de ‘sputtering’ de los iones (+) del plasma sobre el blanco.

• Descripción de un sistema de ‘sputtering’ diodo, RF (simétrico):

• Frecuencia típica de operación: 13.56 MHz.
• Intercambio de papeles entre los electrodos cada medio ciclo →
Auto-polarización negativa en la configuración de electrodos asimétrica
• Presión de trabajo más reducida (≈ 1 mTorr) que en el caso DC. Causas:
Ionización el plasma mas efectiva, a causa de la oscilación de e -

• Esquema ‘sputtering’ RF (configuración asimétrica):

Cb
Blanco

Fuente Cámara
alimentac. de vacío
RF

Substratos
Circuito
acoplo de
impedancias

• Notar: Circuito acoplo impedancias → Impedancia plasma resistiva

Condensador de bloqueo, Cb → Mantiene autopolarización del
cátodo.

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7. 'SPUTTERING' REACTIVO.

• Dificultad de pulverizar compuestos óxidos, nitruros, etc.: Las partículas

pulverizadas contienen diferentes especies, particularmente del tipo M-O →
El material depositado es deficiente en oxígeno (p.e.: el Al2O3 pasa a Al2O3-x)
→ Necesidad de añadir oxígeno a la atmósfera de descarga.

• Posibilidad de pulverizar el metal en presencia de un gas reactivo para

depositar compuestos metálicos.

• Sin embargo, la atmósfera de un gas reactivo cambia las condiciones de la

descarga. Efectos:

• Flujo de gas bajo → Incorporación del gas en estado neutro en la

capa depositada (‘gettering’)
• Flujo de gas alto → Formación de compuestos

• Límite de flujos: Impuesto por la relación entre velocidades de deposición y

llegada de átomos de gas sobre la superficie. Cuando la relación alcanza el
valor de estequiometría (p.e. Si/O = 2, en el caso de capas de SiO2) se forma
el compuesto.

• Influencia del coeficiente de captura de los átomos de gas:

• Disminuye cuando se forma el

compuesto (aumenta la presión parcial 100
Coeficiente de captura

de gas reactivo)
• aumenta el grado de recubrimiento del
10--1
blanco con formación de compuesto
(‘envenenamiento’ del blanco)
• disminuye la velocidad de ‘sputtering’
10-2
(mayor energía de enlace de los átomos
del compuesto)
• aumenta la emisión de e- secundarios en 10-3
el cátodo 10-2 10-1 100
• disminuye la tensión de la descarga
para I = cte. Moléculas N2 absorbidas/s
Atomos Ti depositados/s
• Ejemplo: Variación del coeficiente de captura de N2 en Ti en función de la
relación de las moléculas atrapadas de N2 y la velocidad de deposición de
átomos depositados

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7. 'SPUTTERING' REACTIVO (CONT’N)

• Curvas de velocidad de sputtering, y voltaje de descarga para el Cr en O2

600
descarga (V)
Voltaje de

500 Efecto de
histéresis
400

10
Vel. relativa
deposición

0.5

Metal Oxido
0

0.02 0.04 0.06 0.08 0.10

Flujo de oxígeno (Torr-litro/s)

• Notar:
• Transición abrupta en la curva de velocidad de deposición
• Efecto de histéresis en la curva de voltaje →
(debido al efecto de histéresis en la curva flujo de gas- presión)
• Control del proceso de sputtering complejo.
• Variables críticas del proceso: Flujo de gas reactivo
Presión cámara (vel. de bombeo)
Velocidad de ‘sputering’: control
potencia = voltaje × corriente

• Aplicaciones del ‘sputtering’ reactivo:

• Preparación de una gran variedad de compuestos (óxidos, nitruros y

carburos) a partir del elemento metálico
• Uso de fuentes DC, incluso para compuestos aislantes
• Preparación de capas con variación gradual en la composición
• Fácil escalado para aplicaciones industriales →
Preparación de recubrimientos duros y ópticos

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8. RESUMEN Y CONCLUSIONES

• La técnica de ‘sputtering’ en sus diferentes versiones es adecuada para

la deposición de un gran numero de materiales en forma de elementos y
de compuestos en capa delgada

• Las características distintivas de la técnica son:

• deposición a baja temperatura,

• no direccionalidad de los átomos pulverizados
• energía de llegada de los átomos de unas decenas de eV
• posibilidad de evaporar materiales refractarios.

• La aplicación de un campo magnético externo (‘sputtering’ magnetrón)

permite aumentar considerablemente la velocidad de pulverización, lo que
ha dado lugar a un uso muy extendido en la tecnología de capas
delgadas. Actualmente se puede utilizar el llamado ‘magnetrón planar’
como un accesorio (‘retrofit’) del sistema de vacío.

• Una gran ventaja del ‘sputtering’ magnetrón es la posibilidad de aislar el

porta-substratos de la región de la descarga, lo cual evita el bombardeo
de los substratos por los iones de la descarga.

• Existen diferentes versiones del ‘magnetrón planar’ para aumentar la

energía de llegada de los átomos a los substratos ( magnetrón no
balanceado y aplicación de un voltaje de polarización o ‘bias’).

• Mediante la técnica de ‘sputtering reactivo’ es posible depositar

compuestos de diversos metales. No obstante, existen limitaciones
fuertes en cuanto a las velocidades de deposición alcanzables por esta
técnica.

• Las descargas en corriente alterna de alta frecuencia, ‘sputtering’ RF,

permiten depositar una gran variedad de materiales aislantes.

• Finalmente, hay que señalar que la morfología de las capas depositas

mediante técnicas de evaporación o ‘sputtering’ esta determinada por una
gran numero de parámetros que intervienen en la deposición,
particularmente, la energía de llegada de los átomos y la movilidad de los
adátomos sobre la superficie.

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BIBLIOGRAFIA

• J.A. Thornton: “Physical Vapour Deposition”, Semiconductor Materials and

Process Technology Handbook, cap. 6. Ed. por G.E. MacGuire. Noyes Publ.
(1988).

• S.L. Rohde y W.D. Munz: “Sputter Deposition of Thin Films”, Advanced

Surface Coatings, cap. 5. Ed.

• J.A. Thornton: “High Rate Sputtering”, Thin Solid Films, 80 (1981) 1-11.

• W.D. Westwood: “Sputter Deposition Processes”, MRS Bulletin, dec. (1988),

46-51.

• A.Matthews, K.S. Fancey, A.S. James y A. Leyland: Ionization in Plasma-

assisted Physical Vapour Deposition Systems”, Surface and Coatings
Technology, 62 (1993) 121-126.

19