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Amplificador JFET: Diseño y Cálculos

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Unidad 2 – Fase 1 Presenta la solución al problema del circuito con transistores

unipolares

Entregado por:

Camilo Rojas Luna

Karen Tatiana Pacagui Mena

Laura Suarez

243006_163

Presentando a Tutor:

Ivonne Lilian Castro Molano

Universidad Nacional Abierta y a Distancia UNAD

Escuela de Ciencias Básicas Tecnología e Ingeniería

Electrónica Análoga

Yopal-Casanare

08/10/2024

1
Introducción

La electrónica análoga es una parte importante de la tecnología que usamos todos los

días, y los dispositivos semiconductores son muy importantes para su funcionamiento. En este

trabajo, vamos a ver cómo funcionan algunos de estos dispositivos, como los JFET, MOSFET

que son muy útiles porque nos ayudan a amplificar señales y controlar la corriente de manera

eficiente, los tiristores son ideales para controlar la potencia en diferentes aplicaciones.

Abordaremos cálculos específicos relacionados con la resistencia de drenaje RD, RS,

ganancia de voltaje AV y la reactancia capacitiva de los condensadores de acople, se presentará

una simulación del amplificador donde se evidenciará su correcto funcionamiento mediante

mediciones de voltajes y corrientes en puntos críticos del circuito. Este enfoque no solo

profundiza en la teoría, sino que también facilita la aplicación práctica de los conceptos

aprendidos, proporcionando una base sólida para futuros estudios en electrónica.

2
Contenido Desarrollo Fase 2

1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la unidad 2, cada

estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito

anterior.

Fundamentación teórica

Descripción del circuito

Transistor JFET (Q1):

El transistor JFET (Junction Field-Effect Transistor) es el componente activo del circuito

que amplifica la señal. este funciona controlando la corriente que fluye entre el drenador (D) y la

fuente (S) a través del voltaje aplicado entre la puerta (G) y la fuente.

3
Resistencia de drenaje (RD):

El resistor RD está conectado entre el drenador del transistor y VCC (fuente de

alimentación). Donde actúa como una carga para el JFET, limitando la corriente ID que fluye a

través del drenador.

Resistencia de fuente (RS):

está conectado entre la fuente del JFET y tierra este proporciona una realimentación

negativa estabilizando el circuito. Determina el voltaje VGS (el voltaje entre la puerta y la

fuente) y ayuda a establecer el punto de operación del JFET (corriente ID).

El condensador C3

está conectado en paralelo con RS y su función es cortocircuitar la resistencia RS para

señales de alta frecuencia (AC), permitiendo una mayor ganancia a esas frecuencias.

Básicamente, elimina la realimentación negativa para las señales de AC, lo que resulta en una

mayor amplificación de la señal.

Resistencia de puerta (RG):

está conectado entre la puerta del JFET y tierra además proporciona un camino de

referencia de tierra para el voltaje de la puerta, estableciendo el punto de operación de la puerta

en AC. Actúa como un estabilizador de la polarización de la puerta y asegura que el voltaje en la

puerta se mantenga a un valor adecuado.

Los condensadores C1 y C2

son condensadores de acople (o de bloqueo de DC) Estos permiten que las señales de AC

(la señal de entrada y la señal amplificada de salida) pasen a través del circuito mientras

bloquean la corriente continua (DC).

4
Resistencia de carga (RL)

está conectado en la salida del amplificador y actúa como una carga para la señal

amplificada de salida. Su valor determina el comportamiento de la señal de salida (Vout) y afecta

al voltaje total disponible en la salida

Fuente de señal (VSINE)

Proporciona la señal de entrada sinusoidal de 300 mV a 1 kHz que será amplificada por el

circuito. Esta señal de entrada se acopla a la puerta del JFET a través del condensador C1, y el

JFET amplifica dicha señal.

Fuente de alimentación VCC

Alimenta el circuito, proporcionando el voltaje positivo de 20 V requerido para que el

JFET funcione en la región de saturación. VCC también determina el voltaje VD en el drenador

y, por tanto, afecta el punto de operación del transistor.

Explicación del circuito

Este circuito es un amplificador de una sola etapa basado en un JFET que amplifica una

señal de entrada pequeña (300 mV) a una frecuencia de 1 kHz. Los condensadores de acople

bloquean cualquier componente de DC de la señal de entrada y salida, y el JFET controla la

corriente de drenador ID, amplificando la señal de entrada. Los resistores RD, RS y RG

controlan la corriente y la polarización del JFET, mientras que el condensador C3 mejora la

ganancia a frecuencias altas al eliminar la realimentación negativa.

5
Argumentación matemática

Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes cálculos.

Solución

Para el análisis de estos datos debemos conocer la identificación de cada una de las partes del

transistor JFET y analizar cada uno de los datos dados

𝑆𝑒ñ𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = 300 𝑚𝑉 𝑎 1𝐾ℎ𝑧

𝐼𝐷 = 3 𝑚𝐴

𝑉𝐷 = 10 𝑉

𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑓𝑓) = −8 𝑉

𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 16 𝑚𝐴

A. Calcular la resistencia del drenaje RD.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷 20𝑉 − 10𝑉 10


𝑅𝐷 = 𝑅𝐷 = = = 3333.33Ω → 3.33𝐾Ω
𝐼𝐷 3𝑚𝐴 3

Por lo tanto, la resistencia del drenaje RD es de 3.33KΩ

B. Calcular la resistencia del drenaje RS.

𝑉𝐺𝑆(𝑂𝑓𝑓) −8 𝑉
𝑅𝑆 = 𝑅𝑆 = 𝑅𝑆 = −500Ω 𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑐𝑖𝑟 500Ω
𝐼𝐷𝑆𝑆 16𝑚𝐴

Por lo tanto, la resistencia del drenaje RS es de 500Ω

6
C. Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

Para calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople, utilizamos la siguiente

formula:
1 1 1
𝑋𝐶 = 2𝜋∗𝐹∗𝐶 𝑋𝐶 = → 2𝜋∗1000𝐻𝑧∗(10∗10−6 𝐹) = 15.92Ω
2𝜋∗1𝐾𝐻𝑧∗10𝑢𝐹

Por lo tanto, la reactancia capacitiva de ambos condensadores de acople C1 y C2 es

aproximadamente: 15.92Ω

D. Calcular la ganancia de voltaje AV.

Para hallar la ganancia de voltaje primero tenemos que hallar el voltaje (VGS) y la

transconductancia (Gm) utilizando la siguiente formula

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝑆 𝑉𝐺𝑆 = −3𝑚𝐴 ∗ 500Ω = −1.5 𝑉

𝐼𝐷 3𝑚𝐴
𝐺𝑚 = 𝐺𝑚 = = −2𝑚𝑆 → −2𝑚𝐴/𝑉
𝑉𝐺𝑆 −1.5 𝑉

ahora si calculamos la ganancia de voltaje

𝐴𝜐 = −𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷 𝐴𝜐 = −(−2𝑚𝑆) ∗ 3.33𝐾Ω

𝐴𝜐 = 6.67

Por lo tanto, la ganancia de voltaje es de 6.67

7
Simulación

Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET propuesto en la que se

evidencie el correcto funcionamiento y las siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

8
- Valor de VGS.

- Valor de VDS.

9
- Valor de VGD.

- Valor de la corriente ID

10
Conclusiones

• En conclusión podemos observar que la ganancia de voltaje calculada (6.67) indica que el
circuito es capaz de amplificar la señal de entrada de manera significativa, lo que es un aspecto
positivo para aplicaciones que requieren amplificación de señales débiles.

• Los valores calculados para las resistencias (RD y RS) y la reactancia capacitiva de los
condensadores reflejan un diseño cuidadoso que asegura un funcionamiento eficiente del
amplificador. La elección de componentes es esencial para el rendimiento global del circuito.

• El análisis matemático realizado a través de cálculos de resistencias, reactancias y ganancias


confirma la viabilidad del diseño. Este enfoque cuantitativo proporciona una base sólida para
validar los resultados experimentales.

• En el componente práctico, es importante tener en cuenta factores como la tolerancia de los


componentes y las condiciones de operación para garantizar que el circuito funcione como se
espera en un entorno real.

• Podría explorarse la adición de filtros o etapas adicionales para mejorar la respuesta en


frecuencia del amplificador, así como considerar el uso de otros tipos de transistores o
configuraciones para aplicaciones específicas.

11
Referencias

• Boylestad, R. Nashelsky, L. (2013). Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos


electrónicos. (pp.378544).
https://wwwebooks724com.bibliotecavirtual.unad.edu.co/?il=7293&pg=402
• González, M.
(2015). DispositivosElectrónicos. (pp.127166). https://elibronet.bibliotecavirtual.unad.ed
u.co/es/ereader/unad/66453?page=127
• Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para
Ingenieros. (pp. 37-51). https://elibro-
net.bibliotecavirtual.unad.edu.co/es/ereader/unad/50175?page=48
• Ning,
B.(2018). AnalogElectronicCircuit. (pp.107203). https://bibliotecavirtual.unad.edu.co/log
in?url=https://search.ebscohost.com/login.aspx?direct=true&db=nlebk&AN=1990643&la
ng=es&site=ehost-live&ebv=EB&ppid=pp_107
• Clausi,
P.(Productor).(2017). OVI TransistoresMOSFET.[Video]. https://www.youtube.com/watc
h?v=IPSdGSJheOk

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