Guía No 3: Auto polarización JFET por Divisor

Jose Angel Jaraba Pineda

Universidad De Sucre-Tecnología en Electrónica Industrial 2019

Resumen: La práctica de laboratorio [1] Los transistores IGFET (Insolated

estuvo basada en la Auto polarización Gate FET o FET de puerta aislada)
JFET por Divisor. Primeramente, se también conocidos como MOSFET (Metal
realizaron los cálculos teóricos hallando Oxide Semiconductor FET o FET de
los voltajes y corrientes correspondientes Metal Óxido Semiconductor) son una
a el circuito, luego se hizo la simulación variedad de transistores de efecto de
del mismo en Multisim para corroborar los campo que tienen el terminal de puerta
cálculos entonces se procedió a ensamblar (Gate) aislado del canal por una fina capa
el circuito en protoboard y se hicieron las de óxido de silicio. Eso le otorga una
mediciones tanto de voltajes como de resistencia de entrada del orden de los
corrientes para cada uno de los elementos Mega ohm, más alta aún que en el caso de
del circuito cuyos valores fueron anotados los JFET. Esta resistencia tan elevada
en una tabla y a partir de dichos valores se implica que prácticamente no circula
realizo una curva de transferencias. corriente por la puerta, haciendo que el
MOSFET se comporte como una
Palabras Clave: autopolarizcion por resistencia variable donde la corriente
divisor, voltaje, corrientes, JFET. entre Drenador y Surtidor es controlada
por la tensión de puerta. Sin embargo, esta
I. INTRODUCCION resistencia tan elevada tiene el
inconveniente de permitir la acumulación
de mucha carga electroestática que puede
Los JFET son dispositivos electrónicos dañar al MOSFET si no es manipulado con
muy parecidos a los BJT con la principal cuidado.
diferencia de que los JFET son controlados
por voltaje y los BJT son controlados por II. MATERIALES
corriente, pues, así como tienen sus
diferencias también tienen sus similitudes. Componentes:
Además, estos transistores pueden ser -Un JFET K30A o K44
usados como amplificador, interruptor o -Un LED de color
como resistencia controlada por voltaje, -Resistores ½ W: de 1.5 KΩ, 2.4KΩ,
posee tres terminales llamados drenaje(D), 270KΩ, 2.1 MΩ,
puerta(G) y fuente(S), se activa al aplicar Instrumentos:
una tención inversa al terminal de puerta, -Cables UTP AWG 24 de varios colores
si la tención aumenta la resistencia (para -realizar las conexiones en la
aumenta y de esta manera la corriente protoboard).
disminuye, la corriente eléctrica fluye a -Protoboard.
través de los terminales D y S. -Fuente de voltaje DC.
-Multímetro.
Herramientas
-Pinza de punta plana
-Pinza pela-cable
 III. PROCEDIMIENTO
Se Igualan las Ec. (3) y (2):
1- Se hicieron los cálculos teóricos para el
circuito de la Figura No. 1 tanto de (3) (2)
voltajes como de corrientes para cada uno 1,82𝑉 − 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
= 6,5𝑚𝐴 ∗ (1 − )
de los elementos del circuito. 1,5KΩ (−5)

Figura No. 1. Circuito auto polarizado por Resolviendo se obtiene 𝑉𝐺𝑆 :

divisor de tención.
𝑉𝐺𝑆 = −536𝑚𝑉 (4)

Reemplazando 𝑉𝐺𝑆 𝑜 (4) en la Ec. (3) se

tiene:

1,82𝑉 − 𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷 = (3)
1,5KΩ

1,82𝑉 − (−536𝑚𝑉)
𝐼𝐷 = (3)
1,5KΩ

𝐼𝐷 =1,57mA

Entonces 𝑉𝐺 y 𝑉𝑆 :
Para hallar el voltaje entre los terminales
G y S o circuito de entrada se Procede a la 270𝐾Ω ∗ 16V
solución de las Ec. (1) y (2): 𝑉𝐺 = (5)
270𝐾Ω + 2,1𝑀Ω
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆 (1) 𝑉𝐺 = 1,82𝑉 (5)
270𝐾Ω ∗ 16V (6)
𝑉𝐺𝑆 = − 𝐼𝐷 ∗ 1,5KΩ (1) 𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 ∗ 1,5KΩ
270𝐾Ω + 2,1𝑀Ω
𝑉𝑆 = 1,57mA ∗ 1,5KΩ (6)
𝑉𝐺𝑆 = 1,82𝑉 − 𝐼𝐷 ∗ 1,5KΩ (1)
𝑉𝑆 = 2,35V (6)
Despejando 𝐼𝐷 de la Ec. (1) se obtiene:
Para los voltajes en los terminales D y S
1,82𝑉 − 𝑉𝐺𝑆 mediante la Ec. (7):
𝐼𝐷 = (3)
1,5KΩ
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 ∗ (𝑅𝑆 − 𝑅𝐷 ) (7)
Se procede con la Ec. (2) o Ec. de shottkly
𝑉𝐷𝑆 = 16𝑉 − 1,57mA ∗ (1,5KΩ − 2,4KΩ)
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 ∗ (1 − ) (2)
𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 𝑉𝐷𝑆 = 9,87𝑉 (7)

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 6,5𝑚𝐴 ∗ (1 − ) (2)
(−5)
2- Se simulo el circuito usando como 4- Se dibujo la curva de transfernecia tanto
medio Multisim hallando así los voltajes y para el circuito de entrada como para el
corriente como se ve en la Figura No. 2 circuito de salida como se ve en la Figura
para complementar los cálculos teóricos. No. 3 indicando algunos valores relevantes
VGS, ID, IDSS, VDS o Punto Q.
Figura No. 2. Simulación de Circuito
auto polarizado. Figura No. 3. Curva de tranferencia para
el circuito de entrada y de salida.

IV. RESULTADOS

En tanto a los valores de voltajes y

corrientes encontrado tanto medidos como
teóricos y simulados fueron coincidentes
3- Con el Circuito ya Montado en dado que dado que tienen una variación
Protoboard y energizado se procedieron a mínima.
realizar las mediciones con ayuda del
multímetro encontrando así los valores de Debido a que el voltaje entre los
voltajes o corrientes correspondientes para terminales V y G es -536mV y como es
cada elemento de circuito, esto valores más mayor que -5V no hay corriente por el
fueron anotados en la Tabla No. 1 junto GATE, por lo tanto, la corriente en IDQ no
con los hallados en los cálculos. es máxima o 6,5mA ya que para que sea
máxima 𝑉𝐺𝑆 debe ser cero, manipulando o
Tabla No. 1. Valores de voltajes y dándole valores a los resistores del divisor
corrientes medidos y calculados. de tensión se puede sacar un voltaje cero
Magnitud Valor Valor y es posible obtener la corriente de
saturación o ajustar los valores de los
Medido Calculado
elementos para obtener una corriente
VGSQ -533mV -536mV
deseada.
IDQ 1,60mA 1,57mA
VR2.1M 14,20V 14,18V Como se ha venido viendo el JFET sigue
VR270 1,82V 1,82V siendo controlado por el voltaje GATE con
VR2.4 3,81V 3,76V diferentes tipos de polarización el
VR1.5 2,39V 2,35V resultado puede ser el mismo.
VG 1,82V 1,82V
VS 2,39V 2,35V
VDS 10,19V 9,87V
 V. CONCLUCIONES

Cabe resaltar que la practica se llevo a

cabo siguiendo cada paso planteado en la
guía, además de eso mediante el software
de simulación se hicieron algunos
experimentos cambiando los valores de los
resistores en la parte del divisor de tensión
y se pudo comprobar que si se tenia un
voltaje G igual a 0V entonces 𝐼𝐷 era la
corriente de saturación o corriente
máxima, también se sobrepaso el limite y
la corriente era aún mayor pero solo es
posible en la simulación, con base en esto
también se intentó hacer lo contrario pero
debido a que en los cálculos daba un valor
de resistor negativo en el caso de este
circuito no se pudo obtener un valor para
𝐼𝐷 igual a 0A con el VGSOFF.

VI. REFERENCIAS

[1][Link]
7/12/transistores-de-efecto-de-campo/

VII. ANEXOS