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Polarización de BJT: Experiencia y Análisis

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRICA, ELECTRONICA, INFORMATICA Y MECANICA


ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

POLARIZACIÓN DEL BJT


ING. YORDY ELIAS FARFAN QUISPE

EXPERIENCIA N°2: POLARIZACIÓN DEL BJT

I. INFORME PREVIO

1. Hacer un resumen de todas las formas de polarización de un BJT.


2. Para los circuitos de las figuras 1 y 2, diseñar las resistencias para una polarización en máxima
excursión simétrica. Deberá utilizar el β del transistor, así como, las curvas características
obtenidos en la experiencia anterior.
3. Tomando en cuenta el circuito de la figura 1, determinar las zonas de trabajo del transistor.

Procurar utilizar el mismo transistor con el que realizó la experiencia 1.

II. PROCEDIMIENTO

COMPONENTES

• 1 transistor BC548 o equivalente.


• Resistencias según lo diseñado en el informe previo.

INSTRUMENTOS

• Multímetro de banco.
• Fuente de alimentación regulada.
• Puntas de prueba.
• Protoboard (para clases presenciales).

PROCEDIMIENTO

Figura 1. Figura 2.

1. Armar el circuito de la figura 1 con los valores de RC diseñado en el informe previo.


2. Variar RB en un amplio rango y llene la tabla 1.
3. Con los datos de la tabla 1, determinar rπ, β y gm.
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRICA, ELECTRONICA, INFORMATICA Y MECANICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA

4. Armar el circuito de la figura 2 con las resistencias diseñadas en el informe previo.


5. Medir IB, VBE, IC y VCE para máxima excursión simétrica. Anote los resultados.

RB (KΩ) IB (µA) VBE (V) VCE (V) IC (mA)

Tabla 1.
III. INFORME FINAL

1. Determinar la recta de carga experimental y hacer su gráfica sobre la curva entregada por el
fabricante.
2. A partir de los datos experimentales, determinar las zonas de trabajo del transistor. Utilice
gráficas adecuadas para sustentar su respuesta. Debe comparar la tensión VCE de saturación
teórica con la experimental e interpretar las gráficas utilizadas.
3. Obtener la característica de transferencia del transistor y comparar con las curvas gm –VBE y
gm –IB Explique e interprete cada gráfica.
4. Determinar el modelo híbrido π experimental de ambos circuitos para máxima excursión
simétrica. Explique las diferencias.
5. Observaciones y conclusiones.

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