UCSM

LABORATORIO CIRCUITOS ELECTRONICOS

INTEGRANTES:

Arroyo Ramos Carlo André

Azpilcueta Rubina Marcelo Emilio

Barrena Soberón Sallma Evaluna

Bedoya Chávez Idan Naed

Mestas Delgado Paul Sergio

Reátegui Villamil José Joaquín

10/10/2024

ING: CHRISTIAM GUILLERMO COLLADO OPORTO

 UNIVERSIDAD CATÓLICA DE SANTA MARÍA Página:1/7
FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FÍSICAS Y FORMALES
ESCUELA PROFESIONAL INGENIERÍA MECATRÓNICA Jefe de Prácticas:
Ing. Christiam G. Collado Oporto
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
Código:
TRANSISTOR BJT Semestre:
Grupo: FECHA:
Apellidos y Nombres: Lab. Nº: 03

OBJETIVOS
✓ Determinar los parámetros eléctricos de conductividad de un transistor.
✓ Determinar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT
✓ Analizar las características de transistores BJT
✓ Calcular la curva de los transistores BJT

MARCO TEÓRICO

TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen
dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se
ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E),
coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

Transistor NPN Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos

una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor),
una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación. Este factor se llama
b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:

• Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de

amplificación) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
• Ic = β * Ib
• Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que,
la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él, o
viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito
(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente cuando se
cambia Vcc.
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En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la curva es más alta

Regiones operativas del transistor

Región de corte:
Un transistor esta en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (como no hay
corriente circulando, no hay caída de voltaje, Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de
base = 0 (Ib =0)

Región de saturación:
Un transistor está saturado cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas
en el colector o el emisor o en ambos, ley de Ohm.
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una
corriente de colector β veces más grande. (recordar que Ic = β * Ib)
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Región activa:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas
en el colector y emisor). Esta región es la mas importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

EQUIPO Y MATERIALES:

✓ Protoboard
✓ Resistencias 330KΩ, 1KΩ, 4.7KΩ, 100Ω
✓ Potenciometro 1MΩ, 5KΩ, 5MΩ, 10KΩ
✓ Transistor BC548 (equivalente)
2N3904 (equivalente)
✓ Miliamperímetro DC
✓ Voltímetro DC
✓ Fuente DC

PROCEDIMIENTO
PARTE 1:

Identificación del transistor

Identifique los terminales del transistor BJT

Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM

Conectar los terminales del DMM con el transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.

Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM

1 2 0L
2 1 0.688
1 3 0L
3 1 0L
2 3 0.726
3 2 0L

Tabla 1.
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Identificar las características del Transistor en la siguiente tabla

Terminal Base Positivo (2)
Terminal Colector Negativo (1)
Terminal Emisor Negativo (3)
NPN
Tipo de Transistor
Material del Transistor Silicio
Tabla 2.

PARTE 2:

Esquema

Vref
+V

T1= BC548B
Rc1 Vref= 15V
Rb1= 4.7K
Rb1
Rb2 = 5M
Rc2
Rc1= 100
Rc2 = 10K.
T1
Rb2

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del tipo de transistor (NPN o
PNP en los BJT), configuración de cada patilla y  (hFE).
2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la correspondencia de cada
patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir  en el caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si
se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de transistor, configuración de cada
patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima,  (hFE) y frecuencia de corte.
4. En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que I B alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de forma de
VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente IC.
5. Grafique Vce vs Ic.
6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para I B igual a 50uA, 75uA y
125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.
Tabla 3.

Vce = 0 V Vce = 0.5 V Vce = 1 V Vce = 1.5 V

Ib = 25µA Ic = 14 μA 81.1 μA 84.3 μA 57.4 μA
Ib = 50µA Ic = 54.2 μA 83.9 μA 189.6 μA 195.6 μA
Ib = 75µA Ic = 87.7 μA 9.2 mA 0.3 mA 0.33 mA
Ib = 125µA Ic = 115.9 μA 0.28 mA 0.39 mA 0.42 mA
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PARTE 3:

Características del Colector

1. Construya el circuito de la fig 2.

2. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A como se indica en la Tabla 4.
3. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la Tabla 4.
4. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 4.
5. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es
mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.
6. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.
7. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de VRB establecerá un nivel diferente
de IB para la secuencia de valores de VCE.
8. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los valores
medidos de Rc.
9. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva es IC vs. VCE para los
diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
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Tabla 4.

VRB (V) IB (μA) VCE (V) VRC (V) IC (mA) VBE (V) IE (mA) α β
(medido) (calculado) (medido) (medido) (calculado) (medido) (calculado) (calculado) (calculado)
3.3 10 2 2.87 2.87 0.67 2.88 0.9965 283
3.3 10 4 2.94 2.94 0.67 2.95 0.9966 294
3.3 10 6 3 3 0.67 3.02 0.9967 300
3.3 10 8 3.06 3.06 0.66 3.07 0.9967 306
3.3 10 10 3.12 3.12 0.65 3.12 0.9968 312
3.3 10 12 3.18 3.18 0.65 3.19 0.9968 318
3.3 10 14 3.24 3.24 0.66 3.24 0.9969 324
3.3 10 16 3.27 3.27 0.65 3.28 0.9969 327

6.6 20 2 5.97 5.97 0.68 5.99 0.9966 298.5

6.6 20 4 6 6 0.68 6.22 0.9967 304.5
6.6 20 6 6.22 6.22 0.68 6.24 0.9966 311
6.6 20 8 6.37 6.37 0.67 6.31 0.9966 318.5
6.6 20 10 6.56 6.56 0.66 6.52 0.9968 328
6.6 20 12 6.76 6.76 0.65 6.78 0.997 338
6.6 20 14 7.01 7.01 0.65 7.04 0.9971 351

9.9 30 2 9.15 9.15 0.67 9.18 0.9967 305

9.9 30 4 9.22 9.22 0.69 9.24 0.9967 307
9.9 30 6 9.46 9.46 0.68 9.49 0.9968 315
9.9 30 8 9.82 9.82 0.67 9.85 0.9968 327
9.9 30 10 10.21 10.21 0.66 10.23 0.997 340.3

13.2 40 2 11.94 11.94 0.69 11.98 0.9966 298

13.2 40 4 12.2 12.2 0.69 12.24 0.9967 308
13.2 40 6 12.57 12.57 0.68 12.81 0.9969 312
13.2 40 7 13.09 13.09 0.67 13.13 0.9969 327

16.5 50 2 14.86 14.86 0.69 14.91 0.9966 297

16.5 50 4 15.2 15.2 0.69 15.25 0.9969 304
16.5 50 6 15.46 15.46 0.68 15.51 0.9967 309
16.5 50 8 15.56 15.56 0.69 15.83 0.9969 324

Variación de  y 
Para cada línea de la Tabla 4 Calcule los niveles correspondientes de  y  usando las siguientes ecuaciones:

 = Ic / IE
 = Ic / IB
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CUESTIONARIO FINAL

1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué representan?

2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?

3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da este caso en la práctica?

4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?

5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado.
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CUESTIONARIO FINAL

1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué
representan?

Vce/Ic
3,5

2,5

1,5

0,5

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18

En la región de Saturación, la corriente crece rápidamente, mientras que en la región

activa, se acerca a su valor final.
2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?

25 micro A
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
7000 7100 7200 7300 7400 7500 7600 7700

50 micro A
350

300

250

200

150

100

50

0
0 50 100 150 200 250
 75 micro A
320

315

310

305

300

295
0 50 100 150 200 250 300 350

En las primeras gráficas el voltaje se estabiliza , pero en las demás, el voltaje empieza a crecer
cuando aumentamos el Ic

3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?

Un transistor se dice que está en corte cuando:

No hay corriente fluyendo desde el colector hacia el emisor .

La corriente de base que controla el encendido del transistor, es insuficiente o nula.

El voltaje entre el colector y el emisor es máximo, aproximadamente igual al voltaje de

alimentación .

En esta condición, el transistor está apagado, comportándose como un interruptor abierto. Esto
significa que no deja pasar corriente desde el colector al emisor.

¿Se da esta condición en la práctica?

Sí, en la práctica esta condición se da frecuentemente cuando usamos el transistor en

aplicaciones de conmutación. Por ejemplo, en un circuito donde queremos que el transistor
funcione como un interruptor controlado, al no aplicar corriente de base, el transistor permanece
en corte.
4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?

Un transistor está en saturación cuando:

La corriente de colector alcanza su valor máximo posible, controlado por la resistencia de carga en
el circuito.

El voltaje colector-emisor es muy bajo, típicamente alrededor de 0.1 a 0.3 V dependiendo del
transistor).

La corriente de base que controla la conducción del transistor, es suficientemente grande como
para "forzar" al transistor a conducir al máximo.

En esta condición, el transistor está completamente encendido, actuando como un interruptor

cerrado, permitiendo el paso de la máxima corriente desde el colector hacia el emisor.

Sí, la saturación se logra en la práctica en muchas aplicaciones de conmutación, donde el

transistor debe actuar como un interruptor para controlar cargas (motores, luces, etc.). En estos
casos, el transistor se lleva a la saturación para que permita el paso de la máxima corriente.

5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

En la práctica, la relación entre la corriente de colector y la corriente de base se encuentra dada

por el factor de ganancia de corriente (β) que es una propiedad del transistor. Esta relación se
expresa como:

Esto significa que la corriente de colector es β veces la corriente de base. En otras palabras, una
pequeña corriente de base controla una corriente de colector mucho mayor. Este factor de
ganancia β puede variar dependiendo del tipo de transistor y las condiciones de operación, pero
típicamente está en un rango de 100 a 300 para transistores de propósito general.

CONCLUSIONES, OBSERVACIONES Y RECOMENDACIONES

Emita al menos cinco conclusiones en torno al trabajo realizado.

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