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Transistor
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Transistor

El tamaño y el encapsulado del mismo definen cuánta potencia puede disipar.

Tipo Semiconductor

Invención John Bardeen, Walter Houser Brattain y

William Bradford Shockley (1947)

Símbolo electrónico

Terminales Emisor, base y colector

 [editar datos en Wikidata]

El transistor es un dispositivo electrónico utilizado para amplificar o cambiar

señales y potencias eléctricas. El término «transistor» proviene del
acrónimo transfer resistor (resistor de transferencia). Es uno de los bloques
básicos de la electrónica moderna.1 Está compuesto de
material semiconductor, generalmente con al menos tres terminales que se
conectan a un circuito electrónico. Un voltaje o corriente aplicado a un par de
terminales del transistor controla la corriente a través de otro par de terminales.
Debido a que la potencia controlada (salida) puede ser mayor que la potencia
de control (entrada), un transistor puede amplificar una señal, configurado
como amplificador, también se puede configurar
como conmutador, oscilador o rectificador. Algunos transistores se empaquetan
individualmente, pero muchos más miniaturizados se encuentran incorporados
en los circuitos integrados. Debido a que los transistores son los componentes
activos clave en prácticamente toda la electrónica moderna, muchas personas
los consideran una de las mayores invenciones del siglo XX.2

Historia
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Artículo principal: Historia del transistor

Réplica del primer transistor en

actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent Technologies.
El físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá en el año
19253 una patente para lo que él denominó «un método y un aparato para
controlar corrientes eléctricas» y que se considera el antecesor de los
actuales transistores de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un
reemplazo de estado sólido del triodo. Lilienfeld también solicitó patentes en los
Estados Unidos en los años 19264 y 1928.56 Sin embargo, Lilienfeld no publicó
ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos, ni sus patentes citan
algún ejemplo específico de un prototipo de trabajo. Debido a que la producción
de materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por
entonces, las ideas de Lilienfeld sobre amplificadores de estado sólido no
encontraron un uso práctico en los años 1920 y 1930, aunque acabara de
construir un dispositivo de este tipo.7
En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña8
un dispositivo similar. Cuatro años después, los también alemanes Robert Pohl
y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen, con
cristales de bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales
lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones no
condujeron a usos prácticos.9 Mientras tanto, la experimentación en
los Laboratorios Bell con rectificadores a base de óxido de cobre y las
explicaciones sobre rectificadores a base de semiconductores por parte del
alemán Walter Schottky y del inglés Nevill Mott, llevaron a pensar en 1938
a William Shockley que era posible lograr la construcción de amplificadores a
base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío.9

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los

físicos estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de
los Laboratorios Bell10 llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que
cuando dos contactos puntuales de oro eran aplicados a un cristal
de germanio, se produjo una señal con una potencia de salida mayor que la de
entrada.11 El líder del Grupo de Física del Estado Sólido William Shockley vio el
potencial de este hecho y, en los siguientes meses, trabajó para ampliar en
gran medida el conocimiento de los semiconductores. El término «transistor»
fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R. Pierce, basándose en
dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el termistor y
el varistor y basándose en la propiedad de transrresistencia que mostraba el
dispositivo.12 Según una biografía de John Bardeen, Shockley había propuesto
que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell debía estar
basado en el efecto de campo y que él fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido
años atrás, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta
de Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva.
En su lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1947 fue el
primer transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos
primeros nombrados, el 17 de junio de 1948,13 a la cual siguieron otras
patentes acerca de aplicaciones de este dispositivo.141516 En reconocimiento a
este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente
con el Premio Nobel de Física de 1956 «por sus investigaciones sobre
semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor».17

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los

físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la
Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la
estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo
de rectificadores de cristal de silicio y de germanio mientras trabajaba con
Welker en el desarrollo de un radar alemán durante la Segunda Guerra
Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de la
«interferencia» que había observado en los rectificadores de germanio durante
la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y
reproducibles utilizando muestras de germanio producidas por Welker,
similares a lo que Bardeen y Brattain habían logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell
ya habían inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresuró a
poner en producción su dispositivo llamado «transistron» para su uso en la red
telefónica de Francia.18 El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicitó la
patente del transistor bipolar de unión19 y el 24 de agosto de 1951 solicitó la
primera patente de un transistor de efecto de campo,20 tal como se declaró en
ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora posee. Al año
siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron
éxito al fabricar este dispositivo,21 cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 1952.22 Meses antes, el 9 de mayo de ese año, el ingeniero Sidney
Darlington solicitó la patente del arreglo de dos transistores conocido
actualmente como transistor Darlington.23

El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie

de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard
Williams de Philco Corporation en 1953,24 capaz de operar con señales de
hasta 60 MHz.25 Para fabricarlo, se usó un procedimiento creado por los ya
mencionados inventores mediante el cual eran grabadas depresiones en una
base de germanio tipo N de ambos lados con chorros de sulfato de indio hasta
que tuviera unas diez milésimas de pulgada de espesor. El Indio
electroplateado en las depresiones formó el colector y el emisor.26 El primer
receptor de radio para automóviles que fue producido en 1955 por Chrysler y
Philco; usó estos transistores en sus circuitos y también fueron los primeros
adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa época.2728

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell

en enero de 1954 por el químico Morris Tanenbaum.29 El 20 de junio de 1955,
Tanenbaum y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento
inventado por ambos para producir dispositivos semiconductores.30 El primer
transistor de silicio comercial fue producido por Texas Instruments en 1954
gracias al trabajo del experto Gordon Teal quien había trabajado previamente
en los Laboratorios Bell en el crecimiento de cristales de alta pureza.31 El
primer transistor MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios
Bell, en 1960.3233

Funcionamiento
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El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (impurezas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta
y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento
activo,34 a diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son
elementos pasivos.35

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de
base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc.
Los tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica
de los transistores son emisor común, colector común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta
en el terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la
tensión presente en el terminal de puerta y gradúa la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el
canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre
Compuerta y Fuente, es el campo eléctrico presente en el canal el responsable
de impulsar los electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la
corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función
amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera
análoga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a
gran escala disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden
fabricarse varios cientos de miles de transistores interconectados, por
centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor
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Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual
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Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor
capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor
conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el
colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de
superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se
ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin
embargo convivió con el transistor de unión debido a su mayor ancho de
banda. En la actualidad ha desap