Física de Semiconductores Sotres Castro Benjamín
Dispositivos de dos terminales.
Juntura P-N en condición electrostática.
15 3
1. Un diodo semiconductor de Silicio está dopado con 𝑁𝑎 = 5𝑥10 /𝑐𝑚 , y con
16 3
𝑁𝑑 = 3𝑥10 /𝑐𝑚 , la permitividad relativa del silicio intrínseco es de ε𝑟 = 11. 5, y
−12
la permitividad del vacío es de ε0 = 8. 854𝑥10 [𝐹/𝑚]. Hallar la longitud de la
región vacía:
a) En el lado N.
𝑁𝑏
ϕ(𝑋𝑏) = (60 [𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔( 10 )
1𝑥10
𝑁𝑏
ϕ𝑛 = ϕ(𝑋𝑛) = (60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔( 10 )
1𝑥10
16
3𝑥10
(60 [𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔( 10 )
1𝑥10
ϕ𝑛 = 388. 62 [𝑚𝑉]
b) En el lado P.
𝑁𝑎
ϕ(𝑋𝑏) = (− 60 [𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔( 10 )
1𝑥10
𝑁𝑎
ϕ𝑝 = ϕ(𝑋𝑝) = (− 60[𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔( 10 )
1𝑥10
15
5𝑥10
(− 60 [𝑚𝑉])𝑙𝑜𝑔( 10 )
1𝑥10
ϕ𝑝 =− 341. 93 [𝑚𝑉]
c) La total.
10
A la temperatura ambiente de 300K° hay 𝑛𝑖 = 1𝑥10 portadores en la banda
3
de conducción [𝑐𝑚 ] en el Silicio intrínseco.
ϕ𝑏 = ϕ𝑛 − ϕ𝑝 = 388. 61 [𝑚𝑉] − (− 341. 93[𝑚𝑉]) = 730. 55[𝑚𝑉]
2ϕ𝑏 ε 𝑁𝑎
ϕ𝑛 = 𝑞
· 𝑁𝑑(𝑁𝑑+𝑁𝑎)
−14 15
2(730.55[𝑚𝑉])(8.854𝑥10 ) 5𝑥10
𝑋𝑛 = −19 · 16 16 15
1.6𝑥10 3𝑥10 (3𝑥10 +5𝑥10 )
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−6
𝑋𝑛 = 6. 6540𝑥10 [𝑐𝑚]
16 3
𝑁𝑑 −6 3𝑥10 [𝑐𝑚 ]
𝑋𝑝 = 𝑋 𝑛 𝑁𝑎
= 6. 6540𝑥10 [𝑐𝑚] 15 3
3𝑥10 [𝑐𝑚 ]
−5
𝑋𝑝 = 3. 9924𝑥10 [𝑐𝑚]
−6 −5
𝑋𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑋𝑛 + 𝑋𝑝 = 6. 6540𝑥10 [𝑐𝑚] + 3. 9924𝑥10 [𝑐𝑚]
𝑋𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 0. 46578 [µ𝑚]
Juntura P-N en condición electrostática.
2. Considerando el mismo diodo del problema 1, calcula en el centro de la juntura:
a) El campo eléctrico en V/cm.
𝑞𝑁𝑑𝑋𝑛
𝐸(0) =− ϵ𝑟·ϵ0
−19 −16 16
(1.6𝑥10 )(6.6540𝑥10 )(3𝑥10 )
𝐸(0) =− −14
(11.5)(8.854𝑥10 )
𝑉
𝐸(0) = 31367. 98 [ 𝑐𝑚 ]
b) El potencial eléctrico en mV.
𝑞 𝑁𝑑 2
ϕ(0) = ϕ𝑛 − 2·ϵ𝑟·ϵ0
· 𝑋𝑛
6 2
−19 16
(1.6𝑥10 )(3𝑥10 )
ϕ(0) = 388. 62[𝑚𝑉] − −14 (6. 6540𝑥10 )
(2)(11.5)(8.854𝑥10 )
ϕ(0) = 388. 51 [𝑚𝑉]
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Polarización en inversa y la capacitancia asociada.
17 3 15 3
3. Un fabricante de diodos utiliza 𝑁𝑑 = 3𝑥10 /𝑐𝑚 , y 𝑁𝑎 = 5𝑥10 /𝑐𝑚 , y mide
5
experimentalmente un campo máximo en el centro de la unión de 4. 5𝑥10 [𝑉/𝑐𝑚]
a) Calcula el voltaje máximo en inversa que puede aplicarse al diodo. Es
decir, su voltaje de ruptura.
9𝑁𝑑𝑋𝑛(𝑉𝑎) 9𝑁𝑎𝑋𝑛(𝑉𝑎)
𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝐸(0) = − 𝐸
=− 𝐸
2ϕ𝐵𝐸𝑁𝑎 𝑉𝑎
𝑋𝑛(𝑉𝑎) = 9𝑁𝑑(𝑁𝑑+𝑁𝑎)
* 1− ϕ𝐵
ϕ𝑛 = 446. 14[𝑚𝑉] ϕ𝑝 =− 336. 71[𝑚𝑉] ϕ𝐵 = ϕ𝑛 − ϕ𝑝 = 782. 85[𝑚𝑉]
−7 𝑉𝑎
𝑋𝑛(𝑉𝑎) = 7. 097𝑥10 * 1− 782.85[𝑚𝑉]
𝑉𝑎
𝐸𝑚𝑎𝑥 =− 32604. 9 * 1− 782.85[𝑚𝑉]
5
4.5𝑥10
𝑉𝑎𝑚 = 1 − ( 32604.9 )(782. 85[𝑚𝑉]) =− 148. 33[𝑉]
b) Suponga que el diodo se somete a un voltaje pico repetitivo en inversa
de 120V. ¿Se dañaría el dispositivo?.
| − 120[𝑉]| < |𝑉𝑎𝑚 =− 148. 33[𝑉]| El diodo no se daña por ruptura.
−14
El silicio intrínseco utilizado tiene ε = 104. 48𝑥10 [𝐹/𝑐𝑚] y
10 3
𝑛𝑖 = 1. 1𝑥10 /𝑐𝑚
Polarización en inversa y la capacitancia asociada.
4. Un diodo semiconductor tiene en su juntura un área de 15μm × 15μm. Un cálculo
previo sin polarización, revela que la longitud en la zona vacía, en el lado P, es de
xp(0)=0.355μm y un potencial de contacto ФB =585 [mV] . Asumiendo una juntura
uniformemente dopada (m=1/2), calcula:
2
a) La capacitancia sin tensión aplicada, en 𝑛𝐹/𝑐𝑚 , si su lado P está
3
dopado con Na 2 = 1017/𝑐𝑚 .
−19 17 −4
𝑞𝑁𝑎𝑋𝑝(0) (1.6𝑥10 )(10 )(0.355𝑥10 )
𝐶𝑗0 = 2ϕ𝐵
= −3
2(585𝑥10 )
𝑛𝐹
𝐶𝑗0 = 485. 47[ 2 ]
𝑐𝑚
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2
b) La capacitancia inversa en 𝑛𝐹/𝑐𝑚 , al aplicar -35V.
2
𝐶𝑗0 485.47[𝑛𝐹/𝑐𝑚 ]
𝐶5|𝑣𝐷 =− 35 = =
𝑣𝐷 −35
1− ϕ𝐵
1− −3
585𝑥10
2
𝐶5|𝑣𝐷 = 62. 24[𝑛𝐹/𝑐𝑚 ]
c) La capacitancia inversa total en femtofaradio ( fF ), al aplicar
−15
− 35𝑉. 1𝐹𝑓 = 10 𝐹
2 −7 2
𝐶𝑇 = 𝐶5 * 𝐴 = 62. 24[𝑛𝐹/𝑐𝑚 ](10 [𝑐𝑚 ]) = 0. 3501[𝑓𝐹]
Polarización en directa y la capacitancia asociada.
2
5. Un diodo presenta una capacitancia en inversa sin polarización, de Cj0=5𝑛𝐹/𝑐𝑚 .
Las dimensiones de sus lados dopados son Wp = 4.5μm y Wn = 6μm , y además las
17 15
10 10
concentraciones de impurezas son 𝑁𝑑 = 3 𝑦 𝑁𝑎 = 3
𝑐𝑚 𝑐𝑚
Calcula:
a) El valor máximo de la capacitancia de vaciamiento en femtofaradio.
𝐶𝑠𝑚 = 2𝐶𝑗𝑜𝐴
𝐶𝑠𝑚 = 2 ( )(2. 25µ𝑐𝑚 )
5𝑛𝐹
𝑐𝑚
2
2
𝐶𝑠𝑚 = 0. 159 𝑓𝐹
b) El tiempo de transición que le toma a los electrones en cruzar el lado
N.
2
𝑊𝑝
𝑇𝑛 = 2𝐷𝑛
−4 2
(5.5×10 )
𝑇𝑛 = = 8. 402 𝑛𝑠
( )
2
𝑐𝑚
2 18 𝑠
c) La capacitancia de difusión a una ID = 3.5mA.
𝑇
𝐶𝑑 = 𝑉𝑇
· 𝑖𝑝
8.402 𝑛𝑠
𝐶𝑑 = 25𝑚𝑉
· 3. 5𝑚𝐴 = 1176. 37 𝑝𝐹
2
El coeficiente de difusión es 𝐷 = 18 𝑐𝑚 /𝑠, y la sección transversal es de
10μmx10μm.
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Polarización en directa y la capacitancia asociada.
6. Un diodo con un dopado tal que Nd << Na, tiene un coeficiente de difusión para
2
huecos 𝐷𝑝 = 125 𝑐𝑚 /𝑠, y una longitud física en su lado N de Wn = 3.5 μm.
Determina el rango dinámico de la capacitancia de difusión en picofaradios (pF),
−12
considerando una variación en iD de 2 mA a 75 mA 1𝑝𝐹 = 10 𝐹
2
𝑊𝑛
𝑇𝑝 = 2𝐷𝑝
−4 2
(2.5×10 )
𝑇𝑛 = = 0. 49𝑛𝑠
( )
2
𝑐𝑚
2 125 𝑠
𝑇
𝐶𝑑 = 𝑉𝑇
· 𝑖𝑝
0.49 𝑛𝑠
𝐶𝑑 = 25𝑚𝑉
· 2𝑚𝐴 = 39. 2 𝑝𝐹
0.49 𝑛𝑠
𝐶𝑑 = 25𝑚𝑉
· 75𝑚𝐴 = 1470𝑝𝐹
El rango de la capacitancia es de [39.9pF, 1470pF]
