Instituto Departamental León

Alvarado
Taller de Medición y Rep.
Electrónicas
Informe acerca del transistor
bipolar de compuerta aislada y
fototransistor
Prof. Wilmer López Corea
Integrantes
Tania Elizabeth Ávila Figueroa
Gerson Adonay Aguilar Gutiérrez
Luis Antonio Discua Urquía

II BTP en Electrónica
23 de Julio del 2024
 INTRODUCCIÓN
En este informe, exploraremos en detalle del transistor bipolar de compuerta
aislada (IGBT) y el fototransistor. Estos dispositivos semiconductores juegan
un papel crucial en una amplia gama de aplicaciones electrónicas, desde el
control de potencia hasta la detección de luz. A lo largo del informe,
explicaremos sus conceptos fundamentales, funciones, características, ventajas
y desventajas, proporcionando una comprensión completa de su importancia y
uso en la tecnología moderna.
TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA
El transistor bipolar de puerta aislada o transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor
controlado en circuitos de electrónica de potencia.

Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los

transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las del BJT.

ORIGEN DEL TRANSISTOR IGBT

Los primeros transistores de efecto de campo se desarrollaron en 1973 y
luego de pocos años aparecieron modelos bipolares controlados; en los que se
utilizó una puerta (Gate) aislada. Con el desarrollo de la tecnología, los
indicadores de la eficiencia y la calidad del trabajo de dichos elementos han
mejorado significativamente. Con el desarrollo de la electrónica de potencia y
los sistemas de controles automáticos; se han generalizado y se encuentran
actualmente en casi todos los dispositivos eléctricos.

Hoy en día, se utilizan componentes electrónicos de nueva generación que son

capaces de conmutar corrientes eléctricas en el rango de hasta varios cientos de
amperios. El voltaje de funcionamiento de los transistores IGBT puede variar
de unos cientos a miles de voltios. Las tecnologías mejoradas para la fabricación
de ingeniería eléctrica; ha hecho posible la producción de transistores de alta
calidad que garantizan el funcionamiento estable de los aparatos eléctricos y las
fuentes de alimentación o fuentes conmutadas.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL TRANSISTOR IGBT

Actualmente se pueden adquirir varios tipos de modelos de semiconductores;
que se diferenciarán en su frecuencia de funcionamiento, capacidad y una serie
de otras características. La popularidad de los transistores IGBT se debe a sus
excelentes parámetros; características de trabajo con numerosas ventajas
consigo:
 • Posibilidad de funcionamiento con alta potencia y tensión aumentada.
• Trabaja a altas temperaturas.
• Pérdidas mínimas de corriente en circuito abierto.
• Resistencia a cortocircuitos.
• Mayor densidad.
• Ausencia casi total de pérdidas.
• Circuito paralelo simple.

Unas de las principales desventajas de los transistores IGBT son:

• Mayor costo en comparación con otros dispositivos de potencia.
• Mayor complejidad en el diseño y control.
• Necesidad de protección contra sobrecorrientes y sobretensiones

ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO DEL IGBT

Los semiconductores de tipo IGBT tienen una estructura combinada
estandarizada y las siguientes designaciones:
1. Terminales: El IGBT tiene tres terminales principales:
• Puerta (Gate): Controla el flujo de corriente entre el colector y
el emisor.
• Colector (Collector): Terminal por donde entra la corriente al
dispositivo.
• Emisor (Emitter): Terminal por donde sale la corriente del
dispositivo.

2. Capas semiconductoras: El IGBT está formado por cuatro capas de

semiconductor:
• Capa P+: Forma el colector y permite la inyección de huecos.
• Capa N-: Región de deriva que soporta la tensión aplicada.
• Capa P: Forma el canal por donde circulan los electrones.
• Capa N+: Forma el emisor y proporciona los electrones.
 3. Aislamiento de la puerta: La puerta está aislada eléctricamente del
colector y el emisor mediante una capa de óxido, similar a un MOSFET.
Esto permite controlar el IGBT mediante tensión.

El principio de funcionamiento del transistor es extremadamente simple.

Un transistor IGBT es la suma de un transistor MOSFET con un BJT, este
semiconductor de potencia de tres terminales funciona solamente con voltaje
positivo, el cual fluye desde la terminal colectora hasta el emisor, tal como en
los transistores BJT, y se debe suministrar un voltaje en la terminal de la puerta
(Gate) para que realice su función; lo más importante de los IGBT es que puede
generar grandes potencias con un mínimo de voltaje suministrado.

Estructuralmente se encuentra formado por obleas dopadas de tipo N y de tipo

P que forman 4 capas de unión PN, esto reduce la resistencia, haciendo menor
el voltaje en la conducción.

Fases del Funcionamiento

1. Aplicación de Voltaje en la Compuerta:
• Se aplica un voltaje positivo a la compuerta respecto al emisor.
• La compuerta, aislada por una capa de óxido, controla el flujo de
corriente sin consumir corriente significativa.

2. Formación del Canal:

• Con un voltaje positivo suficiente en la compuerta, se forma un canal
de electrones en la región cercana al emisor.
• Esto permite el flujo de corriente entre el colector y el emisor.
3. Conducción del Dispositivo:
• Una vez formado el canal, el dispositivo entra en el estado de
conducción (ON), permitiendo que la corriente fluya desde el colector
hasta el emisor.
• La corriente de colector es controlada por el voltaje de la compuerta,
permitiendo un control preciso del dispositivo.

4. Apagado del Dispositivo:

• Para apagar el dispositivo, se reduce el voltaje de la compuerta por
debajo del umbral.
• El canal colapsa, y el flujo de corriente se detiene, colocando al IGBT
en el estado de apagado (OFF).
 CÓMO MEDIR UN TRANSISTOR IGBT
Antes de empezar: vamos a necesitar un multímetro, una pila/batería de 9V,
una resistencia de 1K y el transistor IGBT a probar.
La distribución de pines es: Gate o Compuerta [1] Colector [2] Emisor [3].

Inicialmente, entre todas las patas tiene que medir Abierto o alta impedancia:

La pila de 9V la vamos a usar para energizar el Gate, y que este permita la

conducción entre el Emisor [2] y el Colector [3]. Es necesario conectar entre el
positivo de la batería y el Gate una resistencia de 1K, sino es muy probable
que se dañe el Gate ya que no lo estás limitando en corriente.
Comenzamos con la prueba de encendido del IGBT:
• El negativo de la batería va al Emisor [3]
• El positivo a la resistencia, y el otro extremo de la resistencia al
Gate [1]

Por un instante conectar la resistencia al Gate [1], y el transistor comienza a

conducir entre [2] y [3].

Con el multímetro en modo diodos probamos entre [2] y [3]:

• Rojo en [2] y Negro en [3]: conduce
• Negro en [2] Rojo en [3]: no conduce debido al diodo.
Mientras están haciendo esta prueba se puede dejar desconectado el pin 1 ya
que la Compuerta permanece activa dado que retiene la carga.
Probamos el apagado del IGBT:
Lo ideal es aplicar una tensión negativa al Gate (invirtiendo la alimentación del
pin 1 y 3), sino en este modelo se puede puentear por un instante los pines [1]
y el [3]. Si no hacemos este último paso, el transistor seguirá en conducción por
un rato.

Finalmente, medimos continuidad entre todas las patas, y nuevamente tiene que
indicar Abierto entre todos los pines.

APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE

COMPUERTA AISLADA (IGBT)
Los transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) son ampliamente
utilizados en una variedad de aplicaciones que requieren control y conversión
de potencia de alta eficiencia. Algunas de las aplicaciones más comunes:
1. Inversores de Potencia:
• Energía Solar y Eólica
• Sistemas de Almacenamiento de Energía

2. Control de Motores:
• Variadores de Frecuencia (VFD)
• Automoción Eléctrica

3. Tracción Eléctrica:
• Ferrocarriles y Metros
• Vehículos Eléctricos (EV) y Híbridos (HEV)

4. Equipos de Conmutación de Alta Potencia

• Sistemas de Alimentación Ininterrumpida (UPS)
• Convertidores de Potencia Industriales

5. Electrodomésticos y Electrónica de Consumo

• Electrodomésticos
• Sistemas de Audio y Vídeo

6. Aplicaciones Médicas
• Equipos de Imagen y Diagnóstico
 FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es un componente electrónico de conmutación y amplificación
de corriente que se basa en la exposición a la luz para su funcionamiento.
Cuando la luz cae en la unión interna del circuito, la corriente inversa fluye de
forma proporcional a la luminancia.

Dicho de otra forma, Los fototransistores se utilizan ampliamente para detectar

pulsos de luz y convertirlos en señales eléctricas digitales. Estos son operados
por la luz en lugar de corriente eléctrica. Suelen ser de bajo costo y se pueden
utilizar en numerosas aplicaciones.

El fototransistor es capaz de convertir la energía luminosa en energía eléctrica.

Los fototransistores funcionan de manera similar a las fotoresistencias,
comúnmente conocidas como LDR (resistencia dependiente de la luz), pero son
capaces de producir tanto corriente como tensión, mientras que las
fotoresistencias solo son capaces de producir corriente debido al cambio en la
resistencia.

Los fototransistores son transistores con la base terminal expuesta. En lugar de

enviar corriente a la base, los fotones de la luz que golpea activan el transistor.
Esto se debe a que un fototransistor está hecho de un semiconductor bipolar y
enfoca la energía que pasa a través de él. Estas son activadas por partículas de
luz y se utilizan en prácticamente todos los dispositivos electrónicos que
dependen de la luz de alguna manera. Todos los sensores fotográficos de silicio
(fototransistores) responden a todo el rango de radiación visible, así como al
infrarrojo. De hecho, todos los diodos, transistores, Darlington, triacs, etc.
tienen la misma respuesta de frecuencia de radiación básica.

ORIGEN
El fototransistor, un transistor controlado por luz, fue anunciado un 30 de
marzo de 1950 por los Laboratorios Bell. Fue inventado por el físico John
Northrup Shive en 1948, y se trata de uno de los primeros dispositivos
optoelectrónicos de estado sólido.

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DEL FOTOTRANSISTOR

Los fototransistores tienen varias ventajas importantes que los separan de
otros sensores ópticos, algunos de ellos se mencionan a continuación.
 • Los fototransistores producen una corriente más alta que los fotodiodos.
• Son relativamente económicos, simples y lo suficientemente pequeños
como para que quepan varios de ellos en un único chip de computadora
integrado.
• Son muy rápidos y son capaces de proporcionar una salida casi
instantánea.
• Producen un voltaje, que las foto-resistencias no pueden hacer.

Desventaja de los Fototransistores

• Los fototransistores que están hechos de silicona no pueden manejar
voltajes de más de 1,000 voltios.
• Los fototransistores también son más vulnerables a las oleadas y los picos
de electricidad, así como a la energía electromagnética.
• Los fototransistores tampoco permiten que los electrones se muevan tan
libremente como lo hacen otros dispositivos, como los tubos de
electrones.

ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO
Esta es la estructura típica de un fototransistor:
Componentes Principales
1. Base:
• Material Sensible a la Luz: La base del fototransistor está hecha de un
material semiconductor sensible a la luz, generalmente silicio. Cuando
la luz incide sobre la base, los fotones generan pares electrón-hueco.
• Estructura Física: En muchos casos, la base es más ancha y está
diseñada para maximizar la superficie de exposición a la luz.
2. Emisor (Emitter):
• Región N: El emisor está dopado con impurezas para crear una región
tipo N, que suministra electrones a la base cuando la luz incide sobre
ella.
3. Colector (Collector):
• Región P: El colector está dopado con impurezas para crear una región
tipo P, que recoge los electrones generados en la base y los transfiere al
circuito externo.
Construcción Física
1. Estructura de Unión PNP o NPN:
• Fototransistor NPN: En un fototransistor NPN, la luz incide sobre la
base tipo P, generando electrones que se desplazan hacia la región N del
emisor y luego hacia el colector.
• Fototransistor PNP: En un fototransistor PNP, la luz incide sobre la
base tipo N, generando huecos que se desplazan hacia la región P del
emisor y luego hacia el colector.
2. Encapsulado:
• Lente o Ventana Transparente: Los fototransistores están
encapsulados en un material transparente, como el plástico o vidrio, que
permite la entrada de luz. A menudo, este encapsulado tiene una lente
para enfocar la luz en la base.
• Material Semitransparente: Algunas estructuras pueden usar un
material semitransparente para la base o el encapsulado para mejorar la
sensibilidad a la luz.

El funcionamiento de un fototransistor viene caracterizado por los siguientes

puntos:
• - Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la
base del mismo, generando huecos y con ello una corriente de base que
hace que el transistor entre en la región activa, y se presente una corriente
de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la
corriente de base que normalmente se aplica eléctricamente. Es por este
motivo que a menudo la patilla correspondiente a la base está ausente del
transistor. La característica más sobresaliente de un fototransistor es que
permite detectar luz y amplificar mediante el uso de un sólo dispositivo.
• - La sensibilidad de un fototransistor es superior a la de un fotodiodo, ya
que la pequeña corriente foto generada es multiplicada por la ganancia del
transistor.
CÓMO MEDIR UN FOTOTRANSISTOR
APLICACIONES DE LOS FOTOTRANSISTORES
El fototransistor se puede aplicar en diversas áreas de aplicación, tales como:

• Lector de tarjetas perforadas

• Sistemas de seguridad
• Codificadores (medir velocidad y dirección)
• Foto detectores infrarrojos
• Controles eléctricos
• Circuitos lógicos informáticos
• Relés
• Control de iluminación
• Indicador de nivel
• Sistema de conteo

CONCLUSIONES
Los IGBT son componentes cruciales en la electrónica de potencia moderna
debido a su capacidad de manejar altas corrientes y voltajes con eficiencia
y precisión. Aunque presentan desafíos en términos de costo y complejidad,
sus ventajas en términos de robustez, eficiencia y control preciso los hacen
indispensables en una amplia gama de aplicaciones industriales y de
consumo. Su desarrollo continuo y mejora en la tecnología de fabricación
aseguran su relevancia y aplicación en futuros sistemas de energía y control.

Los fototransistores son dispositivos clave en la electrónica moderna,

capaces de detectar y amplificar señales ópticas con alta sensibilidad y
rapidez. Su costo accesible y tamaño compacto permiten su integración en
una amplia gama de aplicaciones. A pesar de sus limitaciones en manejo de
voltaje y vulnerabilidad a picos de electricidad, sus ventajas en términos de
sensibilidad, amplificación y velocidad los hacen indispensables en
numerosas aplicaciones tecnológicas, desde sensores básicos hasta
complejos sistemas de comunicación y seguridad.
 BIBLIOGRAFÍAS
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