2º del Grado en Ingeniería en Tecnologías Industriales

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

PROBLEMAS
de transistores bipolares

i
 EJERCICIOS de transistores
bipolares:

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
PROBLEMAS CON SOLUCION

Problema 1

a) Determinar los valores de IC y VCE en el circuito de la figura. El transistor tiene =100.

b) ¿Cuál es el mínimo valor de RC para que el transistor esté justamente saturado?

RC=1k

RB=270k RE=1k

VEE=-10V

ii
Problema 2

En el circuito representado se emplea un transistor con =99. Los valores son VCC=10V,
RC=2.7k y RF=180k, estando RB en circuito abierto.
a) Calcular los valores de IC y VCE.
b) Repetir a) con =199.

VCC

RC
RF

RB

iii
Problema 3

En el circuito estabilizador de la figura y para una tensión de entrada Vi=10 V, hallar la

resistencia R para obtener 5 V nominales de tensión en la salida y la potencia disipada
por el Zéner.

Datos: VZ=5.55 V; RZ= 2; RL=10 ; =19

Vi +
-

RL Vo

iv
Problema 4

En el circuito de la figura determinar el valor de R, sabiendo que VCE2=6V; 1=39: 2=24

24 V

470 

T1

T2
100 

v
Problema 5

La figura muestra un amplificador de dos etapas iguales. ¿Cuáles son las tensiones en
continua del emisor y colector en cada etapa?

Datos: VCC=15 V; R21=R22=5.6 k; R12=R12=1 k; RC1=RC2=470 ; RE1=RE2=120 

VCC

RC1 RC2
R21 R22
C2 C3
C1 Vo

R11 RE1 R12 RE2

Vi

vi
Problema 6

En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

a) Ganancias de tensión AV1=VO/VI y AV2=VO/VS.
b) Impedancia de entrada ZIN.
c) Ganancia de corriente AI=IO/II.
d) Impedancia de salida ZOUT.

Considerar que VCC=12V, RB1=39k, RB2=150k, RE=1k, RC=2.7k, RS=600 y

RL=33k, siendo la  del transistor bipolar utilizado de valor 222 y su VBE en activa de
0.7V.

VCC=12V

RC
io
RB2 
vo

RL

RS

+

 ii +
RB1 RE vS
vi -

vii
Problema 7

En el amplificador de la figura, calcular, bajo la condición de pequeña señal:

a) Ganancia de tensión AV=VO/VS.
b) Impedancia de entrada ZIN.
c) Ganancia de corriente AI=IO/II.
d) Impedancia de salida ZOUT.

Considerar que VCC=12V, RB1=115k, RB2=27k, RC=1.8k, RE1=22, RE2=470,

RS=100 y RL=1k, siendo la  del transistor bipolar utilizado 330 y su VBE en activa de
0.6V.

VCC=12V

RC
io
RB1 
vo
RS
 RL

ii

RE1
+
vS RB2
-
RE2


viii
 2º del Grado en Ingeniería en Tecnologías Industriales

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

SOLUCIONES A PROBLEMAS
de transistores bipolares

1
 EJERCICIOS de

transistores bipolares:

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

Problema 1

RC=1k

RB=270k RE=1k

VEE=-10V

Suponemos modo activo directo

I B  RB  VBE  I E  RE  VEE  0

I E    1  I B

I B  RB    1  RE   VBE  VEE  0

 VEE  VBE 10  0.7

IB    25.06 A
RB    1RE 270k  101k

I C    I B  2.51 mA

VCE  VEE  I C  RC  RE   4.99V

2
en el momento justo en el que el transistor entra en saturación,

VCE  VCEsat  0.2V

 VCEsat  I C  RC  VEE
RC   2.91 k
IC

3
Problema 2

VCC

RC
RF

RB

a) suponemos modo activo directo

VCC  I C  I B   RC  I B  RF  VBE  I B    1RC  RF   VBE

VCC  VBE
IB   20.66 A
  1  RC  RF

I C    I B  2.05 mA

VCE  VCC  RC  I C  I B   4.42V

b) repetimos el apartado anterior ahora con F=199

VCC  VBE
IB   12.92 A
  1  RC  RF

I C    I B  2.57 mA

VCE  VCC  RC  I C  I B   3.03V

4
Problema 3

Vi +
-

RL Vo

Vi=10 V y Vo=5 V

VCE  Vi  Vo  10  5  5V  0.2  Z . A.D.

Vi  10V  V z polariza al diodo zener en ruptura

Vo 5
Vo  5V  I E    0.5 A  500mA
RL 10

  19
 I C    1 I E  19  1  0.5  0.475 A  475mA
Z . A.D.  
I 0.5
 IB  E   0.025 A  25mA
   1 19  1

Si se vuelve a dibujar el circuito sustituyendo el diodo Zéner por su circuito equivalente

5
 IR IC

C
IB
Vi + B
-
Vz E

RZ IE RL Vo

Si se considera para zona activa directa que la tensión base emisor VBE=0.7V, la tensión
en la base, VB queda:

V B  V BE  Vo  0.7  5  5.7V

 VZ  VB  5.55  5.7
IZ    0.075 A  75mA
RZ 2

entonces:

I R  I B  I Z  25  75  100mA

Vi  VB 10  5.7
R   43
IR 100  10 3

La potencia disipada en el Zéner será:

Pz = IzVz+I2zRz = 0.4275 W

6
Problema 4

24 V

iT
470 

VP i
R
VB1
iC2
iB1 iE1=iB2
T1
+
VCE2
-
T2
iE2 100 

iT  i  iB1  iC1  iC 2  iB1  iE1  iC 2  iB 2  iC 2  iE 2

iT  iE 2

el valor de iT se puede calcular como:

24  VP
iT 
470

donde la tensión en el punto VP es:

VP  VCE 2  iE 2 100

se tiene que iT e iE2 son iguales y se pueden escribir como:

iT  iE 2  1  1   2  1  iB1

sustituyendo en la expresión de la tensión VP

VP  VCE 2  1  1   2  1  iB1 100

7
despejando iT de su expresión y sustituyendo por los valores queda

470  iT  24  VP
470  1  1   2  1  iB1  24  VCE 2  1  1   2  1  iB1  100
24  VCE 2
iB1 
570  1  1   2  1

iB1  31.58 A  iT  31.58 mA

VP  9.16V

Para calcular el valor de R

VP  VB1 V  VB1
iB1  R P
R iB1

Se calcula el valor de la tensión en la base del transistor T1, VB1. Los dos transistores se
encuentran en zona activa directa VCE2= 6V> 0.2V y VCE1= VCE2 – VBE2 = 5.3V > 0.2V

VB1  VBE1  VBE 2  iE 2 100  0.7  0.7  3.15  4.55V

VP  VB1
R  145.98 k
iB1

8
Problema 5

VCC

RC1 RC2
R21 R22
C2 C3
C1 Vo

R11 RE1 R12 RE2

Vi

En continua los condensadores C1, C2 y C3 se comportan como circuitos abiertos,

condensadores de acoplo. Las dos etapas son iguales, dibujando el circuito sin
condensadores, se analizará tan solo una de las etapas siendo análogo el resultado para
la otra.

VCC VCC

RC1 RC2
R21 R22

R11 RE1 R12 RE2

La  de los transistores no se conoce,

9
 15 V 15 V

I1 IC
470 
5.6 k

IB

I2 IE
1 k 120 

se puede suponer que IB es muy pequeña comparado con I1, (IB<<I1; IB0); de esta
manera I1 I2, se puede calcular la tensión que cae en la base del transistor aplicando el
divisor de tensión

R1 1k
VB  VCC  15  2.27 V
R1  R2 1k  5.6k

manteniendo la suposición de IB0, suponemos también que el transistor está en zona

activa directa VBE=0.7V la tensión que cae en el emisor es:

VE  VB  VBE  2.27  0.7  1.57V

y la corriente que circula por la resistencia de emisor:

VE 1.57
IE    13.1mA
RE 120

además

I C   F I B ; I E  I C  I B   F  1I B

F 1
IE  I
F C

10
si se supone que F>>1 entonces se puede aproximar la corriente de colector a la
corriente de emisor.

I C  I E  13.1mA

la tensión que cae en el colector será entonces:

VC  15  I C  470  8.84V

Tenemos que ver que el transistor está en zona activa directa, según la suposición
realizada:

VCE  VC  VE  8.84  1.57  7.27 V

VCE  7.27 V  0.2

VCE>0.2 V el transistor está en zona activa directa.

11
Problema 6

VCC=12V

RC
io
RB2 
vo

RL

RS

+

 ii +
RB1 RE vS
vi -

vo vo
a) Av1  , Av2 
vi vs

12 V 12 V

I1 IC
RC=2.7 k
RB2=150 k

IB

I2 IE
RB1=39 k RE=1 k

RB1
VB  VCC  2.48V
RB1  RB 2

VB  VBE
IE   1.78 mA
RE

12
VCE  VCC  I C RC  RE   5.41V  0.2 V  Z . A.D.

Vt
r 'e   14 
I EQ

Zi ic Zo
RS r' e

vo

ie
vS RC
RE RL

vo  ic  RC RL
Av1    178.27
vi  ic  r 'e

vo  ic  RC RL  ic  RC RL
Av2    4
vs vRs  vi  i  r' 
RS    ie  e e   ie  r 'e
 RE 

b) Zin

vi
Z in   RE r 'e  13.8 
ii

c) Zout

Z out  RC  2.7 K

RC RL
 ic
i RL
Ai  o   0.074
ii  i  ie r 'e
e
RE

13
Problema 7

VCC=12V

RC
io
RB1 
vo
RS
 RL

ii

RE1
+
vS RB2
-
RE2


vo
a) Av 
vs

12 V 12 V

I1 IC
RC=1.8 k
RB1=115 k

IB

I2 IE
RB2=27 k RE1=22 

RE2=470 

RB 2
VB  VCC  2.28V
RB1  RB 2

14
VE  VB  VBE  1.68V

VE
IC  I E   3.4 mA
RE1  RE 2

VCE  VCC  I C RC  VE  4.3V  0.2 V  Z . A.D.

Vt V
r 'e   t  7.35 
I EQ I CQ

Zi ic Zo
RS ib
vo
ie
ii
r' e

RB2 RB1 RC RL
vS

RE1

Av 
vo i R R
 c C L 
  1  r 'e  RE1  // RB1 // RB 2  21.58
vS ie  r 'e  RE1    1  r 'e  RE1  // RB1 // RB 2   RS

b) Zin

 RB1 // RB 2 //(   1)  r 'e  RE1   6726.4 

vi
Z in 
ii

io RC RB
c) Ai     ib   146.88
ii RC  RL ib  RB  (   1)  (r 'e  RE1 )

d) Zout

Z out  RC  1.8 K

15