Fundamentos de Modulación de Amplitud AM
Fundamentos de Modulación de Amplitud AM
INTRODUCCIÓN
Las señales de transmisión se transportan entre un transmisor y un receptor a través de alguna
forma de medio de transmisión. Sin embargo, casi nunca tienen las señales de información
una forma adecuada para su transmisión. En consecuencia, se deben transformar a una forma
más adecuada. El proceso de imprimir señales de información de baja frecuencia en una señal
portadora de alta frecuencia se llama modulación. La demodulación es el proceso inverso, don-
de las señales recibidas se regresan a su forma original. El objetivo de este capítulo es explicar
al lector los conceptos fundamentales de la modulación de amplitud (AM).
100
forma de onda modulada de salida de un modulador de AM se le llama con frecuencia envol-
vente de AM.
La envolvente de AM
Aunque hay varias clases de modulación de amplitud, la que probablemente se usa con más fre-
cuencia es la AM de portadora de máxima potencia y doble banda lateral (DSBFC, por double-
sideband full carrier). A este sistema se le llama también AM convencional o simplemente AM. La
fig. 3-1 ilustra la relación entre la portadora [Vc sen(2fct)], la señal moduladora [Vm sen(2fmt)]
y la onda modulada [Vam(t)] en la AM convencional. Allí se ve cómo se produce una forma de
onda de AM cuando una señal moduladora de una sola frecuencia actúa sobre una señal porta-
dora de alta frecuencia. La forma de onda de salida contiene todas las frecuencias que forman la
señal de AM, y se usa para transportar la información por el sistema. Por consiguiente, la forma
de la onda modulada se llama envolvente de AM. Nótese que cuando no hay señal modulante, la
forma de onda de salida no es más que la señal de la portadora. Sin embargo, cuando se aplica
una señal moduladora, varía la amplitud de la onda de salida, de acuerdo con la señal modula-
dora. Nótese que la frecuencia de repetición de la envolvente es igual a la frecuencia de la señal
moduladora, y que la forma de la envolvente es idéntica a la forma de la señal moduladora.
Sin modulación
(vm)
Señal
moduladora
(vc)
Portadora
Envolvente
AM de DSBFC
Sin modulación
[vam(t)]
Onda
modulada
Sólo
portadora Portadora
con
modulación
Amplitud
Banda lateral inferior Banda lateral superior
Ejemplo 3-1
Para un modulador DSBFC de AM con frecuencia de portadora fc 100 kHz y una señal moduladora
de frecuencia máxima fm(máx) 5 kHz determinar:
(a) Límites de frecuencia de las bandas laterales superior e inferior.
(b) Ancho de banda.
(c) Frecuencias de lado superior e inferior, que se producen cuando la señal moduladora es un tono
de frecuencia única de 3 kHz.
(d) Trazar el espectro de frecuencias de salida.
Solución (a) La banda lateral inferior va desde la frecuencia mínima posible de lado inferior has-
ta la frecuencia de portadora, es decir
LSB [ fc fm(máx)] a fc
(100 5) kHz a 100 kHz 95 a 100 kHz
La banda lateral superior va desde la frecuencia de la portadora hasta la frecuencia máxima posible
de lado superior, es decir
USB fc a [ fc fm(máx)]
100 kHz a (100 5) kHz 100 a 105 kHz
(b) El ancho de banda es igual a la diferencia entre la frecuencia máxima de lado superior y la fre-
cuencia mínima de lado inferior, es decir
B 2fm(máx)
2(5 kHz) 10 kHz
(c) La frecuencia de lado superior es la suma de las frecuencias de la portadora y la moduladora
ffls fc fm 100 kHz 3 kHz 103 kHz
La frecuencia de lado inferior es la diferencia de frecuencias de la portadora y la moduladora
ffli fc fm 100 kHz 3 kHz 97 kHz
(d) El espectro de frecuencias de salida se ve en la fig. 3-3.
102 Capítulo 3
Portadora
LSB USB
f
95 kHz 97 kHz 100 kHz 103 kHz 105 kHz
ffli fc ffls
B = 10 kHz
fli
fls
c
Tiempo
FIGURA 3-4 Suma fasorial en una envolvente de AM de DSBFC: (a) suma fasorial de la por-
tadora y las frecuencias laterales superior e inferior; (b) suma fasorial que produce la envol-
vente de AM
Em mEc (3-2)
Em
y Ec (3-3)
m
y el porcentaje M de modulación es
Em
M 100 o simplemente m 100 (3-4)
Ec
En la fig. 3-5 se ve la relación entre m, Em y Ec.
Si la señal moduladora es una onda senoidal pura de una sola frecuencia, y el proceso de
modulación es simétrico (es decir, las diferencias positiva y negativa de amplitud de la envol-
104 Capítulo 3
+Vmáx = Ec = Em Portadora más
+Vmín = Ec – Em
frecuencias
superior e
inferior
mín = – Ec + Em
–Vmín
máx = – Ec – Em
–Vmáx
vente son iguales), entonces se puede deducir como sigue el porcentaje de modulación (véase la
fig. 3-5 durante esta deducción)
1
Em (V Vmín) (3-5)
2 máx
1
y Ec (V Vmín) (3-6)
2 máx
1 2(Vmáx Vmín)
Por consiguiente, M 100
1 2(Vmáx Vmín)
(Vmáx Vmín)
100 (3-7)
(Vmáx Vmín)
en donde Vmáx Ec Em
Vmín Ec Em
El cambio máximo de amplitud de la onda de salida Em, es la suma de los voltajes de las
frecuencias laterales superior e inferior. Por consiguiente, ya que Em Efls Efli y Efls Efli,
por lo tanto
Em 1 2(Vmáx Vmín) 1
Efls Efli (Vmáx Vmín) (3-8)
2 2 4
en la que Efls amplitud máxima de la frecuencia de lado superior (volts)
Efli amplitud máxima de la frecuencia de lado inferior (volts)
mín
Ejemplo 3-2
Determinar, para la forma de onda de AM en la fig. 3-7:
(a) Amplitud máxima de las frecuencias de lado superior e inferior.
(b) Amplitud máxima de la portadora no modulada.
(c) Cambio máximo de amplitud de la envolvente.
(d) Coeficiente de modulación.
(e) Porcentaje de modulación.
Solución (a) De la ecuación 3-8,
1
Efls Efli (18 2) 4 V
4
(b) De la ecuación 3-6,
1
Ec (18 2) 10 V
2
(c) De la ecuación 3-5,
1
Em (18 2) 8 V
2
(d) De la ecuación 3-1,
8
m 0.8
10
106 Capítulo 3
máx
mín
Distribución de voltaje de AM
Una portadora no modulada se puede describir matemáticamente como sigue
vc(t) Ec sen(2fct)
en donde vc(t) forma de onda de voltaje de la portadora, variable en el tiempo
Ec amplitud máxima de la portadora (volts)
fc frecuencia de la portadora (hertz)
Se hizo notar, en una sección anterior, que la rapidez de repetición de una envolvente de
AM es igual a la frecuencia de la señal moduladora, que la amplitud de la onda de AM varía en
proporción con la de la señal moduladora, y que la amplitud máxima de la onda modulada es
igual a Ec Em. Por lo anterior, la amplitud instantánea de la onda modulada se puede expresar
como sigue
vam(t) [Ec Em sen(2fmt)][sen(2fct)] (3-9a)
donde [Ec Em sen(2fmt)] amplitud de la onda modulada
Em cambio máximo de amplitud de la envolvente (volts)
fm frecuencia de la señal moduladora (hertz)
Si se sustituye Em por mEc,
vam(t) [(Ec mEc sen(2fmt)][sen(2fct)] (3-9b)
Voltaje (Vp)
fli fls
fli fls
FIGURA 3-8 Espectro de voltajes
Frecuencia (Hz) para una onda DSBFC de AM
108 Capítulo 3
t (intervalos
de 10 ms)
FLS
(frecuencia
lateral superior)
Portadora
FLI
(frecuencia
lateral inferior)
Envolvente
t (intervalos
de 10 ms)
FIGURA 3-10 Espectro de salida para el ejemplo 3-3 FIGURA 3-11 Envolvente de AM para el ejemplo 3-3
110 Capítulo 3
La tabla 3-1 es una lista de valores de los voltajes instantáneos de la portadora, los de la
frecuencia lateral superior e inferior y los la onda modulada total, cuando se sustituyen valores
de 0 a 250 ms en la ecuación 3-13, en intervalos de 10 ms. El voltaje de portadora no modulada
es Ec 1 Vp, y se alcanza modulación de 100%. En la fig. 3-9 se ven las formas de onda corres-
pondientes. Obsérvese que el voltaje máximo de la envolvente es 2 V (2Ec) y que el voltaje mí-
nimo de la envolvente es 0 V.
En la fig. 3-9, nótese que es constante el tiempo entre cruces correspondientes de cero den-
tro de la envolvente, es decir, que T1 T2 T3, etcétera. También, nótese que las amplitudes de
los máximos sucesivos dentro de la envolvente no son iguales. Esto indica que un ciclo dentro
de la envolvente no es una onda senoidal pura y, en consecuencia, que la onda modulada debe es-
tar formada por más de una frecuencia; es la suma de las frecuencias de la portadora y las latera-
les superior e inferior. La fig. 3-9 también muestra que la amplitud de la portadora no varía, sino
más bien la amplitud de la envolvente varía de acuerdo con la señal moduladora. Esto se logra su-
mando las frecuencias laterales superior e inferior a la forma de onda de la portadora.
Distribución de potencia en AM
En todo circuito eléctrico, la potencia disipada es igual al cuadrado del voltaje dividido entre la
resistencia. Así, el promedio de la potencia disipada en una carga, por una portadora no mo-
dulada, es igual al cuadrado del voltaje rms (rms efectivo, o de raíz cuadrática media) de la
portadora, dividido entre la resistencia de carga. Esto se expresa con la siguiente ecuación
(0.707Ec)2
Pc
R
(Ec)2
(3-14)
2R
Portadora, Tiempo,
1 1
FLS, cos(230t) sen(225t) FLI, cos(220t) Envolvente, vam(t) t(ms)
2 2
0.5 0 0.5 0 0
0.155 1 0.155 1.31 10
0.405 0 0.405 0 20
0.405 1 0.405 1.81 30
0.155 0 0.155 0 40
0.5 1 0.5 2 50
0.155 0 0.155 0 60
0.405 1 0.405 1.81 70
0.405 0 0.405 0 80
0.155 1 0.155 1.31 90
0.5 0 0.5 0 100
0.155 1 0.155 0.69 110
0.405 0 0.405 0 120
0.405 1 0.405 0.19 130
0.155 0 0.155 0 140
0.5 1 0.5 0 150
0.155 0 0.155 0 160
0.405 1 0.405 0.19 170
0.405 0 0.405 0 180
0.155 1 0.155 0.69 190
0.5 0 0.5 0 200
0.155 1 0.155 1.31 210
0.405 0 0.405 0 220
0.405 1 0.405 1.81 230
0.405 0 0.405 0 240
0.155 1 0.155 1.31 250
m2 E2c
Pbls Pbli (3-15b)
4 2R
m2Pc m2Pc
Pt Pc (3-18)
4 4
es decir,
m2Pc
Pt Pc (3-19)
2
en donde (m2Pc)/2 es la potencia total de las bandas laterales.
Se saca Pc como factor común
m2
Pt Pc 1 (3-20)
2
De acuerdo con el análisis anterior, se puede ver que la potencia de portadora en la onda
modulada es igual que en la onda no modulada. Por tanto, es evidente que la potencia de la por-
tadora no se afecta en el proceso de modulación. También, como la potencia total en la onda
112 Capítulo 3
BLI BLS
Potencia (W)
Potencia (W)
fli fls
fli fls
fli fls
fli fls
Ejemplo 3-4
Para una onda DSBFC de AM con voltaje máximo de portadora no modulada Vc 10 Vp, una resis-
tencia de carga RL 10 y un coeficiente de modulación m 1, determinar:
(a) Las potencias de la portadora y de las bandas laterales superior e inferior.
(b) La potencia total de las bandas laterales.
(c) La potencia total de la onda modulada.
A continuación
(d) Trazar el espectro de potencias.
(e) Repetir los pasos a) a d) con un índice de modulación m 0.5.
Solución (a) La potencia de la portadora se calcula sustituyendo los valores en la ecuación 3-14
102 100
Pc 5W
2(10) 20
La potencia de las bandas laterales superior e inferior se calcula con la ecuación 3-16
(12)(5)
Pbls Pbli 1.25 W
4
(b) La potencia total de las bandas laterales es
m2Pc (12)(5)
Ptbl
2.5 W
2 2
(c) La potencia total en la onda modulada se calcula sustituyendo en la ecuación 3-20
(1)2
Pt 5 1
2 7.5 W
Potencia (W)
fli fls
Cálculos de corriente en AM
Con la modulación de amplitud se hace necesario con mucha frecuencia, y a veces es deseable,
medir la corriente de la onda portadora y la modulada, para después calcular el índice de modu-
lación con estas medidas. Las mediciones se hacen simplemente determinando la corriente en la
antena transmisora, con o sin la presencia de la señal moduladora. La relación entre la corriente de
la portadora y la de la onda modulada es
Pt I 2t R I2 m2
2 t2 1
Pc I cR Ic 2
en donde Pt potencia total de transmisión (watts)
Pc potencia de la portadora (watts)
It corriente total de transmisión (amperes)
Ic corriente de la portadora (amperes)
R resistencia de la antena (ohms)
114 Capítulo 3
It m2
y 1 (3-21a)
Ic 2
I I 1
2
m
Por lo que t c (3-21b)
2
1 1
vam(t) sen(2fct) cos[2(fc fm1)t] cos[2(fc fm1)t]
2 2
1 1
cos[2(fc fm2)t] cos[2(fc fm2)t]
2 2
Cuando varias frecuencias modulan en forma simultánea la amplitud de una portadora, el
coeficiente combinado de modulación es igual a la raíz cuadrada de la suma de cuadrados de los
índices individuales de modulación
Pcm2t
Ptbls Ptbli (3-23)
2
Pcm2t
y Ptbl (3-24)
2
m2t
Por lo que Pt Pc 1 (3-25)
2
en la que Ptbls potencia total de la banda lateral superior (watts)
Ptbli potencia total de la banda lateral inferior (watts)
Ptbl potencia total de las bandas laterales (watts)
Pt potencia total transmitida (watts)
0.672
Pt 100 1 122.445 W
2
CIRCUITOS MODULADORES DE AM
En un transmisor, el lugar donde se hace la modulación determina si el circuito es un transmisor
de bajo o de alto nivel. Con modulación de bajo nivel, ésta se hace antes del elemento de salida de
la etapa final del transmisor; en otras palabras, antes del colector del transistor de salida en un
transmisor transistorizado, antes del drenaje del FET de salida en un transmisor de FET, o antes
de la placa del tubo de salida en un transmisor con tubos al vacío.
Una ventaja de la modulación de bajo nivel es que se requiere menos potencia de señal
moduladora para lograr modulación de alto porcentaje. En los moduladores de alto nivel, la mo-
dulación se hace en el elemento final de la etapa final, donde la señal portadora tiene su ampli-
tud máxima y por ello requiere una señal moduladora de mucho mayor amplitud para lograr un
porcentaje razonable de modulación. Con la modulación de alto nivel, el amplificador final de
señal moduladora debe suministrar toda la potencia de banda lateral, que podría ser hasta 33%
de la potencia total de transmisión. Una desventaja obvia de la modulación de bajo nivel se pre-
senta en las aplicaciones de gran potencia, donde todos los amplificadores que siguen a la eta-
pa moduladora deben ser amplificadores lineales, lo cual es extremadamente ineficiente.
116 Capítulo 3
VCC = 30 V cd
vsal
Voltaje
del colector
(vc)
Envolvente AM
de DSBFC T iempo
(vsal)
FIGURA 3-15 (a) Transistor único, modulador por emisor; (b) Formas de onda de salida
Ejemplo 3-6
Para un modulador de AM de bajo nivel, parecido al de la fig. 3-15, con un coeficiente de modula-
ción m 0.8, una ganancia de voltaje en reposo Aq 100, una frecuencia de portadora de entra-
da fc 500 kHz con amplitud Vc 5 mV y una señal moduladora de 1000 Hz, determinar lo siguien-
te:
(a) Ganancias máxima y mínima de voltaje.
(b) Amplitudes máxima y mínima de Vsal.
Después:
(c) Trazar la envolvente de la AM de salida.
Solución (a) Se sustituye en la ecuación 3-26
Amáx 100(1 0.8) 180
Amín 100(1 0.8) 20
(b) Vsal(máx) 180(0.005) 0.9 V
Vsal(mín) 20(0.005) 0.1 V
(c) La envolvente de AM se ve en la fig. 3-16
118 Capítulo 3
de transmisores de estado sólido, con potencias de salida tan altas como algunos miles de watts.
Esto se logra poniendo al final en paralelo, varios amplificadores de potencia, de tal manera que
se combinen sus señales de salida en fase y sean, por consiguiente, aditivas.
La fig. 3-17a muestra el diagrama de un modulador de AM de potencia intermedia con un
solo transistor. La modulación se hace en el colector, que es el elemento de salida del transistor.
Por consiguiente, si es la etapa activa final del transmisor (esto es, no hay amplificadores entre
él y la antena), el modulador es de alto nivel.
Para alcanzar alta eficiencia de potencia, los moduladores de potencia intermedia y alta de
AM trabajan en general en clase C. Por consiguiente, es posible una eficiencia práctica hasta
de 80%. El circuito de la fig. 3-17a es un amplificador de clase C con dos entradas: una portadora
Señal moduladora
de frecuencia única
Portadora
no modulada
Vsal
Vsal
FIGURA 3-17 Modulador AM de DSBFC simplificado, con transistor de potencia intermedia: (a) diagrama; (b) formas de
onda del colector sin señal moduladora; (c) formas de onda del colector con una señal moduladora