Los defectos de las celdas unitarias, son las unidades más pequeñas repetitivas
en una red cristalina, y pueden afectar las propiedades físicas y químicas de los
materiales. (Newell, 2010)
Estas imperfecciones solo representan desviaciones de los arreglos atómicos o
iónicos perfectos o ideales que se esperan en una estructura cristalina. Al material
no se le considera defectuoso desde un punto de vista tecnológico. En muchas
aplicaciones, la presencia de tales defectos es en realidad útil. Con frecuencia se
pueden crear “defectos” de manera intencional para producir un conjunto deseado
de propiedades electrónicos, magnéticas, ópticas o mecánicas. (Askeland, 1999)
En otras palabras, son defectos cristalinos son los que dan las propiedades más
interesantes de la materia, como la deformación plástica, la resistencia a la rotura,
la conductividad eléctrica, el color, la difusión, entre otros. (Newell, 2010)
De acuerdo su dimensión, estos defectos se clasifican en:
Defectos puntuales
Son perturbaciones localizadas en los arreglos iónicos o atómicos de una
estructura cristalina que de otra manera seria perfecta. La perturbación afecta una
región que involucra varios átomos o iones. Estas imperfecciones pueden ser
generadas por el movimiento de los átomos o iones cuando gran energía al
calentarse durante el procesamiento del material o por la introducción de
impurezas, estos son elementos o compuestos que contienen materias primas
durante el procesamiento. (Askeland, 1999)
Los defectos puntuales involucran uno o pocos átomos en la celda unitaria.
(
Askeland, 1999)
Vacancias: Ocurren cuando falta un átomo en una posición donde debería estar.
Esto puede afectar la densidad del material y su conductividad eléctrica y térmica.
Las vacancias son comunes y pueden originarse durante la solidificación del
material o debido a la agitación térmica. A nivel práctico, afectan propiedades
como:
- Difusión: Facilitan el movimiento de átomos a través de la red cristalina, lo
que influye en procesos como la sinterización y la oxidación.
- Densidad: Las vacancias reducen la densidad del material y pueden
debilitar su estructura.
- Conductividad eléctrica y térmica: En materiales semiconductores o
aislantes, la presencia de vacancias puede alterar cómo se transportan los
electrones o las vibraciones (fonones), afectando la conductividad.
(Askeland, 1999)
Intersticiales: Átomos adicionales se ubican en lugares entre los átomos
normales de la red.
Los átomos adicionales que se encuentran en posiciones "intersticiales" (entre los
átomos normales) distorsionan la red cristalina. Esto introduce tensiones en el
material, lo que puede aumentar la dureza o generar defectos que propicien la
fractura. En metales, los átomos intersticiales pueden mejorar la resistencia a la
deformación plástica, pero también pueden disminuir la ductilidad.
(Askeland, 1999)
Sustitucionales: Cuando un átomo en la red cristalina es reemplazado por otro
átomo de diferente tipo, el efecto depende del tamaño y las propiedades del átomo
sustituto. Esto es común en aleaciones:
- Aleaciones metálicas: En metales, los átomos sustitucionales pueden
mejorar la resistencia al deslizamiento (mejorando la dureza) o alterar la
conductividad eléctrica.
- Semiconductores: En los semiconductores, los átomos sustitucionales
pueden actuar como "dopantes", lo que altera el número de portadores de
carga, mejorando o disminuyendo la conductividad eléctrica según el tipo
de dopaje (p o n).
(Askeland, 1999)
Otros defectos puntuales
Defecto de Frenkel, es un par de vacancia-intersticial formado cuando un ion
salta de un punto de red normal a un sitio intersticial. (Askeland, 1999)
Defecto de Schottky, es cuando las vacancias ocurren en un material enlazado
iónicamente, debe estar ausente un numero estequiométrico de aniones y
cationes en las posiciones atómicas regulares para que se conserve la neutralidad
eléctrica. (Askeland, 1999)
Defectos lineales (Dislocaciones)
Las dislocaciones son defectos que afectan una línea completa de átomos, por lo
general se introducen en el cristal durante la solidificación del material o cuando
éste se deforma de manera permanente. y tienen un gran impacto en las
propiedades mecánicas de los materiales, especialmente en los metales. Se
pueden identificar en tres tipos de dislocaciones:
Dislocaciones helicoidales: puede ilustrarse si se corta parcialmente un cristal
perfecto y después se lo tuerce en un espaciado atómico. Si se realiza en un plano
cristalográfico una revolución alrededor del eje sobre el cual se torció el cristal,
comenzando en el punto x y luego se recorren espaciados atómicos iguales en
cada dirección en sentido de las manecillas del reloj, se termina en el punto y un
espaciado atómico debajo del punto inicial. Si no estuviera presente una
dislocación helicoidal, la vuelta se cerraría.
Dislocaciones de arista: puede ilustrarse si se corta de manera parcial un cristal
perfecto, se separa el cristal y se llena de manera parcial el corte con un medio
plano adicional de átomos.
Dislocaciones mixtas: tienen componentes de arista y helicoidal, con una región
de transición entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers sigue siendo el mismo
para todas las porciones de la dislocación mixta.
Defectos Superficiales
Son defectos que ocurren en las interfaces dentro de un material o en sus
superficies externas.
Límites de grano: los átomos están tan cercanos entre si en algunas
localizaciones en los límites de los granos que generan una región de compresión,
mientras que en otras áreas están tan alejados que generan una región de
tensión.
Límites de macla: es un plano a través del cual se produce una des¬ orientación
especial de imagen especular de la estructura cristalina. Los límites de macla
pueden producirse cuando una fuerza de corte, que actúa a lo largo del límite de
macla, ocasiona que los átomos se desplacen de su posición.
Límites de dominio: son una región pequeña del material en el que la dirección
de la magnetización o de la polarización dieléctrica permanece igual. En estos
materiales se forman varios dominios pequeños, lo que minimiza su energía libre
total.
Defectos Volumétricos
Estos son defectos que afectan regiones más grandes del material y no solo unos
pocos átomos.
Se forman cuando un grupo de átomos o de defectos puntuales se unen para
formar un vacío tridimensional, o poro. De manera inversa, un grupo de átomos de
alguna impureza puede unirse para formar un precipitado tridimensional.
El tamaño de un defecto volumétrico puede variar desde unos cuantos
nanómetros hasta centímetros. (Newell, 2010)
- Askeland, D. (1999). Ciencia e Ingeniería de los Materiales. México:
International Thomson Editores.
- Callister, W. (2007). Ciencia e Ingeniería de los Materiales. Universidad de
Utah: Reverté, S.A.
- Newell, J. (2010). Ciencia de materiales-aplicaciones en ingeniería.
Alfaomega Grupo Editor.
