TRABAJO DE INVESTIGACION DE POTENCIA
NOMBRE: MATEO JACOME
CODIGO: 580
DIODOS MISMO VOLTAJE DIFERENTE CORRIENTE Y SUS CARACTERISTICAS MAS RELEVANTES
MODELO DE DIODO DC Blocking Voltage (VR) RMS Reverse Voltage (VR(RMS)) Average Rectified Output Current (Note 4) @ TA = +75C (IO) Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (IFSM) Forward Voltage Operating and Storage Temperature Range (TJ, TSTG) Peak Reverse Current Y Rated DC Blocking Voltage
1N4001 – 1N4007 200 140 1A 30A 1V -65 to +150 5 Y 50 uA
1N5400 – 1N5408 200 140 3A 200A 1V -65 to +125 5 y 100 uA
6A05 - 6A10 200 140 6A 400A 0,9V -65 to +175 10 y 100 uA
DIODOS MISMA CORRIENTE DIFERENTE VOLTAJE Y SUS CARACTERISTICAS MAS RELEVANTES
MODELO DE DIODO DC Blocking Voltage (VR) RMS Reverse Voltage (VR(RMS)) Average Rectified Output Current (Note 4) @ TA = +75C (IO) Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (IFSM) Forward Voltage Operating and Storage Temperature Range (TJ, TSTG) Peak Reverse Current Y Rated DC Blocking Voltage
1N582x 30 10 3A 80A 1V -65 to +150 25 Y 90 uA
1N5400 – 1N5408 200 140 3A 200A 1V -65 to +125 5 y 100 uA
1N540x 200 140 3A 200A 1,2V - 50 to + 150 5 a 500 uA
GLOSARIO DE TERMINOS VISTOS EN CLASE
Término Descripción
Capacidad de un sistema para realizar trabajo, medida en julios (J),
Energía esencial para el funcionamiento de dispositivos electrónicos y
sistemas de potencia.
Rango de frecuencias dentro del cual puede operar efectivamente un
Ancho de Banda dispositivo o sistema, crucial en comunicaciones y en la electrónica
de potencia para garantizar el funcionamiento eficiente.
Duración esperada de funcionamiento de un dispositivo o
Tiempo de Vida componente antes de que falle, fundamental para el diseño y la
fiabilidad de sistemas electrónicos y de potencia.
Movimiento de carga eléctrica en un medio, como conductores o
Electromovilidad semiconductores, influyendo en el rendimiento de dispositivos como
transistores y diodos.
Portadores Portadores de carga predominantes en un semiconductor, como
mayoritarios electrones en tipo n y huecos en tipo p, responsables de la corriente
Portadores de carga presentes en menor cantidad en un
Portadores semiconductor, como huecos en tipo n y electrones en tipo p, juegan
minoritarios un papel importante en el comportamiento de los dispositivos
semiconductores, aunque contribuyen menos a la corriente principal.
