INDICE

1 EL MÓDULO SOLAR FOTOVOLTAICO ________________________________ 2

1.1 Fundamentos físicos de la célula solar__________________________________________ 2
1.2 Funcionamiento eléctrico de la célula solar _____________________________________ 6
1.3 Curva característica voltaje-corriente _________________________________________ 6
1.4 De la célula al módulo ______________________________________________________ 11
1 EL MÓDULO SOLAR FOTOVOLTAICO

1.1 Fundamentos físicos de la célula solar

Cuando la radiación solar incide sobre un dispositivo electrónico, denominado célula solara, se
genera una corriente eléctrica proporcional a la intensidad de la radiación. Los dispositivos
semiconductores son la base de toda la electrónica actual; la célula solar es una aplicación
basada en las propiedades de los semiconductores cuando reciben radiación luminosa. Un
material semiconductor es un sólido cuya estructura atómica se organiza en forma de red
cristalina. Cuando se verifican las condiciones adecuadas de presión y temperatura durante
suficiente tiempo, miles de años, los sólidos tienden a adoptar la estructura cristalina porque
es en la que las partículas atómicas alcanzan los niveles más bajos de energía y, por ende, la
estructura más estable. Desde hace muchas décadas, la reproducción artificial de este proceso
natural se realiza regularmente, con especial énfasis en la producción de silicio cristalino, el
material base para la industria electrónica. También la producción de diamantes artificiales es
conocida desde hace muchos años, pero los insalvables costes del proceso determinan que sea
mucho más onerosa la fabricación de un diamante, que el coste de uno de iguales
características producido por la naturaleza y, en consecuencia, solo se fabrican para usos
industriales.
El material semiconductor por excelencia es el Silicio dada su extraordinaria abundancia, el
60 % de la corteza terrestre está compuesto por sílice que tiene un alto contenido del mismo,
además de sus interesantes propiedades electrónicas. También se utiliza el Arseniuro de Galio
y el Germanio, el primero con mejores cualidades que el Silicio para la producción de energía
eléctrica, pero su escasez en la naturaleza lo hace tan caro, que solo se utiliza en aplicaciones
en las que los costes no son relevantes como es el caso de las aplicaciones espaciales, en las
que es habitual el uso de células solares fabricadas con Arseniuro de Galio por su elevada
eficiencia.
Gran parte del elevado coste por kilovatio-hora
de la producción eléctrica con células solares
se debe al alto coste energético de la
transformación de la sílice en obleas de silicio
con alto grado de pureza. Sin embargo, la
industria electrónica, principal consumidora de
silicio cristalino, muestra una tendencia
constante hacia la disminución de precios,
consecuencia de que los equipos electrónicos
consumen cada vez menos cantidad de silicio
para la misma función: la evolución de la
tecnología microelectrónica se mide en
términos de disminución del tamaño de los
Figura 1 Red cristalina del silicio dispositivos. En contraposición, el incremento
de la producción de electricidad solar depende,
casi linealmente, del incremento de la
superficie de silicio utilizado, en forma de células solares: la evolución tecnológica, en este
caso, se mide en términos de la mejora en la eficiencia de conversión.

a
En Iberoamérica se denominan “celdas solares”
El silicio cristaliza en una red similar a la del diamante. Mediante enlaces covalentes, cada
átomo de silicio comparte uno de sus cuatro electrones de valencia con otros cuatro átomos.
En la ¡Error! No se encuentra el origen de la referencia. puede verse una representación
tridimensional de la red cristalina del silicio; las líneas azules representan enlaces completos,
es decir, con dos electrones. Como los electrones tienden a ocupar los niveles energéticos más
bajos, la mayor parte de ellos están enlazados, y en el cero absoluto de temperatura, la
totalidad: a la temperatura ambiente algunos adquieren suficiente energía para escapar del
enlace, y pueden entonces desplazarse por el material. Este comportamiento no es exclusivo
de los semiconductores sino que se manifiesta en todos los materiales; lo peculiar es la
cantidad de energía necesaria para liberar un electrón del enlace, que es un valor propio de
cada material y se denomina energía de la banda prohibida porque entre el nivel energético
que ocupa el electrón ligado y el electrón libre no hay ningún valor de energía permitido. En
el caso de los metales, esta energía es nula, es decir, todos los electrones están libres para
desplazarse por el material. En los materiales aislantes, la energía requerida es tan elevada que
el número de electrones libres es despreciable, aun a temperaturas elevadas. La cantidad de
energía necesaria, en el caso de los semiconductores (1,1 eV para el silicioa a 25ºC), permite
un control efectivo de los flujos de cargas y es lo que hace a estos materiales tan adecuados
para la electrónica y para la generación de energía eléctrica cuando el semiconductor recibe
radiación solar.
Para comprender el efecto fotovoltaicob, mecanismo por el cual la radiación solar se
transforma en electricidad, vamos a pasar a una representación bidimensional de la red
cristalina del silicio como se muestra en la Figura 2. Sobre la red cristalina incide una
radiación luminosa que en un análisis atómico del comportamiento se caracteriza mediante
cuantos de energía: fotones, en el caso de la luz, con una energía determinada por su longitud
de onda. Las probabilidades de que los fotones interactúen con la red cristalina son muy
elevadas, máxime si se considera que una oblea de silicio, una lámina de espesor inferior a las
500 μm, es opaca a la radiación solar. Cuando un fotón interactúa con un enlace transfiere su
energía a éste. Si la cantidad de energía es igual o superior a la energía del gap, el electrón se
libera del enlace y pasa a ser un portador de carga libre para desplazarse por el cristal:
hc
Efotón   Eg (carac. SC) (1)

donde h es la constante de Planck, c la velocidad de la luz y λ la longitud de onda del fotón.

Figura 2 Tres secuencias de la generación de cargas mediante la radiación solar en una red
cristalina de silicio

a
El electrón-voltio (eV) es una unidad de energía habitual en la escala atómica, equivale a 1,602×10 -19 J y es
igual a la energía que gana un electrón cuando su energía potencial se incrementa en un voltio
b
Albert Einstein publicó en 1905 la explicación sobre el efecto fotovoltaico y en 1921 le concedieron el premio
Nobel por este logro. Con su teoría puso fin a la dicotomía sobre la naturaleza de la luz: ondulatoria o
corpuscular y contribuyó al desarrollo de la mecánica cuántica.
La misma ecuación puede expresarse de forma simplificada si se substituyen las constantes
por su valor:
1240
Efotón (eV)  (2)
 (nm)
Cuando la energía del fotón es inferior a la energía del gap, la energía transferida se convierte
en calor; lo mismo sucede con la energía en exceso, únicamente eleva la temperatura del
cristal. Al proceso de incrementar la energía de un electrón desde la que tenía en el enlace
hasta la que le permite desplazarse libremente por el cristal se le denomina generación y al
proceso inverso recombinación, que se produce cuando un electrón libre vuelve a formar
parte de un enlace y libera la energía en forma de calor.
De un cristal de silicio, como el descrito hasta ahora, no se puede extraer energía eléctrica
cuando se le expone a la radiación solar. La razón es que las cargas eléctricas generadas
mediante la radiación luminosa no siguen ninguna dirección preferencial de movimiento. Se
mueven de forma errática por el cristal y son rápidamente atrapadas por los enlaces
insatisfechos, es decir, se recombinan.
Para poder construir una célula solar efectiva es necesario impurificar de forma controlada el
cristal de silicio. Se introducen dos tipos de impurezas en muy pequeña cantidad respecto al
número total de átomos de silicio, con lo que no modifican sustancialmente la red cristalina.
Los dos elementos que se utilizan para impurificar el silicio tienen 3 y cinco electrones de
valencia, respectivamente; es habitual utilizar boro y fósforo para cada caso porque sus
átomos tienen un tamaño similar al del silicio. El procedimiento de impurificación,
denominado dopaje, se realiza sobre un cristal que en su fabricación ya se impurificó con uno
de los dos elementos. El otro se añade de forma que cada lado del cristal en forma de oblea
contenga un tipo de impureza, finalmente; en la Figura 1 se esquematiza el resultado.

I >0

n
Material n (Fosforo, 5e-) Impureza Donadora 
p E V >0

Material p (Boro, 3e-) Impureza Aceptora

Figura
Figura 3. Estructura
1. Estructura básica
básica de una
de una célula
célula solar
solar

En la región con fósforo, zona n, abundan los electrones que no están enlazados y, en
consecuencia, los átomos de fósforo se ionizan con facilidad, es decir, los electrones no
enlazados, uno por cada átomo de fósforo, requieren muy poca energía para ser cargas
móviles; es suficiente con la temperatura ambiente. En la región con boro, zona p, lo que
faltan son enlaces completos y eso facilita el desplazamiento de electrones que ocupan un
enlace hacia enlaces no satisfechos. Este comportamiento se caracteriza mediante el uso de
una partícula ficticia, el hueco, que tiene carga positiva y permite un análisis físico
matemático mucho más sencillo que el requerido para representar grandes paquetes de
electrones en movimiento. ¿Qué es más fácil, analizar el movimiento de una burbuja de aire
en un recipiente con agua o el de las moléculas de agua en torno a la burbuja?
En definitiva, cada región tiene partículas móviles de distinta carga por lo que se producen
corrientes de cargas en un intento de homogeneizar el cristal. Sin embargo, a medida que los
átomos pierden cargas y se ionizan se producen zonas con cargas que no son móviles. Este
proceso conduce a que haya un equilibrio dinámico entre los movimientos de electrones y
huecos y la creación de un dipolo eléctrico en torno a la zona de interfase que produce un
campo eléctrico en dirección perpendicular a la interfase que desplaza las partículas en
sentido inverso.
La descripción anterior explica de forma más que rudimentaria el funcionamiento de la unión
pn, clave para toda la electrónica de estado sólido1. Si sobre un cristal de esta naturaleza
incide una radiación luminosa, las cargas eléctricas generadas seguirán la dirección impuesta
por el campo eléctrico de tal modo que pueden extraerse por los contactos metálicos del
cristal hacia el exterior; este dispositivo electrónico es una célula solar.
En la figura se muestra el esquema de una célula real y una fotografía de una célula comercial
de 100 mm2. Como puede verse la célula es una lámina de silicio (oblea), de unos 300 μm de
espesor, con una unión pn muy próxima a la superficie –el mayor número de generaciones se
produce en las primeras micras por lo que conviene que el campo eléctrico de la unión pn esté
próximo a la superficie para conducir las cargas hacia los contactos metálicos con eficiencia–.
La cara frontal, la que recibe la radiación solar, tiene un contacto metálico en forma de rejilla
que al mismo tiempo que colecta las cargas tiene que permitir el paso de los fotones al interior
del cristal. El diseño de la rejilla tiene que compatibilizar estos dos objetivos que son
contrapuestos: el factor de recubrimiento, superficie ocupada por el metal respecto al área
total de la célula, es del orden del 4%. La cara posterior, sin embargo, tiene una metalización
muy densa. Las dos bandas de metalización que se observan en la fotografía se utilizan para
conectar las células entre sí y es por donde circula la corriente total fotogenerada.

Metalización
Capa
Antirreflexiva
300 m

Figura 2. La célula solar: esquema básico y fotografía de una célula comercial

La coloración habitual de las células es azul oscuro mate para evitar que los fotones se
reflejen en la superficie. Como las obleas de silicio son bastante especulares y de color gris
metálico claro es necesario aplicar una capa antirreflexiva o, también, realizar un ataque
químico sobre la superficie que produce una capa compuesta por tetraedros microscópicos.
Con la aplicación de cualquiera de estas técnicas, en ocasiones con ambas, se consigue
minimizar las pérdidas por reflexión hasta cifras despreciables. Actualmente, se están
desarrollando otras coloraciones de células para ampliar el catálogo de productos destinado a
la integración en edificios; aunque la eficiencia de conversión disminuye.
El grosor de la célula es un compromiso entre dos factores: minimizar las pérdidas de
transmisión, asociadas a fotones que no encuentran enlace con el que interaccionar, o lo que
es lo mismo a la transparencia de la oblea; y minimizar las recombinaciones, cuanto más largo
es el camino que tienen que recorrer las cargas hasta la metalización, mayor es la probabilidad
de que se recombinen. Es de importancia observar que el grosor de las obleas es del mismo
orden de magnitud que el de los útiles usados para cortar el lingote de silicio cristalino en
éstas. Prácticamente el 40 % del material se pierde en el corte.
En resumen y desde la perspectiva externa, las células solares son dispositivos electrónicos de
gran tamaño, de coloración oscura, en los que la producción de energía eléctrica esta
directamente ligada al área total expuesta a la radiación solar y muy frágiles. Cuando se
encapsulan para constituir un módulo solar, como se verá más adelante, se obtiene un
producto muy robusto; la mayor parte de los fabricantes los garantizan por veinte años.

1.2 Funcionamiento eléctrico de la célula solar

Cuando una célula solar recibe radiación genera una corriente eléctrica que circula por el
circuito exterior y con la que se pueden alimentar cargas. El comportamiento eléctrico de la
célula es consecuencia de la estructura de unión pn y su comprensión detallada requiere de
ciertos conocimientos de electrónica física1 que vamos a obviar. De este modo, habrá que
aceptar como hechos algunos de los modelos que se propongan.
Hemos visto que la corriente fotogenerada depende del número de fotones que inciden sobre
el cristal, de la naturaleza de estos y de las características del cristal y de las metalizaciones en
su relación con el número de recombinaciones, es decir, con el número de cargas generadas
que son absorbidas por la red cristalina antes de que salgan al circuito exterior. Esta corriente
puede medirse con un amperímetro conectado en paralelo con la célula (célula
cortocircuitada); también se denomina corriente de cortocircuito, ISC. El valor de la corriente
de cortocircuito depende casi linealmente de la irradiancia solar, es decir, del número de
vatios de radiación solar que inciden sobre la superficie de la célula.
La situación opuesta se produce cuando la célula se mantiene bajo la radiación solar en
circuito abierto. La generación de cargas continúa produciéndose, que son separadas por el
campo eléctrico de la unión pn y se acumulan en las regiones p y n respectivamente. Esta
diferencia de potenciales eléctricos entre las dos caras de la célula se manifiesta como un
potencial medible con un voltímetro. Otra forma de interpretarlo es que como la corriente neta
es cero, la unión pn tiene que compensar la corriente fotogenerada con una corriente de igual
valor y sentido opuesto, por lo que se autopolariza. Este valor de tensión se denomina tensión
de circuito abierto, VOC, y es característico de cada material semiconductor: cuando la
irradiancia es nula, también el voltaje es cero, pero en cuanto ésta crece, la tensión de circuito
abierto alcanza un valor constante y muy poco dependiente de la irradiación; no así de la
temperatura como se verá más adelante. En el caso de las células de silicio oscila entre 0,55 y
0,60 V. Cuanto mejor es la calidad del cristal, más elevada es la tensión de circuito abierto.
Este parámetro es inversamente proporcional al número de recombinaciones, y éstas se ven
favorecidas con los defectos de la red cristalina.

1.3 Curva característica voltaje-corriente

El valor del voltaje sobre una resistencia externa, ver figura #, depende del valor óhmico de
ésta y del nivel de irradiancia, su valor máximo está limitado por VOC. Para analizar el
comportamiento partimos del principio de superposición. En consecuencia, podemos expresar
la corriente que circula por la resistencia como la suma de la corriente fotogenerada y de la
corriente que circula por la unión pn a consecuencia de la polarización de ésta por la caída de
voltaje que produce el paso de la corriente externa por la resistencia –se la denomina corriente
de diodo, ID porque es el único dispositivo electrónico que incorpora una única unión pn—.
Un modelo circuital equivalente al comportamiento descrito se muestra en la Figura 4a. En el
que la corriente fotogenerada se representa como una fuente de corriente constante y el efecto
de la unión pn mediante un diodo.

(a) (b)

Figura 4. Circuito equivalente de una célula solar: a) ideal, b) real

En definitiva, responde a la ecuación:

I  I L  I D (V ) (1)
Esta forma de representación adopta como positivas las corrientes de generación (que es el
contrario al habitualmente utilizado en los circuitos electrónicos que utilizan diodos). Con este
convenio, el primer cuadrante del plano VI corresponde al funcionamiento de la célula entregando
corriente a una carga bajo tensión positiva (como generador de energía). La corriente de diodo
puede calcularse mediante la ecuación de Shockley:
  qV  
I D (V )  I 0  exp    1 (2)
  mKT  
donde IO es la corriente de oscuridad, K la constante de Boltzman, T la temperatura en grados
Kelvin, y m el factor de idealidad, un parámetro que oscila entre 1 y 2. Cuando el voltaje a la
salida es cero, la corriente de la célula coincide con la corriente fotogenerada que a su vez es
la corriente de cortocircuito, ISC, forma en la que se expresa usualmente.
En la Figura 4b se muestra un circuito equivalente que incluye dos resistencias serie y
paralelo. La resistencia serie representa el comportamiento resistivo del silicio al paso de la
corriente. Está muy relacionada con la separación entre los dedos de la metalización. Su
incorporación en el modelo analítico es imprescindible a diferencia de la resistencia paralelo,
que representa corrientes de fugas, como las corrientes laterales, para caracterizar
adecuadamente el comportamiento de la célula. La expresión completa queda de la siguiente
forma:
  qV   V  IRS
I  I SC  I 0  exp    1  (3)
  mKT   RP
Como puede observarse es una expresión implícita y de difícil manipulación. Una
simplificación interesante se obtiene al considerar la resistencia paralelo infinita, que
exp  qV  >>1 en la zona de trabajo de interés y que el valor de V puede obtenerse de
OC
 mKT 
la ecuación 1 si se particulariza para I=0:
 KT  I L 
VOC  m ln   1 (5)
q  I0 
Aplicando estas suposiciones se obtiene la siguiente expresión:
  V  VOC  IRS 
I  I SC 1  exp   (6)
  VT 
que tiene la ventaja de que depende de parámetros conocidos de la célula o fácilmente
calculables si se mide un punto de la característica como es el caso de la resistencia serie. Sin
embargo, continúa siendo una función implícita por lo que su uso se restringe a aplicaciones
informáticas desarrolladas para el diseño de sistemas fotovoltaicos. En la práctica de la
Ingeniería de los Sistemas Fotovoltaicos se recurre con mucha frecuencia a modelos
simplificados a partir de la forma de la curva característica tensión corriente de la célula solar.
En la figura puede verse la curva VI de una célula solar con algunos de los parámetros
característicos. Además de los mencionados previamente se indica el punto (VM , IM) que es el
punto de trabajo en el que se extrae la máxima potencia eléctrica de la célula solar, PM.

I(A)

ISC (VM , IM)

Rectángulo de área = PM

VOC V(V)
Figura 5. Curva característica tension-corriente de una célula solar

La curva característica de la célula solar se mide en unas condiciones de iluminación y

temperatura determinadas que se denominan condiciones estándar de medida, de uso universal,
y definidas de la siguiente forma:
 Irradiancia (G*) 100 mW/cm2 (1 kW/m2).
 Distribución espectral AM 1,5
 Incidencia normal
 Temperatura de la célula (Tc*) 25 ºC
En estas condiciones se miden, al menos, la potencia máxima que puede entregar el módulo,
PM*a, la corriente de cortocircuito, ISC* y el voltaje de circuito abierto, VOC*. El asterisco

a
La potencia que entrega la célula en estas condiciones también se denomina potencia pico y se le añade una
letra p minúscula a la unidad de potencia eléctrica (Wp)
señala que los parámetros corresponden con los medidos en condiciones estándar. También es
habitual incluir en el listado de parámetros de la célula el factor de forma, FF:
I M  VM
FF  (7)
I SC  VOC
Su denominación procede de que indica cómo de cuadrada es la curva característica, lo que
está relacionado con la calidad de la célula.
Por último, la eficiencia de conversión, η, indica cual es el rendimiento de la célula solar en
la transformación de la radiación solar en electricidad. Se define como:
I M  VM FF  I SC  VOC
  (8)
PL PL
donde PL es la potencia luminosa incidente sobre la célula. Aunque no es frecuente que se
indique en los catálogos de células o módulos es un valor muy utilizado en la comparación de
tecnologías energéticas.

Tabla 1 Ejemplo de valores orientativos de los parámetros característicos de una célula solar
comercial de silicio monocristalino
Valores orientativos (condiciones estándar)

ISC ≈ 3 A (100 cm2) IM ≈ 0.95 ISC

VOC ≈ 0.6 V VM ≈ 0.80 VOC

FF ≈ 0.76 PM ≈ 1.4 Wp

η ≈ 14%

Un modelo de célula que puede resultar muy útil para el diseño de módulos o para la
estimación del tamaño de un generador fotovoltaico cuando se extiende hasta el módulo
consiste en reducir la curva exponencial a dos rectas, como se aprecia en la figura.

I(A)

ISC (VM , IM)

-1/RP

-1/RS

VOC V(V)
Figura 6. Simplificación de la curva VI mediante dos rectas
Que pueden expresarse mediante:
VOC  V 
I ; V  VM 
RS
 (9)
I  I SC  V ; V  VM 
RP 
Todavía se puede simplificar más si se considera que la célula se comporta como una fuente
de corriente para valores de voltaje inferiores al del punto de máxima potencia, es decir, I = IM
para V < VM.

1.3.1 Dependencia con la irradiancia y la temperatura

Las condiciones estándar de medida determinan el valor de los parámetros de la célula en

ciertas condiciones de irradiancia y de temperatura que, por cierto, rara vez coinciden
simultáneamente.
Las variaciones de irradiancia pueden interpretarse como una variación en el número de
fotones por unidad de superficie. En consecuencia, afectan directamente a la corriente
fotogenerada. El comportamiento puede considerarse lineal para valores por encima de los
100 W/m2 de forma que el nuevo valor de la corriente de cortocircuito puede obtenerse
mediante:

I SC G   SC  G
I
(10)
G
Sin embargo, para que las variaciones de irradiancia modifiquen el valor del voltaje de
circuito abierto es necesario que el flujo de fotones sea muy superior al que se recibe
directamente del sol. Sólo cuando se utilizan mecanismos ópticos de concentración de la
radiación se producen variaciones significativas sobre este parámetro y aún así la dependencia
es con el logaritmo del nivel de concentración expresado en soles (1 sol ≡ G* = 1000 W/m2).
En las células sobre las que no se concentra la radiación puede considerarse que el voltaje de
circuito abierto, siempre que se mantenga constante la temperatura, es independiente de la
irradiancia.
El efecto de incrementar la temperatura sobre los procesos de generación es que los electrones
requieren menos energía para liberarse del enlace. En consecuencia, algunos de los fotones
que no tenían energía suficiente para romper un enlace ahora sí la tienen. Sin embargo, este
efecto solo es notorio ante grandes variaciones de temperatura por lo que dentro del rango de
temperaturas de trabajo usuales cuando no hay concentración óptica afecta muy poco a la
fotocorriente. La ISC puede considerarse independiente de la temperatura en primera
aproximación. Sí afecta, sin embargo a la tensión de circuito abierto, que disminuye a medida
que aumenta la temperatura debido a la disminución en el salto energético entre los electrones
libres y los enlazados:


VOC TC   VOC    TC  TC

 (11)
donde TC es la temperatura de la célula. En el caso del silicio el coeficiente de temperatura, β,
es de -2,3 mV/ºC.
Volviendo a la influencia de la irradiancia sobre el voltaje de circuito abierto, hay que notar
que en el uso habitual de las células la temperatura de trabajo no está controlada, sino que
depende del nivel de irradiancia además de la temperatura ambiente. Los fotones con menor
energía de la necesaria para la generación calientan el cristal, del mismo modo que el exceso
de energía de parte de los fotones. Así habrá que considerar el efecto de la irradiancia sobre la
temperatura de la célula para estimar la variación que induce sobre el voltaje de circuito
abierto.

1.4 De la célula al módulo

Como se comprueba en la Tabla 1 los parámetros eléctricos de las células, en especial el valor
de voltaje, requieren utilizarlas asociadas en serie para conseguir las tensiones de trabajo
adecuadas para su uso en sistemas de generación eléctrica, que pueden oscilar desde las
unidades hasta las centenas de voltios, así como asociadas en paralelo hasta alcanzar la
potencia deseada del generador. Además, las células solares son muy frágiles.
El módulo es la unidad constructiva mínima para la realización de un sistema fotovoltaico. Su
función es alcanzar determinados valores de voltaje y corriente y garantizar el funcionamiento
fiable y prolongado de las células solares que lo componen. Para ello las células están
interconectadas en serie y/o paralelo y encapsuladas entre dos superficies que hacen
impermeable el módulo, como puede observarse en la Figura 3. La cubierta superior es de
vidrio templado de alta transmisividad, mientras que la inferior puede ser de material plástico
(tedlar) o de vidrio también; esta posibilidad es cada día mas frecuente, a consecuencia del
uso del módulo como elemento constructivo en edificios. En ocasiones, un marco metálico
confiere rigidez al conjunto y permite una adecuada sujeción del módulo. Los módulos
destinados a integración arquitectónica no suelen incluirlo. Por última, en el dorso lleva una
caja de conexiones con las bornas de salida que permiten la conexión eléctrica del panel y la
conexión de elementos de seguridad tales como los diodos de derivación de los que se hablará
más adelante.

Figura 3. Representación de la sección de un modulo solar

Existe una gran variedad de módulos en el mercado, que ofrecen una gran variedad de
potencias y tensiones de salida. El más característico está constituido por un conjunto de
células solares de silicio cristalino, todas de igual tamaño, asociadas en serie y encapsuladas
entre una lámina de vidrio y otra de tedlar que cubre su cara posterior. La superficie del
módulo varía entre 0,1 y más de 6 m2. El tiempo de vida medio de los paneles es superior a 20
años en condiciones normales de operación. De hecho es el elemento más fiable de todo el
sistema fotovoltaico; esto se debe, en gran medida, a que se ha desarrollado un completo
conjunto de estándares internacionales para garantizar su fiabilidad, mientras que el resto de
elementos aún no ha culminado un proceso similar.
1.4.1 Comportamiento eléctrico

El comportamiento eléctrico de un módulo fotovoltaico, es decir, su característica IV, es

acorde con el hecho de que está constituido por combinaciones serie-paralelo de células
solares. En la figura puede verse la curva IV de un módulo compuesto por 36 células en serie.

Figura 4 Curva IV de un módulo fotovoltaico

Un módulo que tiene NP ramas en paralelo, cada una de ellas con NS células en serie tiene los
siguientes parámetros característicos, si se supone que todas las células son iguales:
ISCM = NPISC IMM = NPIM
VOCM = NSVOC VMM = NSVM
PMM = NSNPPM
Al igual que en el caso de las células, las características del modulo se determinan en
condiciones estándar de medida (ver apartado 1.3). La caracterización del módulo se completa
con la medida de la Temperatura de Operación Nominal de la Célula (TONC), definida como
la temperatura que alcanzan las células solares, ya encapsuladas, cuando se somete al módulo
a las siguientes condiciones de operación:
 Irradiancia 800 W/m2
 Distribución espectral AM 1,5
 Incidencia normal
 Temperatura ambiente 20 ºC
 Velocidad del viento >1 m/s
Este parámetro, TNOC, permite calcular la temperatura de célula mediante:
TNOC  20º C
TC  G  Ta
800 W/m 2
A partir de este valor, de la relación de la temperatura de la célula con el valor del voltaje de
circuito abierto y del valor de la irradiancia que incide en el módulo se puede obtener la curva
IV en cualquier condición de trabajo. El interés de estas ecuaciones se centra en la posibilidad
de modelar el comportamiento de los generadores fotovoltaicos en función de la irradiancia y
la temperatura para analizar muy diversas cuestiones de diseño como: voltajes de trabajo de
los convertidores CC/CA, producción eléctrica o equipos de seguridad.
1.4.2 Interconexión de módulos

Los cálculos descritos en los anteriores apartados están basados en la presunción de que todas
las células y módulos de un generador fotovoltaico son iguales, y trabajan en las mismas
condiciones de operación. La realidad difiere de esta hipótesis.
Por una parte, las células y módulos nunca son idénticos debido a la natural dispersión de
parámetros, propia de cualquier proceso de fabricación, en especial en la tecnología de
dispositivos electrónicos. En este caso, la potencia máxima que puede entregar el generador es
inferior a la suma de las potencias máximas de los módulos que lo constituyen. A este efecto
se le denomina pérdidas por dispersión. En la Figura 5 puede verse la distribución de un lote
de 1200 módulos obtenida a partir de datos medidos.

Densidad de probabilidad de la Potencia Nominal

140
-5%
120
120 Potencia media de catálogo
22 módulos < 50,35 Wp 53 Wp
101
96 Potencia media del suministro
Nº de módulos (1024 Total)

100 93
51,26 Wp
85

80
67
64 63
60 54
49 48

40
27
23 21 24 22
20
11 11
7 5 6
4 4 3 4 3 1 3 1
0 0 0 0 1 0 1 2 0 0 0 0
0
49,0 49,3 49,6 49,9 50,2 50,5 50,8 51,1 51,4 51,7 52,0 52,3 52,6 52,9 53,2 53,5 53,8 54,1 54,4 54,7

Potencia (Wp)

Figura 5. Distribución de la potencia de un lote de 1200 módulos, a partir de los datos suministrados
por el fabricante

Una forma de reducir las pérdidas de dispersión, relativamente sencilla de implementar,

consiste en clasificar todos los módulos destinados a un generador en diferentes categorías
establecidas en función del valor de Im, para construir, después, cada rama en serie con
módulos pertenecientes a una sola categoría. La mayoría de fabricantes garantizan una
dispersión en potencia inferior al 5 % para un mismo modelo.
Por otro lado, pueden darse simultáneamente diferentes condiciones de operación dentro del
generador. Un ejemplo de esto es cuando determinada área del módulo, o de módulos en un
generador, está sombreada por un obstáculo, mientras que la otra recibe radiación directa del
sol. En estas circunstancias, la corriente fotogenerada por las células sombreadas es inferior a
las otras. Por lo que las ramas de células en serie que incluyen células sombreadas tienen
limitada su corriente por éstas. Hasta puede darse el caso de que algunas células se conviertan
en cargas y disipen la energía generada por las demás. Este fenómeno se conoce con el
nombre de punto caliente.

Figura 6. Curva IV de un módulo con una célula sombreada. En el segundo caso tiene un diodo de
derivación, y en el tercer caso tiene dos diodos, conectados entre los terminales y un punto central
Para disminuir el riesgo de que se produzca las situaciones de punto caliente, en las que la
temperatura que alcanza la célula sombreada puede alcanzar la temperatura de fusión del
encapsulante, se conectan los llamados diodos de derivación con grupos de células asociadas
en serie, y diodos de bloqueo en cada rama paralela del generador como se muestra en la
figura.

Figura 7 Diagrama de conexionado de un generador

fotovoltaico

Cuando una célula se sombrea y alcanza determinado voltaje inverso el diodo de derivación
correspondiente, conectado en paralelo con el módulo, entra en polarización directa por lo que
se establece un camino alternativo de corriente que evita alcanzar valores de potencia disipada
peligrosos para la integridad del módulo. El diodo de bloqueo, en serie con cada rama, evita
que diferencias en los valores de voltaje entre las ramas provoquen que algunas ramas
funcionen como carga de las demás, lo que disminuiría la producción eléctrica.
REFERENCIAS
1 Gerold W. Neudeck, The PN Junction Diode, Second Edition. MODULAR SERIES ON SOLID STATE
DEVICES, Addison–Wesley Publishing Company. 1990