Tiristores: Características y Aplicaciones
Tiristores: Características y Aplicaciones
Ingeniería Electrónica
1. Características y parámetros.
2. Recticador controlado de silicio (SCR).
3. TRIAC.
4. DIAC.
5. UJT.
6. Circuitos de descarga.
7. Control de fase.
8. Relevadores de estado sólido.
9. Aplicaciones en sistema mecatrónicos.
10. Control de un motor de c.a. polifásicos.
11. Módulos de potencia para control de motores.
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Tiristores
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Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de
estructura pnpn con tres uniones pn. Tiene tres terminales: ánodo,
cátodo y compuerta. El símbolo del tiristor y una sección recta de
tres uniones pn
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La compuerta de un SCR está conectada a la base de un
transistor interno, se necesitan al menos 0.7 V para disparar un
SCR.
Las hojas de datos indican esta tensión como tensión de
disparo, VGT .
Asi mismo indican la corriente de disparo, IGT .
Ejemplo, la hoja de caracteristicas de un C106D da una
tensión y una corriente de disparo de
VGT = 0,6 V
IGT = 15 µA
lo que signica que la fuente que alimenta la compuerta del
C106D tiene que proporcionar 15 µ A a 0.6 V para activar el
SCR.
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Tensión de entrada
Un SCR tiene una tensión de compuerta VG mayor que VGT , por lo tanto
el SCR conducirá y la tensión de salida caerá desde +Vcc a un valor bajo.
La tensión de entrada que se necesita para disparar un SCR tiene que,ser
mayor que:
Vin = VGT + IGT RG (1)
VGT e IGT son la tensión y corriente de disparo necesarias para la
compuerta del dispositivo.
Cuando se tiene el valor de RG el cálculo de Vin , es directo. Si no se
satisface la ecuación , el SCR no se puede cerrar.
Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se puede llevar a cabo
mediante una de las siguientes formas
1. Térmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habrá un aumento en el
número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las corrientes de fuga. Este
tipo de activación puede causar una fuga térmica que por lo general se evita.
2. Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarán los
pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La activación de tiristores por
luz se logra al permitir que ésta llegue a los discos de silicio.
3. Alto voltaje. Si el voltaje directo ánodo cátodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo, uirá una corriente de fuga suciente para iniciar una activación
regenerativa. Este ripo de activación puede resultar destructiva por lo que se
debe evitar.
4. dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente
de carga de las uniones capacitivas puede ser suciente para activar el tiristor.
Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor; por lo que el
dispositivo debe protegerse contra dv /dt alto. Los fabricantes especican el
dv /dt máximo permisible de los tiristores.
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Se deben de tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseño de
un circuito de control de compuerta:
La señal de compuerta debe de eliminarse después de activarse
el tiristor. Una señal continua de compuerta aumentaría la
pérdida de potencia en la unión de la compuerta.
Mientras el tiristor esté con polarización inversa, no debe
haber señal de compuerta; de lo contrario, el tiristor puede
fallar debido a una corriente de fuga incrementada.
El ancho de pulso de la compuerta tG debe ser mayor que el
tiempo requerido para que la corriente del ánodo se eleve al
valor de corriente de mantenimiento IH . En la práctica, el
ancho del pulso tG por lo general se diseña mayor que el
tiempo de activación ton del tiristor.
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Desactivación del Tiristor
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Problema
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Problema
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Protección contra dv /dt
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Implementando una red snubber, el voltaje a través del tiristor se elevará
en forma exponencial, como se muestra en la gura, y el circuito dv /dt
puede encontrarse aproximadamente a partir de
dv 0,632Vs 0,632Vs
= =
dt τ Rs Cs
El valor de la constante de tiempo de la red snubber τ se puede
determinar de la ecuación anterior a partir de un valor conocido dv /dt , y
proponiendo un valor de capacitor, por lo general 22nF .
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Es posible utilizar más de una resistencia para dv /dt , (R1 + R2 ) limita la
corriente de descarga, de modo que
dv 0,632Vs 0,632Vs
= =
dt τ (R1 + R2 )Cs
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Si Vcc es demasiado grande, el diodo zener conduce y aparece una tensión a
través de R.
Si esta tensión es mayor que la tensión de disparo del SCR (generalmente 0.7
V), el SCR se activará y conducirá.
La acción es similar a cortocircuitar los terminales de carga.
Debido a que el SCR entra en conducción muy rápido, la carga se protege
rápidamente contra daños ocasionados por una gran sobretensión. La
sobretensión que dispara el SCR es:
Vcc = Vz + VGT
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Circuitos de control de compuerta
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El propósito de R1 es el de mantener algún valor jo de resistencia en el
terminal en caso que R2 sea puesta en cero. Esto es necesario para
proteger la compuerta de sobrecorrientes.
R1 determina también el mínimo ángulo de disparo. En algunos casos se
inserta un diodo en serie con la puerta para proteger la unión
compuerta-cátodo.
Una desventaja de este circuito de disparo simple es que el ángulo de
disparo puede ajustarse solamente de 0◦ a 90◦ .
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La corriente de compuerta tiende a ser una onda senoidal en fase con el voltaje.
IG apenas si alcanza a IGT , la corriente de compuerta necesaria para activar el
SCR. Bajo esta circunstancia el SCR se activa a los 90◦ del ciclo. Por tanto,
ángulos de disparo mayores a 90◦ no son posibles con este circuito de control
de compuerta.
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ejercicio
21
ejercicio
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Retardos en el disparo usando capacitores
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Una red RC doble para el control de compuerta, el voltaje retardado de
C1 es utilizado para cargar C2 , resultando aún más retardo en la
formación del voltaje de compuerta.
Los capacitores estan en el rango de 0,01 a 1µF .
El mínimo ángulo de disparo, se determina por medio de las resistencias
R1 y R3 y el máximo ángulo de disparo, se determina por la magnitud de
la resistencia variable R2 .
La constante de tiempo RC de un circuito a 60 Hz debe estar en el rango
de 1 a 30 ms. Es decir el producto (R1 + R2 )C debe estar en el rango
1 × 10−3 a 30 × 10−3 lo mismo que R3 C2
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Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha
decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µF y C2 = 0,033µF .
Determine
R1 , R2 y R3 .
25
Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha
decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µF y C2 = 0,033µF .
Determine
R1 , R2 y R3 .
Solución: (R1 + R2 )C = 2 × 10−3 tiempo
mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 K Ω
25
Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha
decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µF y C2 = 0,033µF .
Determine
R1 , R2 y R3 .
Solución: (R1 + R2 )C = 2 × 10−3 tiempo
mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 K Ω
(R1 + R2 )C = 25 × 10−3 tiempo
máximo= (R2 + 29,4K Ω)(0,068µ) = 25 × 10−3 = 340 K Ω
25
Suponga que para el circuito de control de red doble y se ha
decidido utilizar los capacitores C1 = 0,068µF y C2 = 0,033µF .
Determine
R1 , R2 y R3 .
Solución: (R1 + R2 )C = 2 × 10−3 tiempo
mínimo= (R1 + 0)(0,068µ) = 2 × 10−3 = 29,4 K Ω
(R1 + R2 )C = 25 × 10−3 tiempo
máximo= (R2 + 29,4K Ω)(0,068µ) = 25 × 10−3 = 340 K Ω
R3 C2 debe ser cercana al menor valor del rango de ajuste
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El TRIAC
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Cuando el triac es bloqueado, no puede uir corriente entre
sus terminales principales independiente de la polaridad de la
fuente externa aplicada. Por tanto, el triac actúa como un
interruptor abierto.
Cuando el triac es llevado a conducción, presenta una
resistencia muy baja al paso de la corriente en el camino de un
terminal principal al otro, donde el sentido del ujo depende de
la polaridad de la fuente externa aplicada.
Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente uye de
MT2 a MT1. Cuando el voltaje es mas positivo en MT1, la
corriente uye de MT1 a MT2. En cualquier caso el triac
actúa como un interruptor cerrado.
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El triac esta conectado en serie con la carga al igual que un SCR.
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La forma de onda de la gura 1 muestra al triac en corte
durante los primeros 30◦ de cada semiciclo; durante estos 30◦
el triac esta actuando como un interruptor abierto.
Durante este tiempo la totalidad del voltaje de línea cae a
través de las terminales principales del triac y no se aplica
voltaje a la carga.
Entonces no hay ujo de corriente por el triac o por la carga.
La porción del semiciclo durante el cual existe esta situación se
denomina ángulo de disparo.
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Después de transcurridos los 30◦ , el triac conduce, y actúa
como un interruptor cerrado.
La porción del semiciclo durante la cual el triac está en
conducción se denomina ángulo de conducción.
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Características eléctricas de los triacs
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El voltaje de compuerta necesario para disparar el triac está
simbolizado por VGT .
La corriente de compuerta necesaria para el disparo está
simbolizada por IGT .
La mayoría de los triacs de mediana potencia tienen un VGT
del orden de 0.6 V a 2.0 V y una IGT de 0.1 a 20 mA.
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Cuando el triac está polarizado más positivo en MT1 (inversa
o polarización de terminal principal negativo).
El disparo generalmente se ejecuta enviando corriente de
compuerta al triac por el terminal MT1 y hacia afuera del triac
por el terminal G.
El voltaje de puerta será negativo con respecto a MT1.
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En la mayoría de los triacs, la IGT para polarización directa
será igual a la IGT de polarización inversa.
Un triac, al igual que un SCR, no requiere que continúe
circulando corriente de compuerta una vez que ha sido
activado.
El triac permanece en conducción hasta que cambie la
polaridad de sus terminales principales o hasta que la corriente
principal caiga por debajo de la corriente de mantenimiento
IHO .
La mayoría de los triacs de mediana potencia tienen una IHO
del orden de 100 mA o menos.
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Otras características eléctricas importantes las cuales se aplican a
los triacs son:
Valor rms de la máxima corriente principal permitida IT (rms) .
Voltaje de ruptura VDrom , es el voltaje máximo de pico
aplicado entre los terminales principales que puede bloquear el
triac en cualquier dirección.
Si el voltaje instantáneo aplicado entre los terminales MT2 y
MT1 excediera VDrom , el triac se rompe y comienza a dejar
circular corriente por los terminales principales.
Esto no daña el triac, pero signica una pérdida del control de
compuerta.
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Circuitos RC de control de puerta
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Durante el semiciclo negativo, C se carga con el negativo en su placa
superior y el voltaje a través del capacitor es lo suciente para entregar a
través de R3 la corriente necesaria de compuerta en la dirección inversa
para disparar el triac, el triac se activa.
La velocidad de carga del condensador C se ajusta por medio de la
resistencia R2 . Con una R2 grande, la velocidad de carga es lenta,
produciendo un ángulo de disparo grande y un promedio de corriente
pequeño.
Con una R2 pequeña, la velocidad de carga es rápida, el ángulo de
disparo es pequeño, y la corriente de carga es grande.
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Al igual que los circuitos de disparo de los SCR, una red RC simple
no puede retardar el disparo del TRIAC muy por encima de 90◦ .
Para establecer un rango de ajuste amplio del ángulo de disparo, la
red RC doble, es generalmente la utilizada.
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Disparo por pulsos
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El diac
La curva del diac muestra que para voltajes aplicados en sentido directo
menores que el voltaje de ruptura directo +VB 0 el diac prácticamente no
permite el ujo de corriente
Una vez alcanzado el voltaje de ruptura directo, el diac conmuta a
conducción y la corriente aumenta rápidamente a la vez que el voltaje a
través de los terminales disminuye.
En la región de voltaje negativo. cuando el voltaje aplicado en sentido
inverso es menor que el voltaje inverso de ruptura −VB 0 eldiac no permite
ujo de corriente.
Cuando el voltaje aplicado alcanza −VB 0 , el diac conmuta a conducción
en la dirección opuesta.
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Los diacs se fabrican de manera que son relativamente estables
con temperatura y tienen una pequeña tolerancia en los
voltajes de ruptura.
El valor más popular de voltaje de ruptura para los diacs es 32
V (+VB 0 = +32V − VB 0 = −32V ).
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Circuito de disparo con diac
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Transistor monounion
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Disparo del UJT
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Funcionamiento del UJT
a. Cuando el voltaje entre emisor y base 1, VEB 1 < VP , el UJT está en corto, y no
puede uir corriente de E a B1 (IE = 0).
b. En el tiempo en el cual se carga el capacitor C a través de la resistencia R, dado
que el circuito emisor del UJT esta en estado abierto.
c. Cuando VEB 1 > VP en una pequeña cantidad, el UJT se dispara o CONDUCE.
El circuito E a B1 es prácticamente un cortocircuito, y la corriente uye
instantáneamente de un terminal a otro.
d. Y el capacitor se descarga a través de RB 1
En la mayoría de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de E a B1 es de
corta duración, y el UJT rápidamente regresa al estado de CORTE.
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Una fuente de externa está aplicada entre B2 y Bl , siendo B2
el terminal más positivo.
Como se indica, el voltaje entre los dos terminales de base se
simboliza por VBB .
Para un tipo dado de UJT, el voltaje de pico VP es un cierto
porcentaje jo del valor VBB , más 0, 7 V. Este porcentaje jo
se denomina la relación intrínseca entre contactos, o
simplemente la relación entre contactos, del UJT, y se
simboliza por η .
Por tanto, el voltaje de pico de un UJT puede escribirse como:
46
Ejercicio
47
Ejercicio
VEB 1 deberá ser mayor que 11.7 V para poder disparar el UJT.
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Hay una cierta resistencia interna que existe entre los terminales de base B2 y
B1 . Esta resistencia es del orden de 5 a 10 kΩ en la mayoría de los UJT y se
representa por rBB .
En la estructura física de un UJT, el terminal de emisor toca el cuerpo del UJT
en un sitio entre el terminal B2 y el terminal B1 .
Por consiguiente, se forma un divisor de voltaje, dado que rBB queda dividido en
dos partes, rB 2 y rB 1 .
El diodo en esta gura indica que el emisor es material tipo p, mientras que el
cuerpo del UJT es material tipo n.
Por tanto entre el terminal de emisor y el cuerpo del UJT se forma una unión pn.
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El condensador comenzará a cargarse a través de R.
Dado que el condensador está conectado entre E y B1 , cuando su voltaje alcance
11,7 V el UJT disparará (asumiendo η = 0,55 como en el problema anterior).
Esto permitirá que la carga almacenada en las placas de e E se descargue
rápidamente a través del UJT.
En la mayoría de las aplicaciones con UJT, este pulso de corriente de E a B1
representa la salida del circuito
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La forma de onda del voltaje de disparo VB 1 es idéntica a la
corriente de descarga del capacitor C1 . El voltaje de disparo VB 1
debe diseñarse lo sucientemente grande como para activar al SCR.
El período de oscilación, T, es totalmente independiente del voltaje
de alimentación Vs y está dado por
1 1
T = ≈ RC ln
f 1−η
donde el parámetro η se conoce como la relación intrínseca de
equilibrio. El valor de η está entre 0.51 y 0.82.
50
La resistencia R está limitada a un valor entre 3 kΩ y 3 MΩ.
Si la recta de carga no cae a la derecha del punto de pico, el
UJT no se activa. Esto es
Vs − Vp
R<
Ip
51
El rango recomendado de voltaje de alimentación Vs es de 10 a 35
V. Para valores jos de η , el voltaje pico Vp varía con el voltaje
entre las dos bases, VBB , Vp está dado por
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Por lo general, una resistencia RB 2 se conecta en serie con la base
dos, para compensar la reducción de Vp debida al aumento de la
temperatura, y para proteger al UJT de un posible desbocamiento
térmico. La resistencia RB 2 tiene un valor de 100 Ω o mayor, y se
puede determinar en forma aproximada a partir de
104
RB 2 =
ηVs
53
Ejemplo
54
Ejemplo
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Transistor Monounión Programable
donde RG = R1 +R2 .
R1 R2
R1 y R2 se pueden determinar a partir de
RG
R1 =
η
RG
R2 =
1−η
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Ejemplo
58
Ejemplo
58