Electrónica de potencia

Ingeniería Electrónica

Dr. Antonio Navarrete Guzmán

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Contenido de la presentación

1 Unidad 1. Semiconductores de potencia.

2 Semiconductores de potencia
Diodos semiconductores de potencia

2
Unidad 1. Semiconductores de potencia.

1. Diodos de potencia.
1 Características y parámetros.
2 Recticadores monofásicos y polifásicos
3 Aplicaciones industriales.
4 Alimentación de motores de c.c.
2. Transistores de potencia.
1 Tipos de transistores Bipolar (BJT).
2 Metal Oxido de Silicio (MOS).
3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT).
4 Características y parámetros.
3. Aplicaciones en máquinas eléctricas.
1 Arranque y paro de un motor de [Link] un IGBT.
2 Control de velocidad de motores de c.c.
4. Circuitos de control híbridos (Electrónicos-electromecánicos).

3
4
Las aplicaciones de electrónica de potencia en sistemas de servicios
públicos están creciendo muy rápidamente y prometen cambiar el
panorama de futuros sistemas de energía en términos de
generación, operación y control.
La electrónica de potencia se describe brevemente junto con el
papel de electrónica de potencia como interfaz, y luego la
electrónica de potencia los sistemas se discuten en detalle
apropiado para cumplir con estos roles.

Mohan, N., Jain, A. K., Jose, P., & Ayyanar, R. (2004). Teaching Utility Applications
of Power Electronics in a First Course on Power Systems. IEEE Transactions on Power
Systems, 19(1), 4047. doi:10.1109/tpwrs.2003.821021

5
 Competencia 1:
Conoce y comprende los diferentes semiconductores de potencia
para recticar señales alternas y utilizarlas en forma recticada en
motores eléctricos de corriente directa y dispositivos de estado
sólido.

6
La electrónica de potencia a revolucionado la idea del control para
la conversión de potencia y para el control de motores eléctricos,
combinando la energía, la electrónica y el control.

7
La electrónica de potencia a revolucionado la idea del control para
la conversión de potencia y para el control de motores eléctricos,
combinando la energía, la electrónica y el control.
El control se encarga del régimen permanente y de las
características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado.

7
La electrónica de potencia a revolucionado la idea del control para
la conversión de potencia y para el control de motores eléctricos,
combinando la energía, la electrónica y el control.
El control se encarga del régimen permanente y de las
características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y
rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica.

7
La electrónica de potencia a revolucionado la idea del control para
la conversión de potencia y para el control de motores eléctricos,
combinando la energía, la electrónica y el control.
El control se encarga del régimen permanente y de las
características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y
rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica.
La electrónica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado
sólido requeridos en el procesamiento de señales para cumplir con
los objetivos de control deseados.

7
La electrónica de potencia a revolucionado la idea del control para
la conversión de potencia y para el control de motores eléctricos,
combinando la energía, la electrónica y el control.
El control se encarga del régimen permanente y de las
características dinámicas de los sistemas de lazo cerrado.
La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y
rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de
energía eléctrica.
La electrónica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado
sólido requeridos en el procesamiento de señales para cumplir con
los objetivos de control deseados.
La electrónica de potencia se puede denir como la aplicación de la
electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la
energía eléctrica.
7
Características de control de los dispositivos de potencia
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar
como interruptores mediante la aplicación de señales de
control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base
de los transistores bipolares). La salida requerida se obtiene
mediante la variación del tiempo de conducción de estos
dispositivos de conmutación.

8
Características de control de los dispositivos de potencia
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar
como interruptores mediante la aplicación de señales de
control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base
de los transistores bipolares). La salida requerida se obtiene
mediante la variación del tiempo de conducción de estos
dispositivos de conmutación.
Una vez que un tiristor está en modo de conducción, la señal
de la compuerta ya sea positiva o negativa no tiene efecto.

8
Características de control de los dispositivos de potencia
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar
como interruptores mediante la aplicación de señales de
control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base
de los transistores bipolares). La salida requerida se obtiene
mediante la variación del tiempo de conducción de estos
dispositivos de conmutación.
Una vez que un tiristor está en modo de conducción, la señal
de la compuerta ya sea positiva o negativa no tiene efecto.
Cuando un dispositivo semiconductor de potencia está en
modo de conducción normal, existe una pequeña caída de
voltaje a través del mismo, estas caídas de voltaje se
consideran despreciables y, a menos que se especique lo
contrario.
8
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).

9
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).

9
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).

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Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).
4. Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT,
SIT).

9
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).
4. Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT,
SIT).
5. Requisito de pulso en la compuerta(SCR,GTO, SITH, MCT).

9
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).
4. Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT,
SIT).
5. Requisito de pulso en la compuerta(SCR,GTO, SITH, MCT).
6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO).

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Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).
4. Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT,
SIT).
5. Requisito de pulso en la compuerta(SCR,GTO, SITH, MCT).
6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO).
7. Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO,
IGBT,MCT).

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Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).
4. Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT,
SIT).
5. Requisito de pulso en la compuerta(SCR,GTO, SITH, MCT).
6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO).
7. Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO,
IGBT,MCT).
8. Capacidad de corriente bidireccional(TRIAC,RCT).

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Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden clasicar a partir de:
1. Activación y desactivación sin control (por ejemplo diodo).
2. Activación controlada y desactivación sin control (SCR).
3. Características de activación y desactivación controladas (BJT,
MOSFET,GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT).
4. Requisito de señal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT,
SIT).
5. Requisito de pulso en la compuerta(SCR,GTO, SITH, MCT).
6. Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO).
7. Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO,
IGBT,MCT).
8. Capacidad de corriente bidireccional(TRIAC,RCT).
9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR,GTO, BJT,
MOSFET,MCT,IGBT,SIT,diodo)

9
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de
la misma, es necesario convertir la potencia de una forma u otra,
las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos
llevan a cabo estas funciones de conversión de potencia. Un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasicar en seis
tipos:
1. Recticadores de diodos.

10
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de
la misma, es necesario convertir la potencia de una forma u otra,
las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos
llevan a cabo estas funciones de conversión de potencia. Un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasicar en seis
tipos:
1. Recticadores de diodos.
2. Convertidores ca-cd (recticadores controlados).

10
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de
la misma, es necesario convertir la potencia de una forma u otra,
las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos
llevan a cabo estas funciones de conversión de potencia. Un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasicar en seis
tipos:
1. Recticadores de diodos.
2. Convertidores ca-cd (recticadores controlados).
3. Convertidores ca-ca (controladores de voltaje de ca).

10
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de
la misma, es necesario convertir la potencia de una forma u otra,
las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos
llevan a cabo estas funciones de conversión de potencia. Un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasicar en seis
tipos:
1. Recticadores de diodos.
2. Convertidores ca-cd (recticadores controlados).
3. Convertidores ca-ca (controladores de voltaje de ca).
4. Convertidores cd-cd (pulsadores de cd).

10
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de
la misma, es necesario convertir la potencia de una forma u otra,
las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos
llevan a cabo estas funciones de conversión de potencia. Un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasicar en seis
tipos:
1. Recticadores de diodos.
2. Convertidores ca-cd (recticadores controlados).
3. Convertidores ca-ca (controladores de voltaje de ca).
4. Convertidores cd-cd (pulsadores de cd).
5. Convertidores cd-ca (inversores)

10
Tipos de circuitos electrónicos de potencia.
Para el control de la potencia eléctrica o del acondicionamiento de
la misma, es necesario convertir la potencia de una forma u otra,
las características de interrupción de los dispositivos de potencia
permiten dicha conversión. Los convertidores de potencia estáticos
llevan a cabo estas funciones de conversión de potencia. Un
convertidor se puede considerar como una matriz de conmutación.
Los circuitos electrónicos de potencia se pueden clasicar en seis
tipos:
1. Recticadores de diodos.
2. Convertidores ca-cd (recticadores controlados).
3. Convertidores ca-ca (controladores de voltaje de ca).
4. Convertidores cd-cd (pulsadores de cd).
5. Convertidores cd-ca (inversores)
6. Interruptores estáticos.
10
La selección de un dispositivo en particular dependerá del voltaje, la
corriente y los requisitos de velocidad del convertidor.
Recticadores. Un circuito recticador por diodos convierte
el voltaje de ca en un voltaje jo de cd. El voltaje de entrada
al recticador puede ser monofásico o trifásico.

(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda de voltaje

11
Convertidores ca-cd. Un convertidor monofásico con dos
tiristores de conmutación. El valor promedio del voltaje de
salida se puede controlar variando el tiempo de conducción de
los tiristores o el ángulo de retraso de disparo, α. La entrada
puede ser una fuente mono o trifásica. Estos convertidores
también se conocen como recticadores controlados

(c) Diagrama de circuito (d) Formas de onda de voltaje

12
Convertidores ca-ca. Estos convertidores se utilizan para
obtener un voltaje de salida de corriente alterna variable a
partir de una fuente de corriente alterna ja. El voltaje de
salida se controla mediante la variaci

ón del tiempo de
conducción de un TRIAC o el ángulo de retraso de dispari. α.
Estos tipos de convertidores también se conocen como
controladores de voltaje de ca.

(e) Diagrama de circuito (f) Formas de onda de voltaje

13
Convertidores cd-cd. Un convertidor cd-cd también se
conoce como un pulsador o un regulador de conmutación. El
voltaje promedio de salida se controla mediante la variación del
tiempo de conducción t, del transistor Q1 . Si T es el periodo
de corte, entonces t1 = δT , δ se conoce como el ciclo de
trabajo del pulsador.

(g) Diagrama de circuito (h) Formas de onda de voltaje

14
Convertidores cd-ca. Un convertidor de cd a ca también conocido como
un inversor. Un inversor monofásico de transistor. Si los transistores M1 y
M2 conducen durante medio periodo, y M3 y M4 conducen durante la otra
mitad, el voltaje de salida tiene una forma alterna. El voltaje de salida
puede ser controlado variando el tiempo de conducción de los transistores

(i) (j)

15
Interruptores estáticos. Dado que los dispositivos de
potencia pueden ser operados como interruptores estáticos o
contactores, la alimentación a estos interruptores puede ser de
ca o cd y se conocen como interruptores estáticos de ca o
interruptores de cd.

16
Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel
signicativo en los circuitos de potencia. Un diodo funciona
como un interruptor, a n de llevar a cabo varias funciones.

17
Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel
signicativo en los circuitos de potencia. Un diodo funciona
como un interruptor, a n de llevar a cabo varias funciones.
Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que
los diodos de potencia son interruptores ideales, pero los
diodos prácticos o reales dieren de las características ideales y
tienen ciertas limitaciones.

17
Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel
signicativo en los circuitos de potencia. Un diodo funciona
como un interruptor, a n de llevar a cabo varias funciones.
Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que
los diodos de potencia son interruptores ideales, pero los
diodos prácticos o reales dieren de las características ideales y
tienen ciertas limitaciones.
Los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el
manejo de la energía, el voltaje y la corriente, que los diodos de
señal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de
conmutación) es baja en comparación con los diodos de señal.

17
Características de los diodos
Un diodo de potencia es un dispositivo de unión pn de dos
terminales. En la Figura 1 aparece un corte transversal de una
unión pn y un símbolo de diodo.

(k) Unión pn (l) Símbolo de diodo

Figura 1: Símbolo de diodo y unión pn.

Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al

cátodo, se dice que el diodo tiene polarización directa o
positiva y el diodo conduce.
18
Un diodo en conducción tiene una caída de voltaje directa
relativamente pequeña a través de sí mismo; la magnitud de
esta caída de voltaje depende del proceso de manufactura y de
la temperatura de la unión.
Cuando el potencial del cátodo es positivo con respecto al
ánodo, se dice que el diodo tiene polarización inversa.
En esta polarización uye una pequeña corriente inversa
(corriente de fuga) en el rango de los micros o de los
miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en función del
voltaje inverso hasta llegar al voltaje de avalancha o zener.

19
Las características v − i , se pueden expresar mediante una ecuación conocida
como la ecuación Schockley de diodo, y está dada por

ID = Is (e Vd /nVT − 1) (1)

(a) Práctica o real (b) Ideal

donde
ID = corriente a través del diodo. [A]
VD = voltaje del diodo con el ánodo positivo con respecto al cátodo. [V]
Is = corriente de fuga (o corriente de saturación inversa), típicamente en
el rango entre 10−6 y 10−15 . [A]
n = constante empírica conocida como coeciente de emisión o factor de
idealidad, cuyo valor varía de 1 a 2.

20
El coeciente de emisión n depende del material y de la
construcción física del diodo.
Los diodos de germanio, n se considera igual a 1.
Los diodos de silicio, n ideal se considera igual a 2, pero en la
mayor parte de los diodos de silicio reales, el valor de n cae
entre 1.1 y 1.8.

21
En la ecuación (1), VT es una constante llamada voltaje
térmico y esta dada por
kT
VT = (2)
q

donde
q = carga del electrón: 1,6022 × 10−19 culombios [C]
T = temperatura absoluta en Kelvins [K=273+◦ C]
k = constante de Boltzmann: 1,3806 × 10−23 [J/K]
A una temperatura de unión de 25◦ C, la ecuación (22) da

kT (1,3806 × 10−23 ) × (273 + 25)

VT = = ≈ 25,8mV
q 1,6022 × 10−19

A una temperatura especicada, la corriente de fuga Is es una

constante para un diodo dado.

22
El diodo semiconductor se puede dividir en tres regiones:
Región de polarización directa, donde VD > 0.
Región de polarización inversa, donde VD < 0.
Región de ruptura, donde VD < −Vzk
Región de polarización directa. La corriente del diodo ID es
muy pequeña si el voltaje del diodo VD es menos que un valor
especíco VTD (típicamente 0.7 V). La ecuación de Schockley
se puede aproximar (debido a VD > 0)

ID ∼
= Is (e VD /nVT )

23
Región de polarización inversa. En la región de polarizaci
ón
inversa, Vd < 0. Si VD es negativo y |VD | >> VT , el término
de la exponencial de la ecuación de Schockley se vuelve
despreciablemente pequeño en comparación con la unidad, y la
corriente del diodo ID se vuelve

ID = −Is

lo que indica que la corriente del diodo ID en la dirección

inversa es constante y es igual a Is .

24
Región de ruptura. En la región de ruptura, el voltaje inverso
es alto, por lo general mayor que 1000 V. La magnitud del
voltaje inverso excede un voltaje especicado conocido como
voltaje de ruptura, VBR . La corriente inversa aumenta
rápidamente con un pequeño cambio en el voltaje inverso más
allá de VBR . La operación en la región de ruptura no será
desctructiva, siempre y cuando la disipación de la potencia
esté dentro del nivel seguro especicado en la hoja de datos
del fabricante. A menudo es necesario limitar la corriente
inversa en la región de la ruptura, a n de mantener la
disipación de la energía dentro de valores permisibles.

25
Ejemplo

La caída de voltaje directa de un diodo de potencia es

VD = 1,2 V a ID = 300 A. Suponiendo que n = 2 y
VT = 25,8 mV , encuentre la corriente de saturación Is .

26
Ejemplo

La caída de voltaje directa de un diodo de potencia es

VD = 1,2 V a ID = 300 A. Suponiendo que n = 2 y
VT = 25,8 mV , encuentre la corriente de saturación Is .
Solución: Aplicando la ecuación de Schockley, podemos
encontrar la corriente de fuga (o corriente de saturación) Is , a
partir de
−3
300 = Is e 1,2/(2×25,8×10 ) − 1
h i
(3)
300
Is = = 2,384 × 10−8 (4)
12585534721,4

26
El tiempo de recuperación inversa trr , puede denirse como el intervalo de
tiempo entre el instante en que la corriente pasa a través del cero,
durante el cambio de la conducción directa a la condición de bloqueo
inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20 %
de su valor inverso pico IRR .
La carga de recuperación inversa QRR es la cantidad de portadores de
carga que uyen a través del diodo en dirección inversa debido a un
cambio de la conducción directa a la condición de bloqueo inverso. su
valor queda determinado por el área encerrada por la trayectoria de la
corriente de recuperación inversa. La carga de almacenamiento, que es el
área envuelta por la trayectoria de la corriente de recuperación, es
aproximadamente
1 di 2 2QRR di
QRR ≈ t o bien IRR ≈ = ta
2 dt rr trr dt
como trr = ta + tb , el factor de suavidad SF se obtiene tb /ta , si tb = 0 y
ta ≈ trr entonces
s
2QRR
r
di
trr ∼
= y IRR = 2QRR
di/dt dt
27
Si un diodo está en una condición de polarización inversa, uye una corriente de fuga
debida a los portadores minoritarios.
La aplicación de un voltaje directo obligaría al diodo a conducir la corriente en la
dirección directa.
Y se requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de recuperación directa (o
de activación). antes de que los portadores mayoritarios de toda la unión puedan
contribuir al ujo de corriente. Si la velocidad de elevación de la corriente directa es
alta, y la corriente directa es alta y la corriente directa está concentrada en una
pequeña supercie de la unión, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de
recuperación directo limita la velocidad de elevación de la corriente directa y la
velocidad de conmutación.
28
Ejemplo

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3 µs y

la velocidad del decremento o de la reducción de la corriente
del diodo es di/dt = 30 A/µs . Determine (a) la carga de
almacenamiento QRR y (b) la corriente inversa pico IRR .

29
Ejemplo

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3 µs y

la velocidad del decremento o de la reducción de la corriente
del diodo es di/dt = 30 A/µs . Determine (a) la carga de
almacenamiento QRR y (b) la corriente inversa pico IRR .
Solución trr = 3µs y di/dt = 30 A/µs .

29
Ejemplo

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3 µs y

la velocidad del decremento o de la reducción de la corriente
del diodo es di/dt = 30 A/µs . Determine (a) la carga de
almacenamiento QRR y (b) la corriente inversa pico IRR .
Solución trr = 3µs y di/dt = 30 A/µs .
a. QRR = 12 dt
di 2
trr = 0,5 × 30 A/µs × (3 × 10−6 )2 = 135 µC .

29
Ejemplo

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 3 µs y

la velocidad del decremento o de la reducción de la corriente
del diodo es di/dt = 30 A/µs . Determine (a) la carga de
almacenamiento QRR y (b) la corriente inversa pico IRR .
Solución trr = 3µs y di/dt = 30 A/µs .
a. QRR =q12 dt
di 2
trr = 0,5 × 30 A/µs × (3 × 10−6 )2 = 135 µC .
√
b. IRR = 2QRR dt
di
= 2 × 135 × 10−6 × 30 × 10−6 = 90 A

29
Tipos de diodos de potencia

Idealmente, un diodo no debería tener tiempo de recuperación inversa.

Dependiendo de las características de recuperaci
ón y de las técnicas de
fabricación, los diodos de potencia se pueden clasicar en tres categorías. Las
características y las limitaciones prácticas de cada uno de estos tipos restrigen
sus aplicaciones.
Diodos estándar o de uso general. Tienen un tiempo de recuperación inversa
relativamente alto, típicamente de 25µS , y se utilizan en aplicaciones de baja
velocidad.
Diodos de recuperación rápida. Tienen un tiempo de recuperación bajo, por lo
general menor que 5µS . Se utilizan en circuitos convertidores cdcd y cdca.
Diodos Schottky. La carga recuperada de un diodo Schotkky es mucho menor
que la de un diodo equivalente de unión pn. Dado que se debe sólo a la
capacitancia de la unión, básicamente es independiente de la di/dt inversa. Un
diodo Schotkky tiene una salida de voltaje relativamente baja. Son ideales en
fuentes de alimentación de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa.
Sin embargo, también se utilizan en fuentes de alimentación de baja corriente
para una eciencia mayor.

30
Efectos del tiempo de recuperación directa e inversa
La importancia de estos parámetros..

(c) Diagrama de circuito (d) Forma de onda

Si el interruptor SW , se cierra en t = 0 y se mantiene cerrado el tiempo

suciente, una corriente en régimen permantente I0 = Vs /R uirá a
través de la carga y el diodo en marcha libre Dm quedará con polarización
inversa.
31
1 Si el interruptor se desconecta en t = t1 , el diodo Dm
conducirá y la corriente de carga circulará a través de Dm .
2 Si el interruptor se conecta en t = t2 , el diodo Dm se
comporta como si estuviera en corto.
La velocidad de elevación de la corriente directa del interruptor
(y el diodo D1 ), y la velocidad de reducción de la corriente
directa en el diodo Dm serían muy altas, tendiendo al innito.
La corriente de pico inversa del diodo Dm podría ser muy alta,
y los diodos D1 y Dm podrían dañarse.

32
 (e) Diagrama de circuito (f) Forma de onda
Este problema por lo general se resuelve conectando un inductor limitante di/dt . Ls .
Los diodos reales o prácticos requieren de cierto tiempo de activación antes de que
toda la supercie de la unión se haga conductora, di/dt debe de mantenerse bajo,
para alcanzar el límite de tiempo de activación. Este tiempo a veces se conoce como
tiempo de recuperación directa trf . La velocidad de elevación de la corriente a través
del diodo D1 , que debería de ser la misma que la velocidad de reducción de la
corriente a través del diodo Dm , es
di Vs
=
dt Ls

33
Si trr es el tiempo de recuperación inversa de Dm , la corriente de
pico inversa de Dm es
di trr Vs
IRR = trr =
dt Ls
Y la corriente de pico a través del inductor Ls sería
trr Vs
Ip = I0 + IRR = I0 + trr
Ls
Cuando la corriente del inductor se convierte en Ip , el diodo Dm se
desconecta o desactiva repentinamente (supóniendo una
recuperación abrupta) y rompe la trayectoria del ujo de corriente.
La corriente no puede cambiar rápidamente de I0 a Ip .

34
Resumen

El tiempo de recuperación inversa juega un papel signicativo,

especialmente en aplicaciones de interrupción de alta
velocidad.
Si para aumentar la capacidad del voltaje de bloqueo los
diodos se conectan en serie.
Los diodos se conectan el paralelo, para aumentar la capacidad
de conducción de corriente.

35
Problemas

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es Trr = 5µ s y

la velocidad de reducción de la corriente del diodo es
di/dt = 80A/µ s . Si el factor de suavidad es SF = 0,5,
determine (a) la carga de almacenamiento QRR y (b) la
corriente inversa pico IRR

36
Problemas

El tiempo de recuperación inversa de un diodo es Trr = 5µ s y

la velocidad de reducción de la corriente del diodo es
di/dt = 80A/µ s . Si el factor de suavidad es SF = 0,5,
determine (a) la carga de almacenamiento QRR y (b) la
corriente inversa pico IRR
Solución. QRR = 12 dt
di 2
trr = 1mC por lo tanto
q
IRR = 2QRR dt = 400A
di

36
Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25◦ son VD = 1,0
V a ID = 50 A, VD = 1,5 V a ID = 600 A. Determine (a) el coeciente de
emisión n y (b) la corriente de fuga Is

37
Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25◦ son VD = 1,0
V a ID = 50 A, VD = 1,5 V a ID = 600 A. Determine (a) el coeciente de
emisión n y (b) la corriente de fuga Is
(1,3806−23 )(273+25)
Solución: VT = KT
q
= 1,6022−19 ≈ 25,678

37
Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25◦ son VD = 1,0
V a ID = 50 A, VD = 1,5 V a ID = 600 A. Determine (a) el coeciente de
emisión n y (b) la corriente de fuga Is
(1,3806−23 )(273+25)
Solución: VT = KT
q
= 1,6022−19 ≈ 25,678
VD
ID = Is e VD /nVT = Ln(ID ) = Ln(Is e VD /nVT ) = Ln(Is ) + Ln ( nV T
)

37
Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25◦ son VD = 1,0
V a ID = 50 A, VD = 1,5 V a ID = 600 A. Determine (a) el coeciente de
emisión n y (b) la corriente de fuga Is
(1,3806−23 )(273+25)
Solución: VT = KT
q
= 1,6022−19 ≈ 25,678
VD
ID = Is e VD /nVT = Ln(ID ) = Ln(Is e VD /nVT ) = Ln(Is ) + Ln ( nV T
)
VD = nVT Ln( IIDs ), La diferencia de voltajes en el diodo puede ser
expresado
 
ID 1 ID 2 ID 1 ID 2
V1 − V2 = nVT Ln( ) − nVT Ln( ) = nVT Ln( ) − Ln( )
Is Is Is Is
ID 1
!  
I ID 1
= nVT Ln I s == nVT Ln
D2 ID 2
Is

por lo tanto n = 7,99 y Is = 0,347

37
Dos diodos están conectados en paralelo, como se muestra en la gura 2,
con resistencias de repartición de corriente, en donde VD 1 = 1,1 V y
VD 2 = 1,95 V . La corriente total es IT = 200 A. El voltaje a través de un
diodo y su resistencia es v = 2,5 V. Determine los valores de las
resistencias R1 y R2 si la corriente se comparte de forma ideal entre
ambos diodos.

Figura 2: Diodos paralelo

38
Dos diodos están conectados en paralelo, como se muestra en la gura 2,
con resistencias de repartición de corriente, en donde VD 1 = 1,1 V y
VD 2 = 1,95 V . La corriente total es IT = 200 A. El voltaje a través de un
diodo y su resistencia es v = 2,5 V. Determine los valores de las
resistencias R1 y R2 si la corriente se comparte de forma ideal entre
ambos diodos.

Figura 2: Diodos paralelo

Solución problema IT = 200 A, v = 2,5, I1 = I2 ,

I1 = IT /2 = 200/2 = 100 A v = VD 1 + I1 R 1 O 2,5 = 1,1 + 100R1 o
R1 = 14mΩ v = VD 2 + I2 R 2 O 2,5 = 1,95 + 100R2 o R2 = 5,5mΩ
38
Dos diodos están conectados en serie. La resistencia a través de los diodos
es R1 = R2 = 10 kΩ. El voltaje de entrada de corriente directa es 5 kV .
Las corrientes de fuga son Is 1 = 25 mA e Is 2 = 40 mA y si la corriente de
fuga total es compartida. Determine el voltaje a través de los diodos.

39
Dos diodos están conectados en serie. La resistencia a través de los diodos
es R1 = R2 = 10 kΩ. El voltaje de entrada de corriente directa es 5 kV .
Las corrientes de fuga son Is 1 = 25 mA e Is 2 = 40 mA y si la corriente de
fuga total es compartida. Determine el voltaje a través de los diodos.

solución de la ecuación Is = Is 1 + IR 1 = Is 2 + IR 2 o
Is 1 + VRD11 = Is 2 + VRD22 = 25−3 + VD 1 /10000 = 40−3 + VD 2 /10000
VD 1 + VD 2 = Vs = 5000 resolviendo para VD 1 y VD 2 da VD 1 = 2575V
VD 2 = 2425V

39
Determine I , V1 , V2 y Vo para la conguración en serie cd de la
gura

40
Determine I , V1 , V2 y Vo para la conguración en serie cd de la
gura

E1 +E2 −VD 10+5−0,7 14.,V

I = R1 +R2 = 4,7 kΩ+2,2 kΩ = 6,9 kΩ

40
Determine I , V1 , V2 y Vo para la conguración en serie cd de la
gura

E1 +E2 −VD 10+5−0,7 14.,V

I = R1 +R2 = 4,7 kΩ+2,2 kΩ = 6,9 kΩ
V1 = 9,73 V , V2 = 4,55 V ,
V0 = V2 − E2 = 4,55 V − 5V = −0,45V

40
Determine las corrientes I1 , I2 e ID 2 para la red de la gura

41
Determine las corrientes I1 , I2 e ID 2 para la red de la gura

VD 1 0,7
I1 = R1 = 3,3 kΩ , −VR 2 + E − VD 1 − VD 2 = 0,, V2 = 18,6V ,
VR 2 18,6
I2 = R2 = 5,6 kΩ = 3,32 mA, ID 2 + I1 = I2 = 3,11 mA

41
Recticador de media onda monofásico

Un recticador es un circuito que convierte una señal de corriente alterna en

una señal unidireccional. Un recticador monofásico de media onda es el tipo
más sencillo, pero nose utiliza normal mente en aplicaciones industriales.

(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda de voltaje

42
El diodo es un interruptor electrónico básico que sólo permite el
paso de corriente en un sentido.
En el semiciclo positivo del generador de este circuito, el diodo
conduce (Polarizado en directa).
En el semiciclo negativo del generador, el diodo está polarizado
en inversa, lo que hace que la corriente sea cero.
Un recticador de potencia es un procesador de potencia que
debe proporcionar una salida de cd con una cantidad mínima
de contenido armónico. Al mismo tiempo, deberá mantener la
corriente de entrada tan sinusoidal como sea posible y en fase
con el voltaje de entrada, de tal forma que el factor de
potencia esté cercano a la unidad.

43
Parámetros de rendimiento

Un recticador es un procesador de potencia que debe proporcionar

una salida de cd con una cantidad mínima de contenido armónico.
Al mismo tiempo, deberá mantener la corriente de entrada tan
sinusoidal como sea posible y en fase con el voltaje de entrada, de
tal forma que el factor de potencia esté cercano a la unidad. La
calidad del procesamiento de energía de un recticador requiere de
la determinación del contenido armónico de la corriente de entrada,
del voltaje de salida y de la corriente de salida. Hay distintos tipos
de circuitos de recticadores y los rendimientos de un recticador se
evalúan normalmente en función de los parámetros siguientes:

44
 El valor promedio del voltaje de salida (o de carga), Vcd .
El valor promedio de la corriente de salida (de carga), Icd .
La potencia de salida en cd.

Pcd = Vcd Icd

El valor medio cuadrático (rms) del voltaje de salida, Vrms .

El valor medio cuadrático (rms) de la corriente de salida, Irms .
La potencia de salida en ca.

Pca = Vrms Irms

La eciencia (o relación de recticación) de un recticador, que es una cifra de

mérito y nos permite comparar la efectividad, se dene como
Pcd
η=
Pca

45
El voltaje de salida se puede determinar como formado de dos componentes:
1. El valor CD
2. la componente de ca u ondulatoria
El valor efectivo (rms) de la componente de ca del voltaje de salida es
q
Vca = 2 − V2
Vrms cd

El factor de forma, que es una medida de la forma del voltaje de salida, es

Vrms
FF =
Vcd
El factor de componente ondulatoria, que es una medida del contenido de la
componente ondulatoria, se dene como
s 2
Vca Vrms
FF 2 − 1
p
RF = = −1=
Vcd Vcd
El factor de utilización del transformador se dene como
Pcd
TUF =
Vs I s
donde Vs e Is son el voltaje y la corriente media cuadrática (rms) del secundario
del transformador, respectivamente
46
ejemplo

El recticador de la gura ?? tiene una carga resistiva pura igual a

R . Determine (a) la eciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor
de componente ondulatoria, (d) el factor de utilización de
transformación.

47
Solución ejemplo

El voltaje de salida promedio Vdc se dene como

1 T
Z
Vcd = υL (t)dt
T 0

Debemos notar que es un recticador de media onda, tenemos que

υL (t) = 0 para T /2 ≤ t ≤ T . Por lo tanto, tenemos

1 T
Z  
Vm ωT
Vcd = Vm sen ωtdt = − cos −1
T 0 ωT 2

48
Pero la frecuencia de la fuente es f = 1/T y ω = 2πf . Por lo tanto,
Vm
Vcd = = 0,318Vm (5)
π
Vcd 0,318Vm
Icd = = (6)
R R
El valor medio cuadrático (rms) de una forma de onda periódica se dene como
1/2
1 T
 Z
Vrms = υL (t)2 dt
T 0
Para un voltaje sinusoidal de valor υL (t) = Vm sen ωt para 0 ≤ t ≤ T /2, el valor
rms del voltaje de salida es
#1/2
T /2
"
1
Z
2 Vm
Vrms = (Vm sen ωt) dt = = 0,5Vm (7)
T 0 2
Vrms 0,5Vm
Irms = = (8)
R R
Pcd = (0,318Vm )2 /R , Pca = (0,5Vm )2 /R .
Eciencia η = (0,318Vm )2 / (0,5Vm )2 = 40,5 %
Factor de forma FF = 0,5Vm /0,318Vm =p 1,57 es decir 157 %
Factor de componente ondulatoria RF = 1,572 − 1 = 1,21 es decir 121 %
49
El voltaje rms del secundario del transformador es
1/2
1 T
 Z
Vm
Vs = (vm sen ωt)2 dt = √ = 0,707vm
T 0 2
el valor rms de la corriente del secundario del transformador es
la misma que la carga
0,5Vm
Is =
R
TUF = Pcd /(Vs Is ) = 0,3182 /(0,707 × 0,5) = 0,286.

50
Añadiendo una carga RL en el circuito del diodo en serie tal y como
aparece en la gura 3c. Debido a la carga ind
uctiva, el periodo de conducción del diodo D1 se extenderá más allá de
los 180◦ hasta que la corriente se haga cero en ωt = π + σ . Las formas
de onda de la corriente y el voltaje aparecen en 3d.

(c) Diagrama de circuito (d) Formas de onda de voltaje

Figura 3: forma de onda

51
Debe hacerse notar que el υL promedio del inductor es cero
Vm π+σ
Z
Vm
Vcd = sen ωtd(ωt) = [− cos ωt]π+σ
0 (9)
2π 0 2π
Vm
= [1 − cos(π + σ)] (10)
2π
La corriente de carga promedio es Icd = Vcd /R. De la ecuación anterior se
puede notar que es posible aumentar el voltaje promedio (y la corriente)
haciendo que σ = 0, lo que es posible añadiendo un diodo de marcha libre Dm ,
tal y como aparece en la gura. Con líneas punteadas. El efecto de este diodo
es evitar que aparezca un voltaje negativo a través de la carga; y como
resultado, aumenta la energía magnética almacenada.

52
Recticadores monofásicos de onda completa
En la gura aparece un circuito recticador de onda completa con un
transformador de derivación central y un recticador puente(es de uso
común en aplicaciones industriales). Dado que a través del transformador
no uye corriente directa, no hay problema por saturación en el nucleo de
este mismo transformador. El voltaje de salida promedio es:
2 1/2 2Vm
Z
Vcd = Vm sen ωtdt = = 0,6366vm
T 0 π

(a) Diagrama de (b) Diagrama de circuito

circuito
53
(c) Diagrama de circuito (d) Formas de onda de voltaje
Figura 4: forma de onda

54
Ejemplo
Si el recticador de la gura 4a tiene una carga resistiva pura de valor R,
determine (a) la eciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente
ondulatoria, (d) el factor de utilización del transformador.

55
Ejemplo
Si el recticador de la gura 4a tiene una carga resistiva pura de valor R,
determine (a) la eciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente
ondulatoria, (d) el factor de utilización del transformador.
Solución. El voltaje promedio de salida es

2Vm
Vcd = = 0,6366Vm
π
y la corriente promedio de carga es
Vcd 0,6366Vm
Icd = =
R R
El valor rms del voltaje de salida es
#1/2
T /2
"
2
Z
Vm
Vrms = (Vm sen ωt)2 dt = √ = 0,707Vm
T 0 2
Vrms 0,707Vm
Irms = =
R R
Pcd = (0,6366Vm )2 /R, Pca = (0,707Vm )2 /R. η = (0,6366Vm )2 /(0,707Vm )2 = 81 %
FF = 0,707Vm /0,63666Vm = 1,11 RF = 1,112 − 1 = 0,482 o bien 48,2 %
p

55
El voltaje rms
√ del secundario del transformador
Vs = Vm / 2 = 0,707Vm . El valor rms de la corriente del
secundario del transformador Is = 0,5Vm /R .

0,63662
TUF = = 0,5732 = 57,32 %
2 × 0,707 × 0,5

56
Recticadores trifásicos en puente

Un recticador trifásico en puente como el que se muestra en la

gura 5 es de uso común en aplicaciones de alta energía. Este es un
recticador de onda completa.

Figura 5

57
Puede operar sin o con transformador y genera componentes ondulatorias de seis
pulsos en el voltaje de salida. Los diodos están numerados en orden de secuencia de
conducción, cada uno de ellos conduce durante 120◦ . La secuencia de la conducción
de los diodos es 12,23,34,45,56 y 61. El par de diodos conectados entre el par de
líneas de alimentación que tengan la diferencia de potencial instantáneo más alto de
línea a línea serán los que √
conduzcan. En una fuente conectada en estrella trifásica el
voltaje de línea a línea es 3 veces el voltaje de fase. Las formas de onda y los
tiempos de conducción de los diodos aparecen en la gura ??.

58
Un circuito recticador, se puede extender a varias fases mediante
embobinados multifase en el secundario del transformador.
Este circuito se puede considerar como q recticadores monofásicos de
media onda y es del tipo de media onda. El periodo de conducción de
cada diodo es 2π/q
Si suponemos una onda coseno desde π/q hasta 2π/q , el voltaje
promedio de salida para un recticador de q fases está dado por

2
Z π/q  
q π
Vcd = Vm cos(ωt)d(ωt) = Vm sen
2π/q 0 π q
" #1/2
2 π/q
Z
Vrms = Vm2 cos2 (ωt)d(ωt)
2π/q 0
1/2
π 1 2π
  
q
= Vm + sen
2π q 2 q

59
donde Vm es el voltaje de fase pico. El voltaje rms de salida es
" Z π/6 #1/2  √ 1/2
2 2 2 3 9 3
Vrms = 3Vm cos ωtd(ωt) = + Vm = 1,6554Vm
2π/6 0 2 4π

Si la carga
√ es puramente resistiva, la corriente pico a través de un diodo es
Im = 3Vm /R y el valor rms de la corriente del diodo es
" Z π/6 #1/2 1/2
4 1 π 1 2π
 
2 2
Ir = Im cos ωtd(ωt) = Im + sen
2π 0 π 6 2 6
= 0,5518Im

el valor rms de la corriente secundaria del transformador

" Z π/6 #1/2 1/2
8 2 π 1 2π
 
2 2
Is = Im cos ωtd(ωt) = Im + sen
2π 0 π 6 2 6
= 0,7804Im

donde Im es la corriente de línea pico en el secundario.

60
Un recticador trifásico en puente tiene una carga puramente resistiva de
valor R. Determine (a) la eciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor
de componente ondulatoria, (d) el factor de utilización del transformador.

61
Un recticador trifásico en puente tiene una carga puramente resistiva de
valor R. Determine (a) la eciencia, (b) el factor de forma, (c) el factor
de componente ondulatoria, (d) el factor de utilización del transformador.
Solución. Vcd = 0,954Vm e Icd = 0,954Vm /R . Vrms = 0,9557Vm ,
Irms = 0,9557Vm /R . Pcd = (0,954Vm )2 /R , Pca = (0,6557Vm )2 /R

(0,954Vm )2
η= = 99,6 %
(0,9557Vm )2

FF = 0p
,9557/0,954 = 1,0008 = 100,01 %,
RF = 1,00082 − 1 = 0,059 = 5,97 %

61
Transistores

Los transistores de potencia tienen características controladas de

activación y desactivación. Los transistores, que se utilizan como
elementos conmutadores, se operan en la región de saturación, lo
que da como resultado en una caída de voltaje baja en estado
activo. La velocidad de conmutación de los transistores modernos
es mucho mayor que la de los tiristores, por que se utilizan en
forma amplia en conertidores de ca-cd y de cd-ca. Sin embargo, las
especicaciones de voltaje y de corriente son menores que las de los
tiristores y por lo que, los transistores se utilizan, por lo general,
enaplicaciones de baja a media potencia.

62
Los transistores de potencia se pueden clasicar de manera general
en cuatro categorías:
1. Transistores bipolares de juntura (BJT)
2. Transistores semiconductores de metal de óxido de efecto de
campo (MOSFET)
3. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
A n de explicar las técnicas de conversión de potencia, los BJT's o
MOSFET o IGBT se pueden tratar como interruptores ideales.

63
BJT
A pesar de que hay tres conguraciones posibles, colector común,
base común y emisor común, la conguración de emisor que
aparece en la g 6a, es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutación.

(a) Diagrama (b) Característica de salida

de circuito

Figura 6: Característica transistores NPN

64
En un transistor existen tres regiones de operación: de corte,
activa y de saturación.
En la región de corte, el transistor está desactivado o la
corriente de base no es suciente para activarlo teniendo
ambas uniones polarización inversa.
En la región activa, el transistor actúa como un amplicador.
La unión colectorbase tiene polarización inversa u la
baseemisor polarización directa.
En la región de saturación, la corriente de base es lo
sucientemente alta para que el voltaje colectoremisor sea
bajo, y el transistor actúa como interruptor. Ambas uniones
colectorBase y BaseEmisor tienen polarización directa.

65
La ecuación que relaciona las corrientes es IE = IC + IB La ganancia de
coorriente β = hFE = IIC
B
El transistor operado como interruptor
vB − VBE βRC
IB = , VC = VCE = VCC − IC RC = VCC − (VB − VBE )
RB RB
VCE = VCB + VBE
La ecuación anterior indica siempre qie VCE ≤ VBE , la unión colectorbase
tendrá que polarización inversa y el transistor estará en región activa. La
corriente máxima del colector en la región activa, que se puede obtener al
ajustar VCB = 0 y VBE = VCE es
VCC − VCE VCC − VBE I
ICM = = corriente de base IBM = CM
RC Rc β

66
La saturación del transistor se puede denir como el punto por arriba del cual
cualquier incremento en la corriente de base no aumenta signicativamente la
corriente de colector. En saturación la corriente del colector se conserva
prácticamente constante. Si el voltaje de saturación del colector-emisor es
VCE (sat) , la corriente del colector es
VCC − VCE (sat)
ICS =
RC
y el valor correspondiente de la corriente de base es
ICS
IBS =
β
La relación entre IB e IBS se conoce como el factor de sobreexcitación. ODF
IB
ODF =
IBS
y la relación entre ICS e IB se conoce como la β forzada,
ICS
βf =
IB
La pérdida total de potencia en las dos uniones es
PT = VBE IB + VCE IC
67
 Se especica que el transistor bipolar, tiene una β en el rango 8 a 40. La
resistencia de la carga es Rc = 11Ω. El voltaje de alimentación en cd es
VCC = 200 V y el voltaje de entrada al circuito de la base es VB = 10 V. Si
VCE (sat) = 1,0 V y VBE (sat) = 1,5 V, encuentre (a) el valor de RB que resulta en
saturación con un factor de sobreexcitación de 5, (b)la βf forzada y (c) la
pérdida de potencia PT en el transistor.

nota: Para un factor de sobreexcitación de 10, IB = 22,265 A y la pérdida de potencia

sería PT = 1,5 × 22,265 + 18,1 = 51,5 W. Una vez saturado el transistor, el voltaje
colectoremisor no se reduce en relación con el aumento de la corriente de base. Sin
embargo, aumenta la pérdida de potencia. A un valor alto de ODF, el transistor puede
dañarse debido al sobrecalentamiento.

68
 Se especica que el transistor bipolar, tiene una β en el rango 8 a 40. La
resistencia de la carga es Rc = 11Ω. El voltaje de alimentación en cd es
VCC = 200 V y el voltaje de entrada al circuito de la base es VB = 10 V. Si
VCE (sat) = 1,0 V y VBE (sat) = 1,5 V, encuentre (a) el valor de RB que resulta en
saturación con un factor de sobreexcitación de 5, (b)la βf forzada y (c) la
pérdida de potencia PT en el transistor.
Solución VCC = 200 V, βmin = 8, βmax = 40, RC = 11Ω, ODF = 5, VB = 10
V, VCE (sat)=1,0 V y VBE (sat) = 1,5 V. ICS = (200 − 1,0)/11 = 18,1 A.
IBS = 18,1/βmin 018,1/8 = 2,2625. La corriente de base para un factor de
sobrecargade 5 IB = 5 × 2,2625 = 11,3125 A, el valor requerido de
VB −VBE (sat) 10−1,5
RB = IB
= 11,3125
= 0,7512Ω. (b)βf = 18,1/11,3125 = 1,6. (c)
PT = 1,5 × 11,3125 + 1,0 × 18,1 = 16,97 + 18,1 = 35,07 W
nota: Para un factor de sobreexcitación de 10, IB = 22,265 A y la pérdida de potencia
sería PT = 1,5 × 22,265 + 18,1 = 51,5 W. Una vez saturado el transistor, el voltaje
colectoremisor no se reduce en relación con el aumento de la corriente de base. Sin
embargo, aumenta la pérdida de potencia. A un valor alto de ODF, el transistor puede
dañarse debido al sobrecalentamiento.

68
¾Cual es la magnitud del voltaje necesario para cerrar el interruptor
(saturar el transistor)?
¾Cuánta corriente circula por la carga cuando esto sucede?
¾Cuál es la magnitud de la corriente de base necesaria?

69
¾Cual es la magnitud del voltaje necesario para cerrar el interruptor
(saturar el transistor)?
¾Cuánta corriente circula por la carga cuando esto sucede?
¾Cuál es la magnitud de la corriente de base necesaria?

Solución. IC (sat) = = 24
Vcc
RL
VCC 24 V
16 Ω = 1,5 A, IB(sat) = βRL = (150)(16 Ω) = 10 mA,
V

Vin = IB(sat)RB +0,7V = (10mA)(1 K Ω) + 0,7 = 10,7 V En el ejemplo podemos

observar que una gran corriente de carga de 1,5 A, puede ser conmutada por
pequeños valores de voltaje y corriente de entrada.

69
Efecto producido por cargas inductivas

Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo

más desfavorables dentro de la zona activa.

Para una carga resistiva, el transistor pasará de corte a saturación por la recta
que va desde A hasta C, y de saturación a corte desde C a A. Con una carga
inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturación recorriendo
la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Puede
verse que este último paso lo hace después de una profunda incursión en la
zona activa que podría fácilmente sobrepasar el límite de avalancha secundaria,
con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc).

70
 a) Diodo Zéner en paralelo con el transistor (la tensión nominal zéner ha de
ser superior a la tensión de la fuente Vcc).
b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensión en el transistor durante el paso de
saturación a corte, proporcionando a través de los diodos un camino para la
circulación de la intensidad inductiva de la carga.
En la tercera protección, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue
pasando por el diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una
tensión Vcc. 71
Diseñando adecuadamente la red RC se consigue que la tensión en el transistor
durante la conmutación sea inferior a la de la fuente, alejándose su
funcionamiento de los límites por disipación y por avalancha secundaria. Cuando
el transistor pasa a saturación el condensador se descarga a través de RS.

El efecto de la red snubber es la que se puede apreciar en la gura, el paso de

saturación (A) a corte (pB) se produce de forma más directa y sin alcanzar
valores de VCE superiores a la fuente Vcc.
Para el cálculo de CS se suponer, despreciando las pérdidas, que la energía
almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS
cuando la intensidad de colector se anule.

72
Por tanto:
1 2 1 2
× L × ICsat = × Cs × VCC
2 2
donde:
2
L × ICsat
Cs = 2
VCC
Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el
condensador ha de estar descargado totalmente en el siguiente
proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo de RS y CS
ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que
permanece en saturación el transistor :

tiempo BJT saturado

τs = Rs × Cs ≤
5

73
Mosfet de potencia

Un mosfet de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que

requiere sólo de una pequeña corriente de entrada. La velocidad de
conmutación es muy alta siendo los tiempos de conmutación del
orden de los nanosegundos.
Las ventajas que presentan este tipo de transistor, han llevado a que
ocupen un lugar importante dentro de la industria, desplazando a
los viejos BJT a otros nes. Los MOSFET de potencia son muy
populares para aplicaciones de baja tensión, baja potencia y
conmutación resistiva en altas frecuencias, como fuentes de
alimentación conmutadas, motores sin escobillas y aplicaciones
como robótica, CNC y electrodomésticos.
Los MOSFET tienen problemas de descargas electróstaticas, por lo
que su manejo requiere de cuidados especiales. Ademásm es
relativamente difícil protegerlos bajo condiciones de falla de corto
circuito.
74
Una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el substrato
induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor,
gracias al efecto de campo.
El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la
conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores
de carga en la región correspondiente al canal, que también es conocida
como la zona de inversión.

La estructura MOS, actúa como un condensador de placas paralelas en el

que G y B son las placas y el óxido, el aislante.
75
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N.
Bajo el terminal de Puerta existe una capa de óxido (SiO2 ) que impide
prácticamente el paso de corriente a su través; por lo que, el control de
puerta se establece en forma de tensión.
La calidad y estabilidad con que es posible fabricar estas nas capas de
óxido es la principal causa del éxito alcanzado con este transistor, siendo
actualmente el dispositivo más utilizado.
Se trata de una estructura MOS, de cuatro terminales, en la que el
substrato semiconductor es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la
interfase Oxido-Semiconductor se han practicado difusiones de material n,
fuertemente dopado (n+ ).

76
Cuando se aplica una tensión positiva al terminal de puerta de un
MOSFET de tipo N, se crea un campo eléctrico bajo la capa de óxido que
incide perpendicularmente sobre la supercie del semiconductor P.
Este campo, atrae a los electrones hacia la supercie, bajo la capa de
óxido, repeliendo los huecos hacia el sustrato.
Si el campo eléctrico es muy intenso se logra crear en dicha supercie una
región muy rica en electrones, denominada canal N, que permite el paso
de corriente de la Fuente al Drenador.
Cuanto mayor sea la tensión de Puerta (Gate) mayor será el campo
eléctrico y, por tanto, la carga en el canal.
Una vez creado el canal, la corriente se origina, aplicando una tensión
positiva en el Drenador (Drain) respecto a la tensión de la Fuente
(Source).

77
REGIONES DE OPERACIÓN.
La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones
de operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales.
Para un transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes
regiones: región de corte, región óhmica y región de saturación.

78
Región de corte.

El transistor estará en esta región, cuando

VGS < Vt

En estas condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente

a un circuito abierto, entre los terminales del Drenador-Surtidor.
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el
dispositivo se encuentra apagado.
No hay conducción entre Drenador y Surtidor, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.

79
Región óhmica.
Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de RDS(on)
viene dado por la expresión:

VDS(on) = ID(on) × RDS(on)

En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de
Drenaje (ID ) especíca y el voltaje Puerta-Surtidor. Por ejemplo, si
VDS(on) = 1V y ID(on) = 100mA entonces,

1V
RDS(on) = = 10Ω
100mA
El transistor estará en la región óhmica, cuando

VGS > Vt y VDS < (VGS − Vt)

El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y

Surtidor.
El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión
entre la Puerta y el Surtidor (VGS ).
80
Región de Saturación.

Entra en esta zona cuando la tensión (VDS ) supera la tensión de

saturación (VDSsat ); este valor viene determinado en del fabricante.

VGS > Vt y VDS > (VGS − Vt)

Estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o

estrangula
En esta zona, se mantiene constante la ID , independientemente del valor
de tensión que exista entre VDS .
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal
de conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías
del Drenador y desaparece.
La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia
de potencial entre ambos terminales.

81
Región de Ruptura

Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus

propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico.
La palabra ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de
la parte del terminal del drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:
En tensión: no se puede superar el valor máximo de tensión entre la
puerta y el surtidor. Este valor se denomina BVGS . Tampoco se puede
superar un valor máximo de tensión entre el drenador y el surtidor
denominado BVDS .
En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador,
conocido como IDmax .
En potencia: este límite viene marcado por Pdmax , y es la máxima
potencia que puede disipar el componente.

82
Debido a la alta corriente de drenaje y el bajo voltaje de
drenaje, los MOSFET de potencia operan en la región lineal
para acciones de conmutación.
En la región de saturación, la corriente de drenaje se conserva
prácticamente constante para cualquier incremento en el valor
de VDS , y los transistores se utilizan en esta región para la
amplicación de voltaje.
Nota:La saturación tiene un signicado opuesto que en el caso
de los transistores bipolares.

83
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica

como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia.
Tiene las características de las señales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente
y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando
una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET,
mientras que las características de conducción son como las
del BJT

84
Características

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de

conmutación de hasta 100 kHz.
Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como
fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina
de inducción.
Módulos de IGBT consisten en dispositivos colocados en
paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de
cientos de ampers con voltajes de bloqueo de 6.000 volts.
En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre
los tiristores y los MOSFET.
Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que
ellos y lo inverso respecto a los primeros.

85
Es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
La tensión de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la
ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta.

86
Un IGBT combina las ventajas de los BJT y de los MOSFET . Un IGBT
tiene una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas
pérdidas de conducción en estado activo, como los BJT.
Es un dispostivo controlado por voltaje, similar a un MOSFET de
potencia. Tiene menores pérdidas de conmutación y de conducción, en
tanto comparte muchas de las características atractivas de los MOSFET
de potencia, como la facilidad de excitación de compuerta, la corriente de
pica, la capacidad y la resistencia.

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