Aprendiz
ANDRES FELIPE DE AVILA BLANCO
DESARROLLO DE PRODUCTOS ELECTRONICOS
FICHA (2879902)
GENERACIÓN DE INFORME UTILIZANDO HERRAMIENTAS INFORMÁTICAS
Y APLICANDO NORMATIVIDAD VIGENTE GA2-291901011-AA1-EV02.
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE
SENA
Instructor
Juan David Ortiz
GC-F -005 V. 05
1. EL DIODO.
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la
circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido,1 bloqueando
el paso si la corriente circula en sentido contrario, no solo sirve para la circulación
de corriente eléctrica sino que este la controla y resiste. Esto hace que el diodo
tenga dos posibles posiciones: una a favor de la corriente (polarización directa) y
otra en contra de la corriente.
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor como el
silicio con impurezas en él para crear una región que contenga portadores de
carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en el
otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones
del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una
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corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los
electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p
(Je). Al establecerse una corriente de difusión, aparecen cargas fijas en una zona a
ambos lados de la unión, zona que recibe el nombre de región de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusión, la región de agotamiento va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.4
La anchura de la región de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se
dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización directa
o inversa.
2. DIODO ZENER Y SU APLICACIÓN EN LA INDUSTRIA.
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado1, diseñado y
construido para que funcione en las zonas de ruptura. Recibe ese nombre
por su inventor, Clarence Melvin Zener. El diodo Zener es la componente
esencial de los reguladores de tensión, manteniendo la tensión casi
constante, con independencia de que se presenten grandes variaciones
de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura.
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Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan
comportamientos similares a estos, pero los mecanismos involucrados son
diferentes. Además si el voltaje de la fuente es inferior a la del diodo este no
puede hacer su regulación característica.
Características
Si a un diodo Zener se le aplica una tensión eléctrica positiva del ánodo
respecto a negativa en el cátodo (polarización directa) toma las
características de un diodo rectificador básico (la mayoría de casos), pero si
se le suministra tensión eléctrica positiva de cátodo a negativa en el ánodo
(polarización inversa), el diodo mantendrá una tensión constante. No actúa
como rectificador sino como un estabilizador de tensión
Regulador de tensión utilizando diodo
Zener
Variando la tensión V a valores mayores que la tensión de ruptura del Zener,
Vz se mantiene constante.
Su símbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los
lados. Se deberá tener presente que, el diodo Zener al igual que cualquier
dispositivo electrónico, tiene limitaciones y una de ellas es la disipación de
potencia. Si no se toman en consideración sus parámetros, el componente
se quema.
OPERACIÓN
Un diodo de estado sólido convencional2 permite una corriente significativa
si está polarizado en inversa por encima de su voltaje de ruptura inversa.
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Característica de voltaje-corriente de un diodo Zener con un voltaje de ruptura de
17 voltios. Observe
el cambio de escala de voltaje entre la dirección polarizada hacia delante
(positiva) y la dirección polarizada hacia atrás (negativa).
Cuando se excede el voltaje de ruptura de polarización inversa, un diodo
convencional está sujeto a alta corriente debido a la ruptura de avalancha.
A menos que esta corriente esté limitada por la circuitería, el diodo puede
dañarse permanentemente debido al sobrecalentamiento.
Un diodo Zener exhibe casi las mismas propiedades, excepto que el
dispositivo está especialmente diseñado para tener un voltaje de ruptura
reducido, el denominado voltaje Zener. En contraste con el dispositivo
convencional, un diodo Zener con polarización inversa exhibe una falla
controlada y permite que la corriente mantenga el voltaje a través del diodo
Zener cerca del voltaje de ruptura de Zener.
Por ejemplo, un diodo con una tensión de ruptura Zener de 3.2 V presenta
una caída de voltaje de casi 3.2 V en un amplio rango de corrientes
inversas. El diodo Zener es por lo tanto ideal para aplicaciones tales como
la generación de un voltaje de referencia (por ejemplo, para una etapa de
amplificación), o como un estabilizador de voltaje para aplicaciones de baja
corriente.
Otro mecanismo que produce un efecto similar es el efecto de avalancha
como en el diodo de avalancha.
Los dos tipos de diodos se construyen de hecho de la misma manera y
ambos efectos están presentes en los diodos de este tipo. En diodos de
silicio de hasta aproximadamente 5,6 voltios, el efecto Zener es el efecto
predominante y muestra un marcado coeficiente de temperatura negativo.
Por encima de 5,6 voltios, el efecto de avalancha se vuelve predominante y
exhibe un coeficiente de temperatura positivo.
En un diodo de 5,6 V, los dos efectos se producen juntos, y sus coeficientes
de temperatura casi se cancelan entre sí, por lo tanto, el diodo de 5,6 V es
útil en aplicaciones de temperatura crítica. Una alternativa, que se utiliza
para las referencias de voltaje que necesitan ser altamente estables durante
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largos períodos de tiempo, es usar un diodo Zener con un coeficiente de
temperatura (CT) de +2 mV/°C (voltaje de falla de 6.2-6.3 V) conectado en
serie con un diodo de silicio con polarización directa (o una unión BE de
transistor) fabricado en el mismo chip.
Coeficiente de temperatura de la tensión
Zener contra voltaje Zener nominal.
El diodo con polarización directa tiene un coeficiente de temperatura de -2
mV/°C, lo que hace que los coeficientes de temperatura se cancelen.
Las técnicas de fabricación modernas han producido dispositivos con
tensiones inferiores a 5,6 V con coeficientes de temperatura insignificantes,
pero a medida que se encuentran dispositivos de mayor voltaje, el
coeficiente de temperatura aumenta drásticamente. Un diodo de 75 V tiene
10 veces el coeficiente de un diodo de 12 V.
Los diodos Zener y de avalancha, independientemente del voltaje de
ruptura, se comercializan generalmente bajo el término general de "Diodo
Zener".
Por debajo de 5.6 V, donde domina el efecto Zener, la curva voltaje-
corriente cercana a la ruptura es mucho más redondeada, lo que requiere
un mayor cuidado al enfocar sus condiciones de polarización. La curva
voltaje-corriente para Zeners por encima de 5,6 V (que está dominada por
Avalancha), es mucho más nítida en el momento de la avería.
3. EL TRANSISTOR.
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (impurezas con
materiales específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones
bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o
recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor
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es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un
elemento activo,32 a diferencia de los resistores, condensadores e
inductores que son elementos pasivos.33
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa
la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de
corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el
colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o
ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se
denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son
particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima,
disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican
los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de
esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los
transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar
(transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la
corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la corriente
de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y
gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y
Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se encuentra
estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de
salida en la carga conectada al Drenaje (D) será función amplificada de la
tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al
funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la
integración a gran escala disponible hoy en día; para tener una idea
aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles de transistores
interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.
4. TRANSISTORES NPN Y PNP.
Transistor de unión bipolar
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El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés bipolar
junction transistor) se fabrica sobre un monocristal de material
semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas
cualidades son intermedias entre las de un conductor eléctrico y las de un
aislante. Sobre el sustrato de cristal se dopan en forma muy controlada tres
zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa)
se obtienen dopando el sustrato con átomos de elementos
donantes de electrones, como el arsénico o el fósforo; mientras
que las zonas P (donde se generan portadores de carga Positiva o
«huecos») se logran dopando con átomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.
Las tres zonas dopadas dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la región de la base, y las
otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente dopados entre ellas (por lo general, el
emisor está mucho más dopado que el colector).
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El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá
de dicho dopado, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de
dopado (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de
la unión.
5. LOS TIRISTORES
El tiristor es una familia de componentes electrónicos constituido por
elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir
una conmutación. Es un dispositivo análogo al tiratrón, un tipo de válvula
electrónica también utilizado para controlar la corriente2 Los materiales de
los que se compone son de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la
temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o
como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o
bidireccionales (Triac o DIAC). Se emplea generalmente para el control de
potencia eléctrica.
6. SCR
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled
Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene
de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta
del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión,
el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se
necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
El pulso de conmutación ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo
si se está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensión de puerta y el
tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
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debajo de la corriente de mantenimiento (en la práctica, cuando la onda senoidal
cruza por cero)
Cuando se produce una variación brusca de tensión entre ánodo y cátodo de un
tiristor, este puede dispararse y entrar en conducción aun sin corriente de puerta.
Por ello se da como característica la tasa máxima de subida de tensión que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de potencia, en el campo del
control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrónico.
7. TRIAC
es un componente electrónico semiconductor de tres terminales para controlar la
corriente.
Su nombre viene del término TRIode for Alternating Current = Triodo Para
Corriente Alterna.
Podríamos decir que un triac se utiliza para controlar una carga de CA (corriente
alterna), semejante a como un transistor se puede utilizar para controlar una carga
de CC (corriente continua).
En definitiva es un interruptor electrónico pero para corriente alterna los triac se
utilizan en muchas ocasiones como alternativas al relé.
Su funcionamiento básico es cerrar un contacto entre dos terminales (ánodo 1 y 2)
para dejar pasar la corriente (corriente de salida) cuando se le aplica una pequeña
corriente a otro terminal llamado "puerta" o Gate (corriente de activación).
Se seguirá permitiendo que la corriente fluya hasta que la corriente de salida
disminuya por debajo de un valor determinado, llamada corriente umbral, o se
corte la corriente totalmente de alguna forma, por ejemplo con un interruptor o
pulsador como luego veremos.
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