Tema 4.

COMPONENTES NO
LINEALES: TRANSISTORES
4.1) Introducción a los elementos de circuitos no lineales de tres terminales:
Ejemplo: Análisis gráfico para un MOSFET.
4.2) El transistor Bipolar (BJT).
4.2.1 Formas de operación. Principio de operación.
4.2.2 BJT como elemento de un circuito.
4.2.3. Funciones del BJT: conmutación, resistencia variable o amplificador
4.3) El transistor de efecto campo (FET).
4.3.1 Características.
4.3.2. MOSFET incremental de canal n: estudio. Características v - i.
4.3.3 MOSFET decremental de canal n.
4.3.4 JFET.

Mª del Carmen Coya Párraga 1

Puerto 3

+ +

Puerto 1 Puerto 2
v v
1 2

Tres terminales, uno en
común entre los tres
puertos.
- -

La característica v-i de los dos terminales principales puede manipularse
modificando la variable de entrada aplicada al tercer terminal:
 Podemos describir el dispositivo considerando sólo 2 de sus 3
puertos.

Características v-i de los dos puertos ppales de un dispositivo de tres
terminales son independientes: un puerto es el de ENTRADA O CONTROL Y el
otro es de SALIDA O CONTROLADO.

1

Aplicaciones en el procesamiento de
señales:
Amplificación
Conmutación
Control

4.1 Transistores

Base Colector puerta drenador

Vce Vgs Vds

Vbe
Emisor fuente

BJT FET
6 variables diferentes Definición: vbe = vb-ve vce = vb-ve
(ib,ic,ie,vbe,vce,vcb) Característica de entrada del BJT
ib vs vbe
4 variables independientes
ib, ic, vbe, vce Característica de salida del BJT
ic vs, vce

2
4.2 Clasificación de los transistores
npn
BJT
bipolar junction pnp
transistor

TRANSISTORES de canal n
JFET
de canal p
FET
field effect de acumulación
transistor MOSFET
de vaciamiento

≡BIPOLAR JUNCTION TRANSFER)

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT≡

Dispositivo de tres terminales en que la característica v-i del puerto de salida
está controlada por la corriente que fluye hacia dentro del puerto de entrada.

• La flecha indica el sentido de corriente en PD del diodo BE.

• No es un dispositivo simétrico.

3
4.3 EL TRANSISTOR DE UNIÓN
BIPOLAR (BJT)

● Formado por 2 uniones p-n con una zona común

tipo p (para los npn o tipo n (para los pnp).
● Tres terminales: emisor (E), base (B) y colector (C)
● No se trata de una estructura simétrica (dopados
diferentes en el emisor y el colector)
● La base es la zona común de las dos uniones

Símbolos del BJT

C C
C C
n p
B B n B
B p
n p
E E
E E

4
 Estructura de un BJT npn integrado planar
contactos
C B E
n+
p
n

En un transistor hay dos uniones p-n (base-emisor y base-colector),

cada una es un diodo pero al estar en contacto se produce un efecto
nuevo, el efecto “transistor”. El estado global del transistor depende
de la polarización (directa o inversa) de las dos uniones.

Curvas características
configuración en emisor común: puerto de entrada B, E
puerto de salida C, E

a) Característica de entrada (ib vs vbe)

La función que liga la corriente de entrada con el voltaje

de entrada es la de un diodo ib

n
ió
te

vbe / ηkt cc
ib = ib 0 (e − 1)
cor

u
nd
co

vbe

10

5
 Curvas características
b) Característica de salida (ic vs vce)

vce< vcesat

saturación, ic = ic(vce,ib)
ic

sat.
ib4
vce> vcesat activa ib3
ib2
zona activa, ic = ic(ib) ib1
ib= 0

vcesat vce

11

Resumen de las zonas de funcionamiento

Unión BE Unión BC Estado valores de las i

Directa Inversa Activa ib = 0 ic = ic(ib)=βib

Directa Directa Saturación ib = 0 ic = ic(ib, vbe)< βib

Inversa Inversa Corte ib = 0 ic =0

Inversa Directa Activa Inversa

La zona activa es cuando el transistor se comporta como una fuente

de corriente controlada por corriente ic= βib AMPLIFICACIÓN!!!

12

6
 TRANSISTOR BIPOLAR: FORMAS DE OPERACIÓN

1- Interruptor

2- Resistencia variable.
R out
v out = v cc ⋅
R s + rout

13

TRANSISTOR BIPOLAR: PRINCIPIO DE OPERACIÓN

Ej. NPN
C
C
UNIÓN UNIÓN ESTADO
BE BC N
PI PI CORTE ⇔
B
P B
PD PD SATURACIÓN
PD PI RAN N
E
PI PD RAI
E
RAN ≡ REGIÓN ACTIVA NORMAL
RAI ≡ REGIÓN ACTIVA INVERSA

14

7
 TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN DE CORTE

vBE < 0 y vBC < 0 ⇒ ambas uniones en inversa ⇒ no hay cargas

móviles ⇒ no hay corriente de mayoritarios.
Corriente de minoritarios muy pequeñas ⇒ a efectos prácticos ⇒
“CIRCUITO ABIERTO”.

15

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN REGIÓN DE CORTE

Unión BC en PI ⇒ IC ≈ 0
⇒ transistor en CORTE

VC
VB

a) IB = 0

16

8
 TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)
PD PI
-+ -+
Emisor
iE ic
Base iB
vBE vBC
Colector - + + -
E B C

N
h+
P

N
e-
v BE

i E = I EO (e ηV T
− 1)

17

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

IC

huecos

IB
electrones

IE

Base menos dopada que emisor

Fabricación para que sólo se recombine aprox. 1% de electrones
en la base.

18

9
 TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

Unión BE en PD ⇒ zona P
inyecta h+ en la N y ésta, e-
en la P.
Dopado base < dopado E ⇒
inyección h+ << inyección e- VC
⇒ el emisor inyecta e- en la
base, que se recombinan VB
con los h+ que provienen de
VB ⇒ se crea IB.

b) IC = 0

19

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN)

En régimen RAN, lo tres puntos

característicos son:
IC ≠ 0 : pese a que unión BC en
PI
Vcc
IB << IC
VBB
IC = αIB

c) con corriente de base

20

10
IC ≠ 0 : pese a que unión BC en PI
el emisor (N) inyecta e- (portadores mayoritarios en el emisor) en la
base (P) (aquí pasan a ser portadores minoritarios). Unión en inversa ⇒
conducción por portadores minoritarios (los e- anteriores en la base),
dando lugar a la IC.
IB << IC ;Normalmente, base más estrecha y poco dopada ⇒ los e- del
emisor se recombinan “poco en la base”, típicamente un 1 %.
IC = βIB; La corriente de e- que llega a la unión del colector se puede
expresar como una fracción α de la corriente total que cruza la unión
BE: iC = αiE
iC αi E
(Kirchhoff) iE = iB+iC ⇒ iB = (1- α)iE ⇒ i = (1 − )i ≡ β
B α E
β = ganancia directa o estática de corriente
α y β dependen tanto de los valores de dopado como de la geometría
del dispositivo.

21

REGIÓN ACTIVA NORMAL(RAN) : RESUMEN

Transistor Bipolar en RAN ⇔ amplificador de corriente.

22

11
Ejemplo: Calcular IB, IC e IE y VBE, VCE y VCE en el siguiente circuito, en
función del valor de VB.

C
B

23

TRANSISTOR BIPOLAR: REGIÓN DE SATURACIÓN

VCE SAT se ha elegido 0, pero puede elegirse cualquier otro valor sin
mas que poner una fuente dependiente de dicho valor entre el
emisor y el colector.

24

12
 Funciones del transistor BJT

a) Como interruptor

Un interruptor deja pasar o no la corriente en función de una

señal de control mecánica.
El transistor se comporta como un interruptor donde la señal de
control es electrónica. Los dos estados son corte y saturación
(abierto y cerrado respectivamente).
Este funcionamiento se denomina conmutación y es un
fenómeno indispensable en electrónica digital donde los
circuitos operan con 2 niveles de tensión, “0” y “1” lógicos.

25

vin

V2

T1
-V1 t

Para t < T1 => vin = -V1 => corte => ib=ic=0; vout =Vcc abierto

Para t < T1 => vin = V2 => saturación => ic< βib=0; vout =Vcesat~ 0 cerrado

abierto cerrado

26

13
b) Como resistencia variable

Vcc  = Vcc si R2 >>R1

Vout = R2 
R1 + R2  = 0 si R2 <<R1

Si Vbb< 0,7 V => Vout = Vcc

Si Vbb > 10 V => Vout = Vcesat~ 0

27

C) Como Amplificador

Esquema básico de un amplificador

Vcc polariza el transistor en un pto de

trabajo Q, vs es la pequeña señal
superpuesta a la polarización (señal
sinusoidal con el tiempo). Vs produce una
excursión de la corriente de base, de la
corriente de colector y del voltaje entre
colector y emisor.

AMPLIFICACION !!!

28

14
 Ic (mA)

ib = 120 µA ∆ ib =40 µA
30
∆ ic = 10 mA
ib = 80 µA
20
Q ∆ Vce = 4,4 mA
x
ib = 40 µA
10 ∆ ic / ∆ ib = 250

2 4 6 8 Vce (V)

vce = 2,8 V vce = 5,2 V

29

4.4 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO

(FET). Características principales:
 Tres terminales: drenador (D), puerta (G) y
fuente (S).
 La corriente principal (de drenador) se controla
por una tensión de entrada (tensión entre puerta
y fuente).
 La potencia de control es nula, es decir, no se
absorbe corriente por el terminal de control.
 Una señal muy débil puede controlar el
dispositivo.
 La tensión de control se emplea para crear un
campo eléctrico
30

15
 Ampliación de Física y Electrónica

4.4 EL TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO

(FET)
 Hay dos familias de transistores de efecto campo:
JFET y MOSFET.
 Comparados con los BJT, los MOSFET ocupan
menos espacio (mayor nivel de integración), su
proceso de fabricación es más simple.
 Gran número de funciones lógicas que pueden
implementarse sólo con transistores MOS (sin
resistencias ni diodos) ⇒ componente estrella en
Electrónica Digital
 Es un dispositivo simétrico.

31

Recapitulando:

•Dispositivo de tres terminales en que la corriente principal se controla

con una tensión. “Fuente de corriente controlada por tensión”.
•Dispositivo de alta impedancia, no absorbe corriente por el terminal
de control, potencia de control nula. “iIN = 0” ⇒ Una señal muy débil
puede controlar el dispositivo.
•JFET, MOSFET: características físicas muy distintas, pero todas las
características v-i en puerto de salida similares: EFECTO CAMPO.

D vGS regula iD modificando la

G
conductividad del canal que
iD
conecta el D y S
VGS
S VDS
Puerto Puerto
entrada salida

32

16
Figura 1: Esquemas de los diferentes tipos de
FET (de canal n).
JFET MOSFET de acumulación MOSFET de vaciamiento

Vds Vds Vds

(a) (b) (c)
iD iD iD
Vgs Vgs Vgs

S G D S G D S G D
n p n n p n n n

Sustrato (P) Sustrato (P)

Sustrato (P)

La variable Vgs es la que controla la corriente de drenador

El puerto de entrada es G-S y el de salida D-S
vGS regula iD modificando la conductividad del canal que
conecta el D y S

33

El JFET: un JFET de canal n se fabrica difundiendo

una zona tipo P en un canal de tipo n (figura 1a)

Símbolos transistores JFET

34

17
 PRINCIPIO DE OPERACIÓ
OPERACIÓN DEL NJFET

Al igual que sucede con los transistores BJT el

JFET tiene tres regiones de operación:
●Región de corte
●Región lineal
●Región de saturación
CUIDADO: la saturación alude a un fenómeno
completamente distinto al de los transistores BJT.

35

Regió
Región de corte

1 Unión G(P)-Canal(N) ⇔ diodo

Vgs <0 ⇒región de agotamiento ↑
⇓
anchura canal de conducción ↓

2
Vgs = Vp ≡POTENCIAL DE BLOQUEO
Vp < 0 !!
⇒ REGIÓN DE CORTE, ID = 0.

36

18
 Regió
Región lineal
Aplicamos VDS > 0 ⇒ ID de D → S
ID limitada por la resistencia del canal N
1 de conducción.
Dos casos posibles, |VDS| grande o
pequeño en comparación con VGS:
A) VDS PEQUEÑO
•VGS<0 y VDS >0 y PEQUEÑO en relación
a V GS.
2
anchura canal ∝(VGS-VP) ∝ ID.
ID ∝ (VGS-VP)
ID ∝VDS

REGIÓN LINEAL, ID ≈ (VGS-VP)• VDS

37

Regió
Región de saturació
saturación

B) VDS GRANDE
Ej.: anchura canal ∝(VGS -VP) ∝
⇓
VGS< 0 y VDS >0 y GRANDE en relación a
VGS.

Anchura del canal no es constante ⇒

Resistencia del canal no lineal !!
VDS ↑ t.q. “estrangulamiento” del canal
⇒ VDS > VGS-VP ⇔ VGD=VGS-VDS< VP
⇒ Región de SATURACIÓN.
ID ya no depende de VDS
38

19
 Curvas caracterí
características:

Curvas características: a) Id vs. Vgs para vds constante

b) Id vs. Vds para vgs constante
el JFET trabaja siempre en la zona de Vgs < 0

ID
ID

l
linea
saturación
IDSS Vgs= 0

VDS = cte Zona no -1

n
ió empleada
Corte Id=0

cc
n du -2
co iG > 0
IDSS -3

vGS vDS
VP
39

Resumen Regiones de funcionamiento del NJFET

a) Región de corte, Vgs < Vp ⇒ Id =0 Vp es el potencial de bloqueo

b) Región triodo, Vgs > Vp , Vds < Vgs-Vp

I dss  V 
Id = 2 V − V p − ds Vds
2  gs
Vp  2 
c) Región de saturación, Vgs > Vp , Vds > Vgs-Vp
2
Siempre Ig~ 0  Vgs 
I d = I dss  − 1
V 
Circuito equivalente  p 
D VP y VGS negativos en el
G
ID NJFET
VDS y IDSS positivos
S
40

20
El MOSFET
(Metal Óxido Semiconductor)

• Prestaciones similares a las del JFET aunque estructura

y funcionamiento diferentes.
• Dos tipos: de acumulación y de vaciamiento, de canal n
o canal p.
• En el MOSFET de acumulación se debe aplicar un
potencial positivo entre puerta y fuente (VGS> 0) para
que haya paso de corriente. En el de vaciamiento, sólo
si ese potencial es menor que un umbral negativo se
bloquea el paso de corriente.

41

Símbolos para el MOSFET

D D
Nosotros usaremos: G G

(canal N) S S
JFET MOSFET

42

21
NMOS de acumulació
acumulación: principio de operació
operación

aislante (SiO2), tox.

W: espesor 10-1 µm
L: longitud canal

vSB ≠ 0 en [Link] al
comportamiento del dispositivo
L
vSB =0 en dispositivos
discretos. (Para nosotros)

43

En inversa: región de
-+ agotamiento

•Vgs =0 y Vds >0 ⇒ iD = 0. Región de CORTE.

44

22
 iD
•Vgs >0 y Vds >0 ⇒ iD ≠ 0
Vgs ⇒
r en el óxido
E
⇓

zona de inversión ⇒
≥VTH.
⇒ creación del canal de conducción para Vgs≥

Región de conducción LINEAL: iD ∝Vds

≥VTH y aumentando ⇒ (Vgs - Vds )↓
•Vgs≥ ↓
⇒ estrangulamiento del canal en D

⇒Región iD no lineal con Vds: SATURACIÓN.

45

NMOS de vaciamiento: principio de operación

Canal ya creado:
Vgs = 0 y Vds>0 ⇒ iD ≠ 0

Vgs <VTH ⇒ CORTE:”expulsa los

e- del canal”.

Vds>>Vgs ⇒
iD independiente de
Vds

46

23
Curvas características del MOSFET: Vds constante.

De acumulación De vaciamiento

Id
Id
enriquecimento
del canal
empobrecimiento
del canal
ó n n
ci ci
ó
uc c
Corte n d Corte n du
co Id=0 co vgs
Id=0

vTH vgs vTH

47

Curvas características del MOSFET

De acumulación De vaciamiento
Id Id
l
linea

saturación
linea

Vgs= 6 saturación
Vgs= 1

5 0

4 -1

3 -2

vds vds
La diferencia está en el signo del voltaje umbral (positivo para
los de acumulación y negativo para los de vaciamiento)

48

24
 Regiones de funcionamiento

a) Región de corte Vgs< VTH ; ID = 0 G id=0 D

S
b) Región lineal Vgs> VTH , Vds< Vgs-VTH

µw
I d = K (2(Vgs − Vtr ) − Vds )Vds con K = C
2L

c) Región de saturación Vgs> VTH , Vds> Vgs-VTH

I d = K (V gs − Vtr )
2

49

Funciones del transistor FET

a) Como interruptor
Al igual que en el BJT una señal electrónica (Vgs) controla si el
FET está en corte o en conducción. Son muy utilizados en
electrónica digital para la conmutación

vin

t
T1
-V1

Para t < T1 ⇒ vin = vgs = 0 conducción

Para t > T1 ⇒ vin = vgs = -V1 corte

50

25
Funciones del transistor FET

b) Como resistencia variable

Mosfet de acumulación con los terminales de drenaje y puerta
cortocircuitados ⇒Vgs = Vds

Id Resistencia no lineal

Vgs= 5

vds
Notar: Vgs - VTH < Vds ⇒saturación
51

Funciones del transistor FET

c) Como Amplificador
Se usa la propiedad de ser fuente de corriente controlada por
tensión. Zona de saturación. Una pequeña variación en Vgs
produce una gran variación en Vds
Id ∆Vds= 10 V
∆Vgs = 1 V
Vgs= 0

-1

-1.5

-2

vds
5 10 15 20 25

52

26