Tarea 8:
Tipos de nodos LD.
Alumno:
Aron Francisco Banda Godoy
NUA:
380677
Correo electrónico:
[Link]@[Link]
Departamento:
Departamento de estudios multidisciplinarios
Carrera:
Licenciatura en ingeniería en comunicaciones y electrónica
UDA:
Fibras ópticas
Profesor:
MATA CHAVEZ RUTH IVONNE
Los nodos LD (Laser Diode) son componentes cruciales en muchas aplicaciones ópticas y
electrónicas, como en sistemas de telecomunicaciones, almacenamiento óptico, y equipos de
medición y sensado. Los diodos láser emiten luz coherente y de alta intensidad cuando se les
aplica una corriente eléctrica.
1. Diodo Láser de Heteroestructura Simple
Descripción: Estos diodos consisten en una única capa activa de material semiconductor situada
entre dos capas de material semiconductor con diferentes bandas prohibidas.
Uso: Aplicaciones generales donde se requiere un diodo láser simple y eficiente.
Ventajas: Estructura relativamente sencilla y fácil de fabricar.
Desventajas: Menor eficiencia comparada con estructuras más avanzadas.
2. Diodo Láser de Heteroestructura Doble
Descripción: Presenta dos capas de material semiconductor con diferentes bandas prohibidas,
creando una mejor confinación de los electrones y huecos en la capa activa.
Uso: Telecomunicaciones, láseres de alta eficiencia.
Ventajas: Mayor eficiencia y mejor rendimiento debido a la mejor confinación de portadores.
Desventajas: Proceso de fabricación más complejo.
3. Diodo Láser de Pozo Cuántico (Quantum Well Laser)
Descripción: Utiliza una o más capas de pozo cuántico en la región activa, lo que permite un
control preciso de las propiedades electrónicas y ópticas.
Uso: Telecomunicaciones de alta velocidad, aplicaciones en dispositivos de alta potencia.
Ventajas: Alta eficiencia y capacidad de operar a longitudes de onda específicas.
Desventajas: Fabricación más compleja y costosa.
4. Diodo Láser de Punto Cuántico (Quantum Dot Laser)
Descripción: Similar a los diodos láser de pozo cuántico, pero utiliza puntos cuánticos en la capa
activa para mejorar la eficiencia y estabilidad de las propiedades ópticas.
Uso: Aplicaciones avanzadas en telecomunicaciones y optoelectrónica.
Ventajas: Alta eficiencia, bajo umbral de operación y estabilidad mejorada.
Desventajas: Tecnología más reciente y costosa de fabricar.
5. Diodo Láser VCSEL (Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)
Descripción: Emite luz perpendicularmente a la superficie del chip, a diferencia de los diodos
láser tradicionales que emiten luz a lo largo del plano del chip.
Uso: Redes de datos de alta velocidad, sensores ópticos, comunicaciones ópticas.
Ventajas: Alta eficiencia, baja potencia de umbral, capacidad de ser fabricado en matrices.
Desventajas: Limitado a ciertas aplicaciones debido a su estructura específica.
6. Diodo Láser de Emisión de Superficie Distribuida (DFB, Distributed Feedback Laser)
Descripción: Integra una estructura de rejilla de difracción en la cavidad del láser para
proporcionar retroalimentación óptica distribuida.
Uso: Telecomunicaciones, redes de fibra óptica.
Ventajas: Emisión de longitud de onda estable y estrecha.
Desventajas: Proceso de fabricación más complejo y costoso.
7. Diodo Láser de Emisión por Retroalimentación Bragg Distribuida (DBR, Distributed Bragg
Reflector Laser)
Descripción: Similar a los DFB, pero con reflectores de Bragg en los extremos de la cavidad del
láser.
Uso: Telecomunicaciones y aplicaciones que requieren alta pureza espectral.
Ventajas: Alta selectividad de longitud de onda y estabilidad.
Desventajas: Fabricación compleja.
8. Diodo Láser de Emisión en Modo Lateral Único
Descripción: Diseñado para emitir en un solo modo lateral para obtener una emisión
espectralmente pura.
Uso: Telecomunicaciones, aplicaciones científicas.
Ventajas: Emisión de alta calidad con una sola longitud de onda dominante.
Desventajas: Puede requerir técnicas adicionales para estabilizar la emisión.
9. Diodo Láser Tunable
Descripción: Puede ajustar su longitud de onda de emisión en un rango específico.
Uso: Telecomunicaciones de banda ancha, aplicaciones en espectroscopia.
Ventajas: Flex
