SERVICIO NACIONAL DE ADIESTRAMIENTO EN TRABAJO
INDUSTRIAL
DIRECCIÓN ZONAL Lambayeque – Chiclayo
Electrónica de Potencia
ESCUELA / CFP: ELECTRICIDAD INDUSTRIAL
NOMBRE DE LA TAREA: Electrónica de Potencia
Alumno: Max Junior Carlos Cajo
CHICLAYO, PERU
2020
1. ¿Cuáles son las características del diodo de potencia?
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que, dentro de sus límites de tensión y
corriente, permite la circulación de corriente en un único sentido. Detalles de
funcionamiento, generalmente despreciados para los diodos de señal, pueden ser
significativos para componentes de mayor potencia, caracterizados por un área mayor
(para permitir mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar tensiones inversas
más elevadas). La figura 2.1 muestra la estructura interna de un diodo de potencia.
Como se puede observar en la figura anterior, el diodo está formado por una sola
unión PN, aunque la estructura de un diodo de potencia es algo diferente a la de un
diodo de señal, puesto que en este caso existe una región N intermediaria con un bajo
dopaje. El papel de esta región es permitir al componente soportar tensiones inversas
más elevadas. Esta región de pequeña densidad de dopaje dará al diodo una
significativa característica resistiva en polarización directa, la cual se vuelve más
significativa cuanto mayor sea la tensión que ha de soportar el componente. Las capas
que hacen los contactos externos son altamente dopadas, para obtener un contacto
con características óhmicas y no del tipo semiconductor.
La figura siguiente muestra el símbolo y la característica estática corriente-tensión de
un diodo de potencia.
La tensión VF que se indica en la curva estática corriente-tensión se refiere a la caída
de tensión cuando el diodo está conduciendo (polarización directa). Para diodos de
potencia, ésta tensión de caída en conducción directa oscila aproximadamente entre 1
y 2 Volts.
Además, esta caída depende de la corriente que circule, teniéndose una característica
corriente - tensión bastante lineal en la zona de conducción. Esta relación se conoce
como la resistencia en conducción del diodo, abreviada por Ron y que se puede
obtener como el inverso de la pendiente de la asíntota de la curva estática en la zona
de polarización directa. La tensión VR representa la tensión de ruptura del dispositivo
(“Breakdown Voltage”) o, lo que es lo mismo, la máxima tensión inversa que puede
soportar el diodo cuando éste está bloqueado (polarización inversa).
Un diodo de potencia puede soportar tensiones inversas elevadas. Si se supera el
valor de tensión de ruptura especificado por el fabricante, el diodo puede llegar a
destruirse por excesiva circulación de corriente inversa y en definitiva, por excesiva
disipación de potencia. Los diodos de potencia pueden llegar a soportar tensiones de
ruptura de kiloVolts (kV), y pueden conducir corrientes de kiloAmperes (kA).
Evidentemente, el tamaño del diodo condiciona sus características eléctricas,
llegándose a tener diodos con tamaños del orden de varios cm2.
Como ya se ha mencionado, los diodos son interruptores unidireccionales en los
cuales no puede circular corriente en sentido contrario al de conducción. El único
procedimiento de control consiste en invertir la tensión ánodo cátodo, no disponiendo
de ningún terminal de control. En régimen transitorio cabe destacar dos fenómenos:
1) Recuperación Inversa: El paso de conducción a bloqueo no se efectúa
instantáneamente. Cuando el diodo conduce una corriente I en polarización directa, la
zona central de la unión está saturada de portadores mayoritarios, y aunque un circuito
externo fuerce la anulación de la corriente aplicándole una tensión inversa, cuando la
corriente pasa por cero aún existe una cantidad de portadores que cambian su sentido
de movimiento y permiten la conducción de una corriente inversa durante un tiempo,
denominado tiempo de recuperación inverso (trr), tal como se muestra en la figura 2.3.
Los parámetros definidos en el proceso de bloqueo dependen de la corriente directa,
de la derivada de la corriente (di/dt) y de la tensión inversa aplicada. El tiempo de
recuperación de un diodo normal es del orden de 10microSeg, siendo el de los diodos
rápidos del orden de algunos nanosegundos.
2) Recuperación Directa: Es otro fenómeno de retardo de menor importancia que el
anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conducción, y cuyo efecto se muestra
también en la figura 2.3.
En el proceso de puesta en conducción, la respuesta del diodo es inicialmente de
bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobre tensión Vfp,
ocasionada por la modulación de la conductividad del diodo durante la inyección de
portadores minoritarios. Así el diodo se asemeja a una resistencia donde su valor
decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente está relacionada con la
concentración de portadores minoritarios inyectados. Por tanto Vfp depende de la
anchura y resistividad de la zona central del diodo.
Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos:
Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una caída de tensión directa
muy pequeña (0,3 V típicos) para circuitos con tensiones reducidas de salida.
No soportan tensiones inversas superiores a 50 – 100 V
Diodos de recuperación rápida: Son adecuados en circuitos de frecuencia
elevada en combinación con interruptores controlables, donde se necesitan
tiempos de recuperación pequeños. Para unos niveles de potencia de varios
cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un tiempo
de recuperación inversas (trr) de pocos nanosegundos.
Diodos rectificadores o de frecuencia de línea: La tensión en el estado de
conducción (ON) de estos diodos es la más pequeña posible, y como
consecuencia tienen un trr grande, el cual es únicamente aceptable en
aplicaciones de la frecuencia de línea. Estos diodos son capaces de bloquear
varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Se pueden conectar en serie
y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensión o de corriente.
2. ¿Cómo se configura un rectificador trifásico no controlado
Un rectificador trifásico o convertidor trifásico es un dispositivo electrónico capaz de
convertir una corriente alterna de entrada en una corriente continua de salida,
mediante dispositivos semiconductores capaces de manejar grandes potencias
como diodos, tiristores, válvulas de mercurio (usados hace más de 100 años), entre
otros. El rectificador trifásico cumple con la misma función que un rectificador
monofásico, con la diferencia que estos rectificadores son alimentados por
fuentes trifásicas, por lo que son más eficientes y pueden manejar grandes potencias,
ya que en su salida presentan menor rizado de la señal. Son utilizados principalmente
en la industria para producir voltajes y corrientes continuas que generalmente
impulsan cargas de gran potencia, como motores DC. A pesar de que estos
rectificadores presentan menos rizo que un rectificador convencional, en muchas
aplicaciones el factor de potencia y la distorsión armónica total de la línea se ven
afectados, es por ello que se requiere el uso de filtros de armónicos. Una de las
aplicaciones en donde se presenta este fenómeno, es en los enlaces de transmisión
de alto voltaje (HVDC), en donde las estaciones de conversión cuentan con filtros de
armónicos que reducen la distorsión en la señal que producen los convertidores, para
que sea transmitida con calidad y no se introduzcan perturbaciones a la red eléctrica.
