Electrónica Analógica III
Dr. Fernando Ornelas Tellez
UNIDAD III - Elementos de Electrónica de Potencia
Electrónica Analógica III
Unidad III: Descripción de los Elementos de Electrónica de Potencia
Objetivo del capítulo: Que el alumno comprenda el funcionamiento de los principales
elementos de electrónica de potencia y sus características eléctricas más importantes,
así como su campo de aplicación.
3.1 Diodos de Potencia
3.2 Transistores de Potencia
3.3 El circuito Cerrojo
3.4 Transistores de Monounión
3.5 Rectificador Controlado de Silicio (SCR)
3.6 Tiristor con apagado por compuerta
3.7 Tiristor de Corriente Alterna (TRIAC)
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Electrónica Analógica III
3.1 Diodos de Potencia
Un diodo semiconductor es una estructura P-N que,
dentro de sus límites de tensión y corriente, permite la
circulación de corriente en un único sentido.
Caracterizados por un área mayor (para permitir
mayores corrientes) y mayor longitud (para soportar
tensiones inversas más elevadas).
Existe una región N intermediaria con un bajo dopaje.
El papel de esta región es permitir al componente
soportar tensiones inversas más elevadas.
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Electrónica Analógica III
Características Voltaje -- Corriente
Para diodos de potencia, VF oscila aproximadamente entre 1 y 2 Volts. VR aprox. kV y puede conducir
corrientes del orden de kA
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3.1 Diodos de Potencia
Características Voltaje -- Corriente
Los diodos son interruptores unidireccionales. No puede circular corriente en
sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control consiste en
invertir la tensión ánodo cátodo, no disponiendo de ningún terminal de control.
En régimen estacionario se tiene:
Recuperación inversa trr (10 us):
Recuperación directa:
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3.1 Diodos de Potencia
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3.1 Diodos de Potencia
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3.1 Diodos de Potencia
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3.1 Diodos de Potencia
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3.1 Diodos de Potencia
Otros diodos:
● Diodos Schottky: Su tensión VF es de aprox 0.3 V y VR aprox 50-100 V
● En los diodos rápidos, el trr es aprox. de nanosegundos
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3.1 Diodos de Potencia
Otros diodos:
● Diodos Rectificadores o de Frecuencia de Línea: Se busca que se su VF sea
lo más pequeña posible, y su trr es grande (no impacta mucho a bajas
frecuencias, como la de la línea)
● Los diodos se pueden conectar en serie y/o paralelo para satisfacer los
valores de tensión o corriente deseados.
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3.1 Diodos de Potencia
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3.1 Diodos de Potencia
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3.2 Transistores de Potencia
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3.2 Transistores de Potencia
En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente se utilizan como
interruptores. Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan
para que éstos trabajen en la zona de saturación (conducción) o en la zona de
corte (bloqueo). Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los
transistores, como por ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor
trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras
que, por ejemplo, el SCR o el TRIAC sólo dispone de control de la puesta en
conducción. Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de
potencia incluyen los transistores BJT, los MOSFET y dispositivos híbridos, como
por ejemplo, los transistores de unión bipolar de puerta aislada (IGBT).
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3.2 Transistores de Potencia
Más conocidos como BJTs (“Bipolar Junction Transistors”), básicamente se trata
de interruptores de potencia controlados por corriente. Como el lector recordará
existen dos tipos fundamentales, los “npn” y los “pnp”, si bien en Electrónica de
Potencia los más usuales y utilizados son los primeros.
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3.2 Transistores de Potencia
En el caso de un transistor npn, los electrones son atraídos del emisor por el
potencial positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que
la mayor parte de los portadores tenga energía cinética suficiente para
atravesarla, llegando a la región de transición de J2, siendo entonces atraídos por
el potencial positivo del colector.
El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona
con Ic por la ganancia de corriente del dispositivo.
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3.2 Transistores de Potencia
En la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia
(TBP) es diferente. Para soportar tensiones elevadas, existe una capa
intermediaria del colector, con baja concentración de impurezas (bajo dopado), la
cual define la tensión de bloqueo del componente.
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3.2 Transistores de Potencia
● Los transistores bipolares son fáciles de controlar por su Base. Su principal ventaja
es la baja caída de tensión en saturación.
● En Electrónica de Potencia, interesa trabajar en la zona de corte y saturación, dado
que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el rendimiento
del sistema puede llegar a ser muy pequeño.
● Las diferencias básicas entre los transistores bipolares de señal y los de potencia
son bastante significativas. En primer lugar, la tensión colector-emisor en saturación
suele estar entre 1 y 2 Volts, a diferencia de los 0,2-0,3 Volts de caída en un
transistor de señal.
● Otra diferencia importante es que la ganancia de un transistor de potencia suele ser
bastante pequeña. Ello conlleva que debido a las grandes corrientes de colector
que se deben manejar, la corriente por la base debe ser también elevada,
complicando el circuito de control de base del transistor. Para transistores de señal
se suelen obtener valores de ganancia entorno a 200, mientras que para
transistores de potencia es difícil llegar a obtener valores de ganancia de 50.
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3.2 Transistores de Potencia
● Si por ejemplo un TBP con β = 20 va a conducir una corriente de colector de 60 A, la
corriente de base tendría que ser mayor que 3 A para saturar el transistor. El circuito de
excitación (“driver”) que proporciona esta alta corriente de base es un circuito de potencia
importante por sí mismo.
● En general los transistores bipolares se utilizan para potencias medias, y frecuencias de
trabajo medias (hasta unos 40 kHz).
● Para evitar esta problemática se suelen utilizar transistores de potencia en configuraciones
tipo Darlington, donde se conectan varios transistores de una forma estratégica para
aumentar la ganancia total del transistor.
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3.2 FET y MOSFET
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3.2 FET ( Field Effect Transistors)
El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un
campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P
llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre sí. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente
(source) y el tercer terminal es la compuerta (gate). La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado
de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenador (D) a Fuente (S).
Polarización: La terminal del Drenador se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vds) y la compuerta o gate se
polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgs). A mayor voltaje -Vgs, más angosto es el canal y más difícil para la corriente
pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente (source). La tensión -Vgs para la que el canal queda cerrado se llama
"punch-off" y es diferente para cada FET.
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3.2 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
Los MOSFET son transistores controlados por tensión, debido al aislamiento (óxido de Silicio) de la
puerta respecto al resto del dispositivo.
Existen dos tipos básicos de MOSFET, los de canal n y los de canal p. En Electrónica de Potencia los
más comunes son los primeros, por presentar menores pérdidas y mayor velocidad de conmutación
(incluso mayores que los BJTs).
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3.2 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
El terminal de puerta G (Gate) está aislado del semiconductor por óxido de silicio (SiO2). La unión PN define un diodo entre la
Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce cuando VDS < 0. El funcionamiento como transistor ocurre cuando
VDS > 0.
Cuando una tensión VGS > 0 es aplicada, el potencial positivo en la puerta repele los agujeros en la región P, dejando una carga
negativa, pero sin portadores libres. Cuando esta tensión alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados
principalmente por efecto térmico) presentes en la región P son atraídos y forman un canal N dentro de la región P, por el cual se
hace posible la circulación de corriente entre D y S.
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3.2 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
De forma análoga a los bipolares, se tienen tres zonas de trabajo:
Corte: Cuando V_GS < V_T, entonces el dispositivo se comporta como un interruptor abierto.
Óhmica: Si la tensión entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande, entonces la
tensión entre el drenador y la fuente es pequeña, y el transistor se comporta como un interruptor cerrado,
modelado por una resistencia, denominada RON.
Saturación: Si el transistor está cerrado pero soporta una tensión drenador-surtidor elevada, éste se
comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la tensión entre la puerta y el surtidor.
La disipación de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto tensión-corriente es alto.
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3.2 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors)
En Electrónica de Potencia interesa que un MOSFET trabaje en corte o en óhmica (interruptor abierto o
cerrado).
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es su potencia reducida. Sin embargo, son los
transistores más rápidos que existen, lográndose altas velocidades de conmutación (del orden de 1MHz,
algo difícil para los BJT).
Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conducción RON varía
mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que NO se tiene un comportamiento de
interruptor cercano al ideal, como en el caso de los bipolares. Sin embargo, su ventaja más relevante es
la facilidad de control gracias al aislamiento de la puerta. El consumo de corriente de puerta es
insignificante y se simplifica el diseño del circuito de disparo (driver) y control correspondiente.
Para evitar los inconvenientes del MOSFET y del bipolar, y aprovechar las ventajas de ambos, los
fabricantes han introducido un dispositivo nuevo, denominado IGBT que se describe en el siguiente
apartado.
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3.2.2 IGBT
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3.2.2 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT: es un dispositivo híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores descritos en los
apartados anteriores, o sea, el IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con las
pequeñas pérdidas en conducción de los BJT de potencia.
La puerta está aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente
sencillo. Alcanza frecuencias de conmutación del orden de los kHz y conducción de decenas de
amperios.
Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor es
muy cercano a lo ideal.
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3.2.2 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero con la inclusión de una capa P+ que forma el colector del IGBT
Soporta potencias y tensiones elevadas (hasta 2 kV, no soportado por los MOSFET, pero operando a una frecuencia
menor)
El control del componente es análogo al del MOSFET, o sea, por la aplicación de una polarización entre puerta y emisor.
También para el IGBT el accionamiento o disparo se hace por tensión.
Un IGBT no soporta tensiones tan elevadas cuando es polarizado inversamente.
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3.2.2 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
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3.2.2 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
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Pérdidas por Conducción y Conmutación
Una problemática de los semiconductores de potencia está relacionada con sus
pérdidas y con la máxima disipación de potencia que pueden alcanzar.
Si se supera la temperatura máxima de la unión (uniones entre distintos tipos de
semiconductores) en el interior de un dispositivo, éste se destruye rápidamente,
por lo que es necesario usar disipadores (algunos de gran tamaño).
Existen dos mecanismos que provocan las pérdidas. Lo que se denominan
pérdidas en conducción, es decir, cuando el interruptor está cerrado y por tanto
hay circulación de corriente. Por ejemplo, un MOSFET cuando está cerrado se
comporta como una resistencia de valor Ron, de manera que disipa una potencia
que vale aproximadamente Ron I2 ...
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Pérdidas por Conducción y Conmutación
Además existen unas pérdidas adicionales, denominadas pérdidas en
conmutación, que se producen cuando un semiconductor pasa del estado de
bloqueo a conducción y viceversa. Las transiciones de corriente y tensión en el
semiconductor no son instantáneas ni perfectas, con lo que en cada conmutación
se producen unas determinadas pérdidas, las cuales incrementan con una alta
frecuencia de conmutación.
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Comparativa entre Dispositivos de Potencia
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3.4 Transistor Monounión (UJT) y
Uniunión Programable (PUT)
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3.4 Transistor Monounión (UJT, Unijunction transistor)
El en transistor uniunión (UJT) y el transistor uniunión programable (PUT), se produce un paso brusco del estado de bloqueo al estado conductor,
con la diferencia, respecto al del tiristor, en que este paso se produce cuando una tensión de control rebasa un valor determinado.
El UJT es un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N de cuyos extremos se obtienen los terminales base 2 (B2) y base 1 (B1). Esta barra
de silicio consta de un grado de dopado característico que le proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (RBB). En un punto
determinado de la barra, más próximo a B2 que a B1 se incrusta un material tipo P para formar una unión P-N, dando lugar al terminal dé emisor (E).
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3.4 Transistor Monounión (UJT, Unijunction transistor)
Considerando el lugar de inserción del material tipo P, se obtiene un divisor de
tensión sobre la resistencia RBB . Este dispositivo no se utiliza en amplificación lineal, sino que se
reserva para aplicaciones de conmutación como interruptor. Se
utiliza ampliamente en los circuitos de disparo de los
rectificadores controlados por silicio y TRIACs. Su bajo costo y
sus características, han garantizado su uso en una amplia
variedad de aplicaciones como osciladores, generadores de
impulsos, generadores de onda diente de sierra, circuitos de
temporización y fuentes reguladas.
Los transistores unijuntura se consideran
obsoletos, sin embargo, un dispositivo multicapa
denominado transistor unijuntura programable
(PUT del inglés Programmable Unijuntion
Transistor), desarrollado posteriormente, sigue
disponible.
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3.4 Transistor Monounión (UJT, Unijunction transistor)
Para VEE=0 y VBB distinto de 0, fluirá una corriente en el material tipo N, y el
voltaje en el Cátodo del diodo será
Cuando el voltaje VEE alcanza el valor el diodo se polariza
directamente, lo que ocasiona la conducción de corriente.
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3.4 Transistor Monounión (UJT, Unijunction transistor)
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3.4 Transistor Monounión Programable (PUT)
Es un elemento cuyo comportamiento es similar al UJT, con la diferencia de que
la relación puede programarse mediante un divisor de tensión exterior.
A pesar de llamarse transistor, su estructura es la de un tiristor en el que el
terminal de puerta G se toma del lado del ánodo en lugar del de cátodo.
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3.4 Transistor Monounión Programable (PUT)
Para una Vs determinada y mientras VAA permanezca inferior a Vs, la corriente de ánodo es
despreciable, estando el PUT en estado de bloqueo. Si la tensión VAA supera en cierta cantidad a Vs, se
produce una inyección de portadores en el diodo formado por A y GA dando lugar a un efecto de
avalancha que provoca el cebado del PUT. Al valor VAK necesario para provocar el cebado se le llama
tensión de pico (Vp), como en el UJT.
Estando cebado el PUT, si se reduce la tensión VAA de manera que la corriente de ánodo pase por
debajo de un valor llamado de valle (Iv), se pasa al estado de bloqueo, al igual que ocurría en el UJT.
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3.4 Osciladores de Relajación con UJT y PUT
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3.4 Transistor Monounión (UJT)
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3.4 Transistor Monounión (UJT)
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3.5 Tiristor
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3.5 Tiristor
El tiristor engloba una familia de dispositivos semiconductores que trabajan en
conmutación, teniendo en común una estructura de cuatro capas
semiconductoras en una secuencia P-N-P-N.
La conmutación desde el estado de bloqueo (“OFF”) al estado de conducción
(“ON”) se realiza normalmente por una señal de control externa. La conmutación
desde el estado “ON” al estado “OFF” se produce cuando la corriente por el
tiristor es más pequeña que un determinado valor, denominada corriente de
mantenimiento, (“holding current”), específica para cada tiristor.
Dentro de la familia de los tiristores podemos destacar los SCRs (tiristores
unidireccionales) y TRIACs (tiristores bidireccionales).
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3.5 Tiristor, SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
El SCR es uno de los dispositivos más antiguos (data de finales de los años 50). Continua siendo el dispositivo que tiene
mayor capacidad para controlar potencia (soportar mayores tensiones inversas y mayor circulación de corriente).
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3.5 Tiristor, SCR (Rectificador Controlado de Silicio)
Si entre ánodo y cátodo tenemos una tensión positiva, las uniones J1 y J3 estarán directamente polarizadas, en cuanto
que la unión J2 estará inversamente polarizada. No habrá conducción de corriente hasta que la tensión V AK aumente hasta
un valor que provoque la ruptura de la barrera de potencial en J2.
Si hay una tensión VGK positiva, circulará una corriente a través de J3, con portadores negativos yendo del cátodo hacia la
puerta.
Cuando la tensión VAK es negativa, J1 y J3 quedarán inversamente polarizadas, en cuanto que J2 quedará directamente
polarizada. Para que el SCR deje de conducir es necesario que su corriente caiga por debajo del valor mínimo de
mantenimiento (IH)
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3.5 Tiristor
Una vez que el SCR empieza a conducir, éste permanece en conducción (estado ON), aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo
ser bloqueado por pulso de puerta. Únicamente cuando la corriente del ánodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia
del circuito de potencia, el SCR pasará a estado de bloqueo.
En régimen estático, se pueden distinguir tres regiones de funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso (vAK < 0): Ésta condición corresponde al estado de no conducción en inversa, comportándose como un diodo.
2. Zona de bloqueo directo (vAK > 0 sin disparo): El SCR se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensión de ruptura directa.
3. Zona de conducción (vAK > 0 con disparo): El SCR se comporta como un interruptor cerrado, si una vez ha ocurrido el disparo, por el
dispositivo circula una corriente superior a la de enclavamiento. Una vez en conducción, se mantendrá en dicho estado si el valor de la corriente
ánodo cátodo es superior a la corriente de mantenimiento.
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3.5 Tiristor
Circuito básico de funcionamiento
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3.5 Tiristor
Cebado del Tiristor: Disparo por compuerta (normal), mientras que se pueden
tener otros métodos de disparo no deseados, tales como: disparo por tensión
excesiva, disparo por derivada de tensión (ante escalones de voltaje), disparo por
temperatura (generación de portadores libres), disparo por luz.
Los tiristores diseñados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles
LASCR (“Light Activated SCR”) suelen ser de pequeña potencia y permiten un
aislamiento óptico entre el circuito de control y el circuito de potencia.
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3.5 Tiristor
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3.6 TRIAC
El TRIAC (“Triode of Alternating Current”) es un tiristor bidireccional de tres terminales. Permite el paso de corriente del
terminal A1 al A2 y vivecersa, y puede ser disparado con tensiones de puerta de ambos signos.
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3.7 GTO (Gate Turn-OFF Thyristor)
A pesar de que el GTO fue inventado en el inicio de la década de los años 60, ha sido poco empleado debido a sus
reducidas prestaciones. Con los diseños actuales, se han logrado aplicaciones de elevada potencia, con dispositivos que
alcanzan los 5000 V y los 4000 A.
En el SCR o TRIAC no se tiene control externo por parte del usuario del paso de conducción a bloqueo.
El GTO es un tiristor con capacidad externa de bloqueo. La puerta permite controlar las dos transiciones: paso de bloqueo
a conducción y viceversa.
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3.7 GTO (Gate Turn-OFF Thyristor)
El mecanismo de disparo es parecido al del SCR.
DESVENTAJA: Al contrario del SCR, un GTO puede no tener gran capacidad de bloquear tensiones inversas, y manejan
potencias inferiores al SCR.
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3.7 GTO (Gate Turn-OFF Thyristor)
La aplicación de una polarización inversa en la unión puerta-cátodo puede llevar a la abertura o bloqueo del GTO. Con ello
se tiene un control total del estado del semiconductor en cualquier momento. Portadores libres (agujeros) presentes en las
capas centrales del dispositivo son atraídas por la puerta, haciendo que sea posible el restablecimiento de la barrera de
potencial en la unión J2.
Aparentemente tal comportamiento también sería posible en el SCR. Pero, en realidad, las diferencias están en el nivel de
construcción del componente. El funcionamiento como GTO depende, por ejemplo, de factores como: Facilidad de
extracción de portadores por el terminal de puerta, Rápida desaparición de portadores en las capas centrales, Soportar
tensión inversa en la unión puerta-cátodo, sin entrar en avalancha
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Comparativa entre Dispositivos de Potencia
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