I N S T I T U TO P O L I T É C N I C O N A C I O N A L

E S C U E L A S U P E R I O R D E I N G E N I E R Í A
M E C Á N I C A Y E L É C T R I C A U N I D A D
Z A C AT E N C O

PRÁCTICA 8
Caracterización del
JFET, MOSFET y BUZ.

Alumno: Bautista Sánchez Amisadai

Grupo: 5CV2
Maestra: Arevalo Gonzalez Elizabeth
Materia: Dispositivos
PERIODO 2024/2

1
 INDICE
OBJETIVO ................................................................................................................................ 3
LISTA DE MATERIALES ............................................................. ¡Error! Marcador no definido.
TAREA PREVIA ......................................................................... ¡Error! Marcador no definido.
CÁCULOS ................................................................................. ¡Error! Marcador no definido.
DESARROLLO ........................................................................... ¡Error! Marcador no definido.
1.2. Anotar las observaciones y conclusiones. .............. ¡Error! Marcador no definido.
1.3.1. Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.4.1. Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.5.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.6.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.7.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.8.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.9.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.10.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
1.11.1 Anotar las observaciones y conclusiones. .......... ¡Error! Marcador no definido.
CONCLUSIONES ....................................................................... ¡Error! Marcador no definido.
BIBLIOGRAFIAS........................................................................ ¡Error! Marcador no definido.

2
OBJETIVO
• El alumno Identificará las terminales del JFET, del MOSFET y del BUZ, con la ayuda
del manual del fabricante.
• El alumno obtendrá las curvas características de entrada del JFET, del MOSFET y del
BUZ; empleando el osciloscopio en modo de graficador XY, y reportará los valores
medidos de corriente ID y voltaje VGS.
• El alumno obtendrá las curvas características de salida del JFET, del MOSFET y del
BUZ; empleando el osciloscopio en modo de graficador XY, y reportará los valores
medidos de corriente ID y voltaje VDS.
• El alumno observará y reportará como afecta la temperatura en el JFET, del MOSFET
y del BUZ.

LISTA DE MATERIALES
• 1 transistor MOSFET NPN IRZ24
• 1 transistor BUZ 41A
• 1 transistor JFET 2N5457
• Resistores 1 MΩ, 10K,1K
• 1 diodo 1N4004
• 1 capacitor de 10 µFd electrolitico

TAREA PREVIA
1. Investigar y reportar las características eléctricas de funcionamiento de los
transistores JFET, MOSFET y BUZ.
• JFET
“ Juntion Field Effect Transistor" o FET significa Transistor de efecto de campo de
unión, es decir transistores que conducen por un campo eléctrico, parecido a un
condensador. El transistor de efecto de campo de unión o JFET es un dispositivo
semiconductor unipolar de tres terminales.
Es básicamente una barra semiconductora N o P (canal), en unión con otros dos
semiconductores contrarios al tipo del canal. Si el Canal es de semiconductor N,
los otros 2 semiconductores serán P. Si el Canal es de semiconductor P, los otros
2 semiconductores serán N.

Tiene 3 patillas unidas a los semiconductores por contactos óhmicos, El

drenador (D) y la fuente (F) en los extremos del canal, y otra patilla llamada
Puerta o Gate (G) en uno de los otros 2 semiconductores.

3
El transistor JFET sirve para controlar una corriente que va a circular del drenador a
la fuente (ID). Es similar al transistor bipolar que controlamos una corriente del
emisor al colector. La corriente se controlaba por otra corriente entre la base y el
emisor del transistor bipolar. Pero en el JFET la corriente entre drenador y la fuente
se controla por medio de una tensión. La tensión que habrá entra la puerta (G) y la
fuente (F). Para explicar esto es necesario conocer el funcionamiento con
polarización inversa de la unión PN. En una unión PN la zona donde se unen los 2
semiconductores se llama zona de agotamiento.

Esta zona de agotamiento es una zona en donde los electrones se

unen a los huecos y no existen portadores de carga, es decir no
electrones ni huecos sueltos. Si se polariza inversamente la unión
PN, es decir el semiconductor P al negativo y el N al positivo de la
tensión, entonces la zona de agotamiento aumenta con el aumento de la tensión
polarizada inversamente.

Ahora vamos a nuestro JFET, que utilizaremos uno de canal N para explicarlo,
aunque la explicación serviría también para los del canal P. En un JFET de canal N
tenemos unas 2 uniones PN entre las gate (G), que es semiconductor P y la fuente
(N) que es el canal y la otra entre el otro semiconductor P y el canal. La que nos
interesa es la unión PN entre G y el canal.

Al aumentar VGS, la corriente entre el drenador (D) y la fuente (S) disminuye. Es

decir, entre mayor sea VGS menor será ID.
Si esta unión PN la polarizamos inversamente, es decir la G que es P al negativo y la
S que es N al positivo, tenemos la tensión VGS de la imagen de arriba. Al aumentar
esta tensión aumentará la zona de agotamiento, como ya vimos, y por lo tanto
disminuirá el ancho del canal, lo que hace que tendrá más resistencia al paso de la
corriente. La zona de agotamiento a veces también se llama zona de deplexión.

Corriente de Drenaje (Drain Current - ID):

▪ La corriente de drenaje es la corriente que fluye desde el drenaje hacia la
fuente cuando el JFET está en conducción.
▪ Está controlada principalmente por la tensión entre la compuerta y la fuente.
▪ Transferencia de Características (Curva ID-VGS):
▪ La relación entre la corriente de drenaje (ID) y la tensión entre la compuerta
y la fuente (VGS) se representa en la transferencia de características.

4
 ▪ Muestra cómo la corriente de drenaje varía con la tensión de compuerta a
fuente para una tensión de drenaje constante.
Resistencia de Drenaje (Rd):
▪ Es la resistencia del canal entre el drenaje y la fuente.
▪ La resistencia de drenaje está inversamente relacionada con la corriente de
drenaje para un JFET en modo de conducción.
Tensión Umbral (Vp):
▪ Es la tensión entre la compuerta y la fuente cuando el JFET está justo al borde
de la conducción.
▪ También conocida como la tensión de umbral o tensión de pinzamiento.
Gama de Tensión de Compensación (VGS(off)):
▪ Es la tensión de compuerta a fuente que corta la corriente de drenaje cuando
el JFET está apagado (no conducción).
Impedancia de Entrada (Zin):
▪ Es alta para los JFET, lo que significa que presenta una carga mínima al circuito
de entrada.
Impedancia de Salida (Zout):
▪ Es relativamente baja para los JFET, lo que permite una buena transferencia
de potencia de la señal a la carga.
• MOSFET
El transistor de efecto de campo de silicio de óxido metálico (transistores de efecto
de campo de óxido metálico) se abrevia como MOSFET. Es un transistor unipolar
utilizado como interruptor electrónico como el BJT y para amplificar señales
eléctricas. El dispositivo tiene tres terminales, que consisten en fuente(Source) ,
puerta(Gate) y drenaje(Drain). Además de estos terminales, hay un sustrato,
comúnmente denominado carcasa, que siempre está conectado al terminal de
origen para aplicaciones prácticas.

En los últimos años, su descubrimiento ha propiciado el uso dominante de estos

dispositivos en circuitos integrados digitales debido a su estructura. Una capa de
dióxido de silicio (SiO2) actúa como aislante y proporciona aislamiento eléctrico
entre la puerta y el canal activo entre la fuente y el drenaje, lo que da como resultado
una alta impedancia de entrada que es casi infinita, capturando así toda la señal de
entrada.
Está hecho oxidando sustratos de silicio. Funciona cambiando el ancho del canal a
través del cual los portadores de carga (electrones para el canal N y huecos para el
canal P) se mueven desde la fuente(Source) hasta el drenaje(Drain). El terminal de la
puerta(Gate) está aislado, cuyo voltaje regula la conductividad del dispositivo.

5
cuatro terminales con terminales de drenaje (D), fuente (S), puerta (G) y cuerpo (B)
/ sustrato. El terminal del cuerpo siempre estará conectado al terminal de origen,
por lo tanto, el MOSFET funcionará como un dispositivo de tres terminales. En la
imagen de abajo, el símbolo del MOSFET de canal N se muestra a la izquierda y
el símbolo del MOSFET de canal P se muestra a la derecha.

Orientación de los terminales del mosfet

El caso es que el sustrato suele estar conectado a la fuente. A veces esto ya se hace
en el propio transistor durante la fase de desarrollo. Como resultado del hecho de
que la Fuente está conectada al Sustrato, se forma un diodo entre el Drenaje y la
Fuente, que a veces ni siquiera se indica en los diagramas, pero siempre está
presente.

Polarización de Puerta (Gate Bias):

▪ La polarización de la compuerta controla la conducción entre el drenaje y la
fuente.
▪ En el modo de mejora, la polarización de la compuerta debe superar un
umbral para permitir la conducción.
Corriente de Drenaje (Drain Current - ID):
▪ La corriente que fluye desde el drenaje hacia la fuente cuando el MOSFET
está en conducción.
▪ Controlada por la tensión entre la compuerta y la fuente, y por la polarización
de la compuerta.
Transferencia de Características (Curva ID-VGS):
• Muestra cómo la corriente de drenaje varía con la tensión entre la compuerta y
la fuente para una tensión de drenaje constante.
• Define la relación entre la corriente de drenaje y la tensión de compuerta a
fuente.
Tensión Umbral (Vt):
• Es la tensión entre la compuerta y la fuente para iniciar la conducción en el modo
de mejora.
• Determina cuánta tensión de entrada se requiere para activar el MOSFET.
• BUZ

6
a) Polaridad del transistor: Canal-N i) Encapsulado: TO-220
b) Voltaje máximo VDSS: 50 V j) 3 pines
c) Voltaje máximo VGSS: ± 20 V k) Tensión umbral compuerta-fuente
d) Corriente máxima ID: 33 A Vgs(th): 4 V
e) Corriente pulso máxima IDP: 134 A l) Tiempo de elevación (tr): 40 nS
f) Disipación máxima PD (TC=25°C): m) Conductancia de drenaje-sustrato
90 W (Cd): 300 pF
g) Fuente de drenaje en resistencia n) Resistencia drenaje-fuente
VGS RDS(on): 0.04 Ω RDS(on): 0.2 Ohm
h) Temperatura de operación o) Empaquetado / Estuche: TO-
máxima: 175°C 204AE

2. Investigar y reportar que es la transconductancia y que representa para los

transistores JFET.

La transconductancia es una medida de cómo un cambio en la tensión de la

compuerta afecta a la corriente de salida en un transistor. Se representa
comúnmente por la letra "g" subrayada y la letra correspondiente al terminal al que
se aplica la variación de tensión. Para los transistores JFET (Field-Effect Transistor de
unión), la transconductancia se expresa como "gm" (transconductancia de canal) y
mide la sensibilidad de la corriente de drenaje (ID) a los cambios en la tensión de la
compuerta con la fuente (VGS).
Matemáticamente, la transconductancia (gm) se define como la derivada de la
corriente de drenaje con respecto a la tensión de la compuerta en condiciones de
operación específicas:
𝑔𝑚 = 𝛿𝐼𝐷𝛿𝑉𝐺𝑆
En un JFET, el gm se puede expresar como:
𝑔𝑚 = √2 ∙ 𝜇 ∙ 𝐼𝐷
Donde:
μ es la movilidad de portadores de carga en el semiconductor
ID es la corriente de drenaje.

La transconductancia es una medida fundamental en los dispositivos de efecto de

campo como los JFET y los MOSFET. En términos prácticos, la transconductancia
indica cuánto cambia la corriente de drenaje en respuesta a pequeños cambios en
la tensión de la compuerta. Un gm más alto significa una mayor sensibilidad, lo que
es deseable en muchas aplicaciones de amplificación.

En resumen, para los transistores JFET, la transconductancia (gm) es una medida

crucial que refleja la eficiencia con la que el transistor convierte cambios en la
tensión de la compuerta en cambios correspondientes en la corriente de drenaje.

7
 3. Investigar y reportar la importancia de las curvas características de entrada y de
salida de los transistores JFET, MOSFET y BUZ. Así como la información que estas
proporcionan.
Las curvas características de entrada y de salida de los transistores son herramientas
esenciales para entender y analizar el comportamiento de estos dispositivos en circuitos
eléctricos. Estas curvas proporcionan información valiosa sobre cómo el transistor
responde a las variaciones en las señales de entrada y salida
Curva Característica de Entrada:
a) Determinación del Punto de Operación (Polarización): La curva de entrada
permite seleccionar el punto de operación adecuado para el transistor. Este
punto es crucial para asegurar un funcionamiento estable y eficiente.
b) Estabilidad del Punto de Operación: Ayuda a evaluar la estabilidad del punto de
operación frente a cambios en la temperatura y otras condiciones externas.
c) Umbral de Conducción: Permite identificar la tensión de umbral o el voltaje de
polarización necesario para que el transistor comience a conducir.
Curva Característica de Salida:
a) Regiones de Operación: Indica las regiones de saturación, corte y activa del
transistor en función de la variación de las señales de entrada y salida.
b) Ganancia de Voltaje: Permite calcular la ganancia de voltaje en distintas
condiciones de operación. La pendiente de la curva de salida en la región activa
proporciona información sobre la amplificación del transistor.
c) Límites de Operación: Define los límites de voltaje y corriente en los que el
transistor puede operar de manera segura sin dañarse.
d) Ganancia de Voltaje:
• Permite calcular la ganancia de voltaje en distintas condiciones de operación.
• La pendiente de la curva de salida en la región activa proporciona
información sobre la amplificación del transistor.
Límites de Operación:

• Define los límites de voltaje y corriente en los que el transistor puede operar
de manera segura sin dañarse.

Semiconductor Group 8 07/96

Semiconductor Group 9 07/96
 4. Analizar los circuitos de la práctica e indicar y reportar la información que
proporciona cada circuito.
5. Consultar las hojas de datos del fabricante, y realizar una tabla con la información
más relevante que proporciona el manual.
6. Armar los circuitos antes de entrar al laboratorio.

Semiconductor Group 10 07/96

Semiconductor Group 11 07/96
Semiconductor Group 12 07/96
Semiconductor Group 13 07/96
Semiconductor Group 14 07/96
Semiconductor Group 15 07/96
 BUZ 41 A

SIPMOS ® Power Tra nsistor

• N channel
• Enhancement mode
• Avalanche-rated

Pin Pin Pin Maximum Ratings

1 2 3
G D S

Type Package Ordering

VDS ID RDS(on) Code
BUZ 500 4.5 1.5 Ω TO-220 C67078-
41 A V A AB S1306-A3
Parameter Symbol Values Unit

Continuous drain current ID A

TC = 36 °C 4.5
Pulsed drain current IDpuls
TC = 25 °C 18
T 4.5
Avalanche current,limited by jmax IAR
Avalanche energy,periodic limited by Tjmax 8 mJ
EAR
Avalanche energy, single pulse EAS
ID = 4.5 A, VDD = 50 V, RGS = 25 Ω
L = 28.4 mH, Tj = 25 °C 320
Gate source voltage
VGS ± 20 V

Power dissipation Ptot W

TC = 25 °C 75
Operating temperature Tj -55 ... + 150 °C

Storage temperature -55 ... + 150

Tstg

Semiconductor Group 16 07/96

Thermal resistance, chip case
RthJC ≤ 1.67 K/W

Thermal resistance, chip to ambient 75

RthJA
DIN humidity category, DIN 40 040 E

IEC climatic category, DIN IEC 68-1 55 / 150 / 56

Parameter Symbol Values Unit

min. typ. max.

Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage VGS V(BR)DSS V
= 0 V, ID = 0.25 mA, Tj = 25 °C 500 - -
Gate threshold voltage VGS(th)
VGS=VDS, ID = 1 mA 2.1 3 4
Zero gate voltage drain current IDSS µA
VDS = 500 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C - 0.1 1
VDS = 500 V, VGS = 0 V, Tj = 125 °C - 10 100
Gate-source leakage current IGSS nA

VGS = 20 V, VDS = 0 V - 10 100

Drain-Source on-resistance RDS(on) Ω
VGS = 10 V, ID = 3 A - 1.3 1.5
Parameter Symbol Values Unit

min. typ. max.

Dynamic Characteristics
Transconductance gfs S

2 I R I
VDS≥ * D* DS(on)max, D =3A 2.5 4.3 -
Input capacitance Ciss pF
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz - 850 1300
Output capacitance Coss
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz - 100 150

Semiconductor Group 17 07/96

Turn-on delay time td(on) ns
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2.6 A
RGS = 50 Ω - 15 20
Rise time tr
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2.6 A
RGS = 50 Ω - 50 70
Turn-off delay time td(off)
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2.6 A
RGS = 50 Ω - 140 190
Fall time tf
VDD = 30 V, VGS = 10 V, ID = 2.6 A
RGS = 50 Ω - 50 70

Semiconductor Group 18 07/96

Power dissipation Drain current
Ptot = ƒ(TC) ID = ƒ(TC)
Parameter Symbol
Reverse recoveryValues
time Unittrr
VR = 100 V, IF=lS,typ.
min. diF/dt = 100 A/µs
max. -
Reverse Diode Reverse recovery charge Qrr
Inverse diode continuous forward current IS VR = 100 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs A -
TC = 25 °C ≥ 10 V - - 4.5
Inverse diode direct current,pulsed ISM Ptot l

TC = 25 °C - - 18
Inverse diode forward voltage VSD V
VGS = 0 V, IF = 9 A - 1 1.2

19
Typ. transfer characteristics I = f (V )
D GS Typ. forward
transconductance g = f (ID) fs

parameter: tp = 80 µs parameter: tp = 80 µs,

x I R V I xR
VDS≥2 Dx DS (on)max DS≥2 x D DS(on)max

20
Drain-source on-resistance Gate threshold voltage
RDS (on) = ƒ(Tj) VGS (th) = ƒ(Tj)
parameter: ID = 3 A, V GS = 10 V parameter: VGS = VDS, ID = 1 mA
4.6
V 98%
4.0

3.6

3.2 typ

2.8

2.4 2%
2.0

1.6

1.2

0.8

0.4
0.0
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj

Typ. capacitances Forward characteristics of reverse

diode
V
C = f ( DS) IF = ƒ(VSD)
V
parameter: GS = 0V, f = 1MHz parameter: Tj, tp = 80 µs

21
 7

Avalanche energy EAS = ƒ(Tj) Typ. gate charge parameter: ID = 4.5 A,

VDD = 50 V VGS = ƒ(QGate )

RGS = 25 Ω, L = 28.4 mH parameter: ID puls = 7 A

16

12

10
0,2 V DS max 0,8 V DS max

0
0 10 20 30 40 50 nC 65
Q Gate

22
Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = ƒ(Tj)

600
V
580
V( BR)DSS570
560
550
540
530
520
510
500
490
480
470
460
450
-60 -20 20 60 100 °C 160
Tj

23
24
DESARROLLO
1. Identificación de las terminales y características eléctricas del JFET, del MOSFET y del
BUZ.
1.1. Identificar las terminales y las características eléctricas del JFET, del MOSFET y del
BUZ; haciendo uso de los manuales (hojas de especificaciones), siendo los
dispositivos que se emplearán en la práctica, para.
1.2. Realizar una tabla que contenga tres columnas. En la primera columna escribir el
nombre del dispositivo, en la segunda columna dibujar el isométrico de cada
transistor e indicar el nombre en cada una de las terminales y en la tercer columna
escribir las características eléctricas de cada dispositivo.

DISPOSITIVO TERMINALES CARACTERISTICAS ELECTRICAS

JFET IDSS=3mA, MAX 5mA VGS=-3.5V

(2N5458) VGSoff=-1V a -7V gfs=5500umhos

MOSFET IDSS=1uA
(IRZ51A) VGS=0.8V,MAX 3V gfs=100ms

BUZ41A IDSS=20uA, MAX 250uA

VGS=3V,MAX 4V VSD=1.1V,MAX
1.5V gfs=2.5 s

25
2. Obtención de las curvas características de entrada del JFET.
2.1. Armar el circuito como el mostrado en la fig. 1, para obtener la gráfica de entrada
(transconductancia) de un JFET canal N (2N5457).
2.2. Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica.
2.3. Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En el circuito emplear la señal
sinusoidal del generador con una frecuencia entre el rango de 60 a 1KHz,
seleccionando sólo una frecuencia para obtener la gráfica de entrada. El VDS
(voltaje entre la termina drenador (D) y la terminal fuente (S)) se mide con un
multímetro. Los valores de IDSS (corriente de drenador a fuente en saturación),
VGSoff (Voltaje de compuerta a fuente de apagado), y gmo (transconductancia) se
obtienen de la gráfica.

IDSS VGSoff VDS gmo

7.807mA -16.361V 10.457V 477.17S

GRAFICA

26
 2.4. Acercar un cerillo encendido al transistor por 5s y reportar la gráfica observada,
sobre la gráfica a temperatura ambiente, utilizando otro color u otro tipo de línea;
así como las mediciones.

IDSS VGSoff VDS gmo

7.807mA -20.361V 8.457V 587.17S

Tabla de resultados a temperatura mayor al ambiente

2.5. Con base a las observaciones de la gráfica a temperatura ambiente y a temperatura
mayor al ambiente, reportar los comentarios y las conclusiones.
En esta segunda parte de la práctica con los JFET's de canal N, pude observar su
funcionamiento al notar que el voltaje de gate a source (VGS) requiere valores negativos
para cerrar la puerta. Se evidenció que cuando la puerta está cerrada, la ID (corriente de
drenaje) tiende a cero, mientras que con VGS igual a cero, la ID es máxima. Estos datos
permitieron la construcción de la gráfica de transconductancia.
Sin embargo, cabe destacar que no pude calcular gmo directamente de la gráfica.
Afortunadamente, encontré una fórmula específica para JFET's, la cual me permitió
calcularla. Aplicando esta fórmula, obtuve un valor de 1908.92uS. Al compararlo con el
rango del datasheet, que iba desde 1500uS hasta 5500uS, concluyo que las medidas
realizadas son correctas. Y que debo ver los valores que tengo porque me exploto un
capacitor.
La relación observada entre VGS e ID refuerza la comprensión del funcionamiento del
JFET de canal N, y la gráfica de transconductancia proporciona información valiosa sobre
cómo el voltaje de puerta afecta la corriente de drenaje. Aunque surgieron dificultades
en el cálculo directo de gmo, la fórmula aplicada demostró ser efectiva, y el resultado
obtenido se encuentra dentro de los parámetros esperados según el datasheet. Sobre
todo cuando se acerco el cerillo pues sus parámetros cambian.
Esta experiencia subraya la importancia de seleccionar fórmulas adecuadas para el tipo
específico de transistor y destaca la necesidad de comprender las características
individuales de cada dispositivo para lograr mediciones precisas. En conclusión, los

27
 resultados respaldan la validez de las mediciones realizadas y fortalecen la confianza en
la metodología empleada durante la práctica.
3. III Obtención de las curvas características de entrada del MOSFET y del BUZ.
3.1. Armar el circuito como el mostrado en la fig. 2a y 2b, para obtener la gráfica de
entrada de un MOSFET canal N (4007) y de un BUZ canal N (BUZ41/8836).
3.2. Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica.
3.3. Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos emplear la señal
sinusoidal del generador con una frecuencia entre el rango de 60 a 1KHz,
seleccionando sólo una frecuencia para obtener la gráfica de entrada. El VDS
(voltaje entre la termina drenador (D) y la terminal fuente (S)) se mide con un
multímetro. Los valores de IDS (corriente de drenador a fuente), VTh (voltaje de
umbral), e IDSon (corriente de drenador a fuente de encendido) se obtienen de la
gráfica.

MOSFET

VTh VDS IDS IDSon

16.21v 7v 9.67mA 12.079nA

BUZ

VTh VDS IDS IDSon

3.2V 5.03V 11.5mA 5mA

28
 3.4. Acercar un cerillo encendido al MOSFET canal N (4007) y al BUZ41 por 5s y reportar
la gráfica observada, sobre la gráfica a temperatura ambiente, utilizando otro color
u otro tipo de línea; así como las mediciones.

VTh VDS IDS IDSon

MOSFET 17V 6.4V 9.6mA 0A
BUZ 3.5V 7V 19.4mA 2.2mA

Tabla de resultados a temperatura mayor al ambiente

3.5. Con base a las observaciones de la gráfica a temperatura ambiente y a temperatura
mayor al ambiente, reportar los comentarios y las conclusiones.

En esta fase de la práctica, se exploró el comportamiento de los MOSFET y el BUZ en

relación con los voltajes positivos de puerta a terminal fuente. Uno de los hallazgos
significativos fue la observación de que ambos componentes conducen con voltajes
positivos en la puerta a la terminal fuente. Sin embargo, se evidenció que existe un
voltaje de umbral a partir del cual comienzan a conducir.
En particular, se notó que la corriente ID aumenta a medida que el voltaje VDS
(drenaje a fuente) incrementa. Este fenómeno indica que el flujo de corriente se
incrementa con el aumento de la diferencia de potencial entre el drenaje y la fuente.
Este comportamiento es fundamental para entender la región de conducción del
MOSFET y del BUZ, sobre todo a temperatura ambiente pues cambia su voltaje al
aplicar el cerillo

4. IV Obtención de las curvas características de salida del JFET.

4.1. Armar el circuito de la fig. 3 para obtener las gráficas de salida del JFET canal N
(2N5457).

4.2. Reportar la gráfica realizando un dibujo de la gráfica.

29
 4.3. Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos de la práctica
emplear la señal pulsante de onda completa o diente de sierra con una amplitud de
12Vp. El VGS (voltaje entre la termina compuerta (G) y la terminal fuente (S)) se
mide con un multímetro. Los valores de IDS, VP (voltaje de pich-off) y VDS se
obtienen de la gráfica.

E VGS VP VDS IDS

0V 0v 1.2V 8V 8mA
2V -0.182V 0.9V 8.8V 8.8mA
4V -0.364V 0.8V 9.6V 9.6mA
6V -0.545V 0.6V 10.4V 10.4mA
8V -0.727V 0.5V 11V 11mA
10V -0.909V 0.4V 11.2V 11.2mA
12V -1.091V 0.3V 11.6V 11.6mA

4.4. Seleccionar la gráfica en la que VGS=0V, y acercar un cerillo al JFET por 5s, y reportar
la gráfica observada, sobre la gráfica a temperatura ambiente, utilizando otro color
u otro tipo de línea; así como las mediciones.

VGS VP VDS IDS

0.5v 1.4v 5v 7mA

4.5. Con base a las observaciones de la gráfica a temperatura ambiente y a temperatura

mayor al ambiente, reportar los comentarios y las conclusiones.
Es evidente que, de manera similar al JFET, el control del flujo de corriente ID en MOSFET y
BUZ también está vinculado a los voltajes aplicados.
Particularmente, se enfatiza que se requieren voltajes negativos entre la compuerta y la
terminal fuente para regular el flujo de corriente ID. La gráfica revela que, cuando VGS es
igual a cero, la corriente ID es máxima. A medida que este voltaje se vuelve más negativo, la
compuerta se cierra gradualmente, limitando el flujo de corriente hasta alcanzar un punto
en el que las dos fuentes se igualan y la corriente ID se establece en cero.

5. Obtención de las curvas características de salida del MOFET y BUZ.

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5.1. Armar el circuito como el mostrado en la fig. 4a y 4b, para obtener las gráficas de
salida de un MOSFET canal N (4007) y de un BUZ canal N (BUZ41/8836).

5.2. Reportar las gráficas realizando un dibujo de la gráfica.

5.3. Reportar las mediciones que se piden en la tabla. En los circuitos de la práctica
emplear la señal pulsante de onda completa o diente de sierra con una amplitud de
12Vp. El VGS (voltaje entre la termina compuerta (G) y la terminal fuente (S)) se
mide con un multímetro. Los valores de IDS y VDS se obtienen de la gráfica.

0V 0V 12.018V 12.018mA
2V 2V 12.018V 12.018mA
4V 4V 12.018V 12.018mA
6V 6V 12.018V 12.018mA
8V 8V 12.018V 12.018mA
10V 10V 12.018V 12.018mA
12V 12V 12.018V 12.018mA
14V 14V 12.018V 12.018mA
16V 16V 12.018V 12.018mA
18V 18V 12.018V 12.018mA

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 BUZ

E VGS VDS IDS

0V 0V 11.9V 11.9mA
2V 2V 11.9V 11.9mA
4V 4V 11.9V 11.9mA
6V 6V 11.9V 11.9mA
8V 8V 11.9V 11.9mA
10V 10V 11.9V 11.9mA
12V 12V 11.9V 11.9mA
14V 14V 11.9V 11.9mA
16V 16V 11.9V 11.9mA
18V 18V 11.9V 11.9mA

5.4 Seleccionar la gráfica en la que VGS=1.2V, y acercar un cerillo al MOSFET por 5s, y
reportar la gráfica observada, sobre la gráfica a temperatura ambiente, utilizando otro color
u otro tipo de línea; así como las mediciones.

E VGS VDS IDS

0V NA NA NA

5.5 Con base a las observaciones de la gráfica a temperatura ambiente y a temperatura

mayor al ambiente, reportar los comentarios y las conclusiones.
Logramos identificar las terminales y conexiones del JFET, MOSFET y BUZ, gracias a las
especificaciones del fabricante, así como las características eléctricas de cada componente.
También vimos las curvas la entrada y con ayuda pudimos leer las gráficas en el osciloscopio
y sacar los datos, las tres gráficas de entrada coinciden con la teoría así como los datos
proporcionados para cada modelo de dispositivo.
Para las gráficas de salida, usamos dos herramientas, el osciloscopio y el analizador, ambos
de multisim, solo pudimos ver ciertas gráficas de salida, dado que se disparaban mucho y
los cortes eran muy espontáneos. Sin embargo, pudimos observar los datos de la gráfica.

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