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Capítulo 2

Teoría de diodos

Continuando con el estudio de los diodos. Después de estudiar la curva del diodo, nos centraremos en las
aproximaciones que se pueden aplicar al diodo. Necesitamos dichas aproximaciones porque el análisis exacto es
muy tedioso y lleva bastante tiempo en la mayoría de las situaciones. Por ejemplo, normalmente, para la detectar
si un diodo esta funcionando correctamente la aproximación ideal es la adecuada, y la segunda aproximación
proporciona soluciones rápidas y fáciles en muchos casos. Yendo un poco más lejos, podemos usar una tercera
aproximación para obtener mayor precisión, o una solución por computadora para casi todas las respuestas
exactas

1. Ideas básicas

Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal porque la gráfica de su corriente en función de su tensión es
una línea recta. Un diodo es diferente, es un dispositivo no lineal porque la gráfica de la corriente en función
de la tensión no es una línea recta. La razón es la barrera de potencial: cuando la tensión del diodo es menor
que la barrera de potencial, la corriente del diodo es pequeña; si la tensión del diodo supera esta barrera de
potencial, la corriente del diodo aumenta rápidamente.

Símbolo esquemático y tipos de encapsulado

La Figura 2.1a representa el símbolo esquemático de un diodo. El lado p se llama ánodo y el lado n es el cátodo.
El símbolo del diodo es similar a una flecha que apunta del lado p al lado n, es decir, del ánodo al cátodo. La
Figura 2.1b muestra algunas de las muchas formas de representar un diodo típico, aunque no todas las que
existen. En los diodos (dispositivo físico) el cátodo (K) se identifica mediante una banda de color.

Figura 2.1: (a) Esquema y símbolo del diodo, (b) Tipos de encapsulado, (c) Circuito polarización directa

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Circuito básico del diodo

En la Figura 2.1c se muestra un circuito con un diodo. En este circuito, el diodo está polarizado en directa.
¿Cómo lo sabemos?, Porque el terminal positivo de la batería está conectado al lado p del diodo a través de una
resistencia, y el terminal negativo está conectado al lado n. Con esta conexión, el circuito está tratando de
empujar huecos y electrones libres hacia la unión

En circuitos más complicados puede ser difícil establecer si el diodo está o no polarizado en directa. Para
averiguarlo podemos preguntarnos: ¿está el circuito externo tratando de empujar la corriente en la dirección de
flujo con menor resistencia? En caso afirmativo, el diodo está polarizado en directa.

¿Cuál es la dirección de flujo con menor resistencia? Si se está usando la dirección de la corriente convencional,
la dirección con menor resistencia es la misma que la que indica la flecha del diodo. Si se prefiere pensar en el
flujo de electrones, la dirección de menor resistencia es en el sentido contrario.
Cuando el diodo forma parte de un circuito complicado también puede utilizarse el teorema de Thévenin para
determinar si está polarizado en directa.

La región directa

La Figura 2.1c muestra un circuito que puede montarse en el laboratorio. Tras conectarlo, es posible medir la
tensión y la corriente en el diodo. También se puede invertir la polaridad de la fuente de tensión continua y
medir la corriente y la tensión del diodo polarizado en inversa. Si se representa la corriente a través del diodo
en función de la tensión del diodo, se obtendrá una gráfica parecida a la de la Figura 2.2.

Éste es un resumen visual de las ideas expuestas en el capítulo anterior. Por ejemplo, cuando el diodo está
polarizado en directa, no hay una corriente significativa hasta que la tensión en el diodo es superior a la barrera
de potencial. Por otro lado, cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa hasta que
la tensión del diodo alcanza la tensión de disrupción. Entonces, el efecto de avalancha produce una corriente
inversa grande que destruye al diodo.

Figura 2.2: Curva del diodo

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Tensión umbral

En la región directa, la tensión a partir de la cual la corriente empieza a incrementarse rápidamente se denomina
tensión umbral del diodo, que es igual a la barrera de potencial. El análisis de circuitos con diodos se dirige
normalmente a determinar si la tensión del diodo es mayor o menor que la tensión umbral. Si es mayor, el
diodo conduce fácilmente; si es menor, lo hace pobremente. Definimos la tensión umbral de un diodo de silicio
de la siguiente forma:

≈ 0.7 (2.1)

Aunque los diodos de germanio raramente se emplean en diseños nuevos, se pueden encontrar todavía en
circuitos especiales o en equipos antiguos. Por esta razón, conviene recordar que la tensión umbral de un diodo
germanio es, aproximadamente, de 0.3V Esta tensión umbral más pequeña es una ventaja y obliga a considerar
el uso del diodo de germanio en ciertas aplicaciones.

Resistencia interna

Para tensiones mayores que la tensión umbral (o tensión de codo), la corriente del diodo crece rápidamente, lo
que quiere decir que aumentos pequeños en la tensión del diodo originarán grandes incrementos en su
corriente. La causa es la siguiente: después de superada la barrera de potencial, lo único que se opone a la
corriente es la resistencia óhmica de las zonas p y n. En otras palabras, si las zonas p y n fueran dos piezas
separadas de semiconductor, cada una tendría una resistencia que se podría medir con un óhmetro, igual que
una resistencia ordinaria.

La suma de estas resistencias óhmicas se denomina resistencia interna del diodo, y se define como sigue:

RB = RP + RN (2.2)

El valor de la resistencia global depende del tamaño de las regiones p y n, y de cómo estén de dopadas. A
menudo, la resistencia global es menor que 1 Ω.

Corriente continua máxima con polarización directa

Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor excesivo destruirá el diodo; por esta razón, la hoja de
características que proporcionan los fabricantes especifica la corriente máxima que un diodo puede soportar sin
peligro de acortar su vida o degradar sus características de operación.

La corriente máxima en directa es uno de los valores que se especifican en una hoja de características. Esta
corriente puede aparecer como Imáx, IF(máx), Io, etc., dependiendo del fabricante. Por ejemplo, un diodo 1N456
tiene una corriente máxima en directa de 135mA. Este dato significa que puede manejar con seguridad una
corriente continua con polarización directa igual a 135 mA.

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Disipación de potencia

Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se hace para una resistencia. Es
igual al producto de la tensión por la corriente del diodo. Expresándolo matemáticamente:

PD = VD ID (2.3)

La limitación de potencia es la máxima potencia que el diodo puede disipar con seguridad sin acortar su tiempo
de vida o degradar sus características de operación. Su definición es:

Pmáx = Vmáx Imáx (2.4)

Donde: Vmáx es la tensión correspondiente a Imáx. Por ejemplo, si un diodo tiene una tensión y una corriente
máximas de 1 V y 2 A, su potencia máxima es igual a 2 W.

2. El diodo ideal

La Figura 2.3 muestra una gráfica detallada de la región directa de un diodo, en la que se representa la corriente
del diodo ID en función de la tensión del diodo VD. Observe que la corriente es aproximadamente cero hasta que
la tensión del diodo se aproxima a la barrera potencial. En las proximidades de 0.6 a 0.7 V, la corriente del diodo
aumenta. Cuando la tensión del diodo es mayor de 0.8 V, la corriente del diodo es significativa y la gráfica es
casi lineal.

Figura 2.3: Grafica de la corriente de polarización directa

Dependiendo del dopaje y del tamaño físico del diodo, se obtendrán diodos con diferentes valores de la corriente
directa máxima, la potencia máxima y otras características. Si necesitamos una solución exacta deberíamos
emplear la gráfica del diodo concreto. Aunque los puntos exactos de corriente y de tensión son diferentes de un
diodo a otro, la gráfica de cualquier diodo es similar a la mostrada en la Figura 2.3. Todos los diodos de silicio
tienen una tensión umbral de aproximadamente 0.7 V.

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La mayoría de las veces no es necesaria la solución exacta, ésta es la razón por la que se utilizan aproximaciones
para el diodo. Comenzaremos con la aproximación más simple, la del diodo ideal. En líneas generales, ¿qué hace
un diodo? Conduce bien en directa y mal en inversa. Teóricamente, un diodo se comporta como un conductor
perfecto (resistencia cero) cuando está polarizado en directa y como un aislante perfecto (resistencia infinita)
cuando está polarizado en inversa.

Figura 2.4: (a) Curva del diodo ideal. (b) el diodo ideal se comporta como interruptor

La Figura 2.4a muestra la gráfica corriente-tensión de un diodo ideal. Refleja lo que acabamos de decir:
resistencia cero cuando está polarizado en directa y resistencia infinita cuando está polarizado en inversa. A
decir verdad, es imposible construir un dispositivo con esas características.

El diodo ideal se compara con un interruptor normal, presenta resistencia cero cuando está cerrado, y
resistencia infinita cuando está abierto. Por tanto, un diodo ideal actúa como un interruptor que se cierra con
polarización directa y se abre con polarización inversa. En la Figura 2.4b se resume esta idea del interruptor.

3. La segunda aproximación

Emplear la aproximación ideal es adecuado en la mayoría de las situaciones cuando se requiere comprobar el
estado de un diodo, pero no siempre estamos detectando averías. En ocasiones, necesitaremos conocer valores
más exactos de la corriente y la tensión en la carga. Es entonces cuando tiene sentido la segunda aproximación.

Figura 2.5: (a) Curva del diodo para la segunda aproximación. (b) Equivalente eléctrico de la segunda aproximación.

La Figura 2.5a muestra la gráfica de la corriente en función de la tensión para la segunda aproximación. El
dibujo indica que no hay corriente hasta que aparecen 0.7 V en el diodo, momento en el que el diodo empieza
a conducir. A partir de ese momento, sólo puede haber 0.7 V en el diodo, independientemente del valor de la
corriente.

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La Figura 2.5b muestra el circuito equivalente para la segunda aproximación de un diodo de silicio. El diodo se
comporta como un interruptor en serie con una barrera de potencial de 0.7 V. Si la tensión de Thévenin es, por
lo menos, de 0.7 V, el interruptor se cerrará. Cuando conduce, la tensión en el diodo será de 0.7 V para cualquier
corriente directa.

4. La tercera aproximación

En la tercera aproximación de un diodo se incluye la resistencia interna RB. La Figura 2.6a muestra el efecto
que tiene RB sobre la curva del diodo. Después de que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensión
aumenta linealmente con los incrementos de corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor será la tensión
en el diodo, debido a la caída de tensión en la resistencia interna.

Figura 2.6: (a) Curva del diodo para la tercera aproximación. (b) Equivalente eléctrico de la tercera aproximación.

El circuito equivalente para la tercera aproximación es un interruptor en serie con una barrera de potencial de
0.7 V y una resistencia RB (véase la Figura 2.6b). Cuando la tensión aplicada es mayor que 0.7 V, el diodo
conduce. La tensión total en el diodo es igual a:

VD = 0.7 V + ID RB (2.5)

A menudo, la resistencia interna es menor que 1 Ω, por lo que podemos ignorarla en los cálculos. Una regla útil
para ignorar la resistencia interna es la siguiente definición:

Ignorar la resistencia interna cuando: RB < 0,01 RTH (2.6)

Esto quiere decir que se puede ignorar la resistencia interna cuando sea la centésima parte de la resistencia de
Thévenin que ve el diodo. Si se satisface esta condición, el error es menor que el 1 por 100. Los técnicos
raramente emplean la tercera aproximación, porque los diseñadores de circuitos normalmente satisfacen la
Ecuación (2.6).

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La Tabla-resumen 3.1 ilustra las diferencias entre las tres aproximaciones del diodo.

Tabla 2.1: Aproximaciones del diodo

5. Detección de averías o comprobación del diodo

El estado de un diodo se puede comprobar fácilmente con un óhmetro para un rango de valores medio-alto de
resistencias. Se mide la resistencia en continua del diodo en cualquier dirección y después se invierten los
terminales, efectuándose la misma medición. La corriente directa dependerá de la escala en la que se emplee el
óhmetro, lo que significa que se obtendrán distintas lecturas en los diferentes rangos.

Sin embargo, lo que hay que buscar principalmente es una relación alta entre la resistencia en inversa y en
directa. Para los diodos de silicio comúnmente empleados en electrónica, esta relación debe ser mayor que
1.000:1. Es conveniente recordar que se debe emplear un rango de resistencia bastante altas para evitar la
posibilidad de dañar el diodo. Normalmente, los rangos R x 100 Ω y R x 1K Ω proporcionan medidas con la
seguridad adecuada.

La utilización de un óhmetro para comprobar diodos es un modo de prueba. Realmente no importa el valor
exacto de la resistencia en continua del diodo; lo único que se desea saber es si el diodo tiene una resistencia
pequeña cuando se polariza en directa y grande cuando se polariza en inversa. Por ejemplo, se tiene se tiene
problemas en un diodo cuando: la resistencia es extremadamente pequeña en directa y en inversa (diodo
cortocircuitado); la resistencia es muy elevada en directa o en inversa (diodo en circuito abierto); la resistencia
es algo baja en inversa (esto es lo que se denomina diodo con fugas).

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6. Las hojas de características (Datasheets)

Una hoja de características, u hoja de especificaciones, enumera los parámetros y características de operación
más importantes de los dispositivos semiconductores. También proporciona información esencial como los
tipos de encapsulado, los pines de salida (pinout), los procedimientos para la realización de pruebas y las
aplicaciones típicas. Generalmente, los fabricantes de semiconductores proporcionan esta información en libros
o a través de su sitio web. Esta información también se puede encontrar en Internet a través de empresas
especializadas en facilitar referencias cruzadas o en la sustitución de componentes.

Buena parte de la información que el fabricante facilita en las hojas de características es complicada y de utilidad
solamente para los que diseñan circuitos. Por esta razón, sólo vamos a estudiar aquella información de la hoja
de características que describe parámetros básicos que contempla la materia.

Figura 2.7: Hoja de características de los diodos 1N4001 hasta el 1N4007

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Tensión de disrupción inversa

Comenzaremos con la hoja de características de un diodo 1N4001, un diodo rectificador empleado en fuentes
de alimentación (es decir, circuitos que convierten una tensión alterna en una tensión continua). La Figura 2.7
muestra una hoja de características de la serie de diodos 1N4001 a 1N4007: siete diodos que tienen las mismas
características cuando se polarizan en directa, pero que difieren en sus características para la polarización
inversa. Vamos a centrarnos en el miembro 1N4001 de esta familia. La primera entrada bajo el encabezado
“Absolute Maximum Ratings” (valores máximos absolutos) es:

La tensión de disrupción (Peak Repetitive Reverse Voltage) de este diodo es 50 V. Esta disrupción se produce
porque el diodo entra en avalancha cuando de repente una cantidad enorme de portadores aparece en la zona
de deplexión. En un diodo rectificador como el 1N4001, normalmente, el trabajo en la zona de disrupción es
destructiva.

En el 1N4001, una tensión inversa de 50 V representa un nivel destructivo que un diseñador debe evitar bajo
todas las condiciones de operación. Ésta es la razón por la que un diseñador debe incluir un factor de seguridad.
No existe ninguna regla absoluta sobre el valor que debe tomar el factor de seguridad, ya que depende de
demasiados factores. Un diseño conservador podría emplear un factor de seguridad de 2, que quiere decir que
nunca se permitiría una tensión inversa mayor que 25 V en el 1N4001. Un diseño menos conservador permitiría
como mucho 40 V en el 1N4001.

En otras hojas de características, podrá encontrar la tensión inversa de disrupción designada por PIV, PRV o
BV.

Corriente directa máxima

Otro dato de interés es la corriente media rectificada en polarización directa (Average Rectified Forward Current),
que aparece así en la hoja de características:

Este parámetro indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A. con polarización directa cuando se emplea como
rectificador. Esto indica que 1 A es el nivel de corriente para que el diodo NO se queme debido a una disipación
de potencia excesiva. En la hoja de características, la corriente media puede estar designada por Io.

De nuevo, 1 A debe ser para el diseñador el valor máximo absoluto para el 1N4001; es decir, un nivel de
corriente en directa al que nunca deberá llegarse. Por ello, debe incluirse un factor de seguridad, posiblemente
un factor de 2. En otras palabras, un diseño fiable debe garantizar que la corriente en directa sea menor que 0,5

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A bajo cualquier condición de funcionamiento. Los estudios de fallos en los dispositivos muestran que el tiempo
de vida de éstos es tanto más corto cuanto más cerca trabajen de los valores máximos permitidos. Por esta razón,
algunos diseñadores emplean factores de seguridad de hasta de 10:1. Un diseño realmente conservador
mantendría la corriente máxima en directa de un 1N4001 en 0.1 A o menos.

Caída de tensión en directa

Bajo el encabezado “Electrical Characteristics” (características eléctricas) de la Figura 2.7, la primera entrada
muestra estos datos:

Como se muestra en la Figura 2.7 bajo el encabezado “Forward Characteristics” (características con polarización
directa), el 1N4001 típico tiene una caída de tensión en directa (Forward Voltage Drop) de 0,93 V cuando la
corriente es de 1 A y la temperatura de la unión es de 25°C. Si se probarán miles de diodos 1N4001, se
comprobaría que unos pocos presentarían una caída de 1,1 V cuando la corriente alcance un valor de 1 A.

Corriente máxima inversa

Otra información de la hoja de características que vale la pena analizar es la siguiente:

Ésta es la corriente inversa (reverse current) a la tensión nominal (50 V para un 1N4001). A 25°C, un diodo
1N4001 típico tiene una corriente máxima en inversa de 5,0 µA, pero observe que aumenta a 500 µA a 100°C.
Recuerde que esta corriente en inversa incluye la corriente de saturación y la corriente superficial de fugas. A
partir de estos datos, puede ver que la temperatura es un parámetro importante. Un diseño que requiera una
corriente inversa menor de 5,0 µA funcionará bien a 25°C con un diodo típico 1N4001, pero fallará si la
temperatura de la unión alcanza los 100°C.

7. Cómo calcular la resistencia interna

Cuando intente analizar con precisión un circuito con diodos, necesitará conocer la resistencia interna del
diodo. Normalmente, las hojas de características de los fabricantes no especifican esta resistencia, pero
proporcionan información suficiente para calcularla. Ésta es la fórmula para la resistencia interna:

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= (2.7)

donde V1 e I1 son la tensión y la corriente en el codo de la curva o en un determinado punto por encima de la
tensión umbral; V2 e I2 son la tensión y la corriente en un determinado punto más alto de la curva del diodo.
Por ejemplo, la hoja de características del 1N4001 especifica una tensión directa de 0.93 V para una corriente
de 1 A. Como se trata de un diodo de silicio, este tiene una tensión umbral de aproximadamente 0.7 V y una
corriente de aproximadamente cero. Entonces en este caso los valores que debemos utilizar para realizar el
cálculo de la RB son V2 = 0.93V, I2 = 1A, V1 = 0.7V e I1 = 0. Sustituyendo estos valores en la ecuación obtenemos
una resistencia interna de:

− 0.93 − 0.7 0.23

= = = = 0.23Ω
− 1 −0 1

Recuerde que la curva del diodo es una gráfica de la corriente en función de la tensión. La resistencia interna es
igual a la inversa de la pendiente por encima de la tensión umbral. Cuanto mayor es la pendiente de la curva del
diodo, menor es la resistencia interna. En otras palabras, cuanto más vertical es la curva por encima del umbral,
más pequeño es el valor de la resistencia.

8. Resistencia en continua de un diodo

El cociente de la tensión total entre la corriente total de un diodo proporciona la resistencia en continua del diodo.
En la región de polarización directa, esta resistencia de continua se simboliza con RF y en la región inversa se
designa por RR.

Resistencia en directa

Dado que el diodo es un dispositivo no lineal, su resistencia de continua varía con la corriente. Considere, por
ejemplo, las siguientes parejas de valores de corriente y de tensión en directa para un diodo 1N914: 10 mA
para 0.65V, 30 mA para 0.75V y 50 mA para 0.85V. En el primer punto, la resistencia de continua es:

0.65
= = 65Ω
10

En el segundo punto:

0.75
= = 25Ω
30

Y en el tercer punto:

0.85
= = 17Ω
50

Observe que la resistencia de continua disminuye cuando la corriente aumenta. En cualquier caso, la resistencia
en directa es más pequeña que la resistencia en inversa.

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Resistencia en inversa

Considere ahora los dos conjuntos de valores de corriente y de tensión en inversa para el 1N914: 25 nA para
20V; 5 µA para 75V. En el primer punto, la resistencia de continua es:

20
= = 800"Ω
25!

En el segundo punto:

75
= = 15"Ω
5#

Observe que la resistencia en continua disminuye a medida que nos aproximamos a la tensión de disrupción
(75 V).

Resistencia en continua y resistencia interna

La resistencia en continua de un diodo es diferente de la resistencia interna. La resistencia en continua de un

diodo es igual a la resistencia interna más el efecto de la barrera de potencial. En otras palabras, la resistencia en
continua de un diodo es su resistencia total, mientras que la resistencia interna es la resistencia de sólo las
regiones p y n. Por esta razón, la resistencia en continua de un diodo es siempre más grande que la resistencia
interna.

9. Rectas de carga

Esta sección se ocupa de la recta de carga, una herramienta empleada para hallar el valor exacto de la corriente
y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles en los transistores, por lo que más adelante
se verán en detalle en la sección dedicada a los transistores.

Ecuación de la recta de carga

Para poder encontrar el valor de la corriente y la tensión exactas del diodo de la Figura 2.8 La corriente a
través de la resistencia es:

% &
$ = (2.8)
%

Puesto que se trata de un circuito serie, esta corriente es la misma que la que circula por el diodo.

Figura 2.8: Circuito para análisis de

la recta de carga

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Un ejemplo: Si la tensión de la fuente es de 2V y el valor de la resistencia es 100Ω. como se muestra en la

Figura 2.8b, sustituyendo en la Ecuación (2.8) obtenemos:

&
$ = (2.9)
''(

La Ecuación (2.9) es una relación lineal entre la corriente y la tensión. Si se traza la gráfica de esta ecuación, se
obtiene una línea recta. Por ejemplo, sea VD igual a cero. Luego:

2 −0
$ = = 20
100Ω

Al dibujar este punto (ID = 20 mA, VD = 0V) en la gráfica, vemos que queda sobre el eje vertical de la Figura 2.9.
Este punto se denomina punto de saturación porque representa la corriente máxima con una tensión de 2 V en
la resistencia de 100Ω.

Ahora veamos cómo obtener otro punto. Sea VD igual a 2V, con lo que la Ecuación (2.9) proporciona:

2 −2
$ = =0
100Ω

Si dibujamos este punto (ID = 0, VD = 2 V) en la gráfica vemos que queda sobre el eje horizontal (Figura 2.9).
Este punto se denomina punto de corte porque representa la corriente mínima.

Eligiendo otras tensiones se pueden calcular y dibujar puntos adicionales. Como la Ecuación (2.9) es lineal,
todos los puntos estarán sobre la línea recta mostrada en la Figura 2.9. Esta línea recta recibe el nombre de recta
de carga.

Figura 2.9: Recta de carga y punto Q

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El punto Q

La Figura 2.9 muestra la recta de carga y la curva de un diodo. El punto de intersección, conocido como punto
Q, o también denominado punto de trabajo, representa una solución simultánea para la recta y la curva. En
otras palabras, el punto Q es el único punto de la gráfica que funciona tanto para el diodo como para el circuito.
Las coordenadas del punto Q nos proporcionan una corriente de 12,5 mA y una tensión de diodo de 0,75 V. El
punto en el caso de los diodos, Q es una abreviatura de Quiescent, que significa “en reposo”.

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