Tarea 1
Semana: 2
Nombre del estudiante:
Eduardo Antonio Reyes Gradiz
Número de cuenta:
32121068
Sede de estudio:
Ceutec TGC
Docente:
Lucy Lopez
Sección:
898
Fecha de entrega:
26/04/2024
1. Bosqueje la estructura atómica del cobre y explique por qué es un buen conductor y
en qué forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el arseniuro de
galio.
R//= El cobre tiene 20 electrones orbitando con solo 1 electrón en su capa más externa y
distante del núcleo nos dice que este electrón esta débilmente ligado a su átomo principal y
puede ser tomado fácilmente con la aplicación de un campo eléctrico externo.
2. Con sus propias palabras, defina un material intrínseco, coeficiente de temperatura
negativo y enlace covalente.
R// Un material intrínseco es uno material que ha sido refinado para eliminar la mayoría de
las impurezas para que quede lo mayor puro posible. El coeficiente de temperatura
negativo: significa que el nivel de resistencia va disminuyendo cuando la temperatura va en
aumento El enlace covalente es la combinación de electrones entre los átomos más
cercanos para complete las capas externas y formar una estructura más estable.
3. Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de tres materiales que tengan
un coeficiente de temperatura negativo y de tres que tengan un coeficiente de
temperatura positivo.
R// Coeficiente de temperatura negativa.
Material Temperatura
-3
CARBÓN -0,5 x 10
-2
GERMANIO -4,8 x 10
-3
SILICIO -75 x 10
Coeficiente de temperatura positivo.
-3
COBRE 3,93 x 10
-3
ALUMINIO 4,07 x 10
-3
PLATA 3,8 x 10
4. ¿Cuánta energía en joules se requiere para mover una carga de 6 C a través de una
diferencia de potencial de 3 V?
R// W = QV W = (6 C) (3 V) = 18 Joules
5. Si se requieren 48 eV de energía para mover una carga a través de una diferencia
de potencial de 12 V, determine la carga implicada.
R// 48 eV = 48 (1.6×10^19 J) = 76.8×10^19 J
Q = W/V = 76.8x10^-19 J /12 V = 6.40 × 10−19 C
6. Consulte su biblioteca de referencia y determine el nivel de Eg para GaP y ZnS, dos
materiales semiconductores de valor práctico. Además, determine el nombre escrito
para cada material.
R// Material Símbolo Band gap (Eg)
Fosfuro de galio (III)
GaP 2.26 eV
Sulfuro de cinc
ZnS 3.6 eV
7. Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.
R// Un semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado si agregas
impurezas del grupo IIIA, entre los cuales está el Boro, permitiendo la formación de huecos
sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, mientras que en un Tipo N dopa el
semiconductor si agregas impurezas del grupo VA, entre los cuales está el Fosforo,
permitiendo la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos.
8. Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.
R// Algunas impurezas son átomos que aportan un electrón extra a la banda de conducción,
y por ese motivo se denominan donadoras. En cambio, cuando proveen huecos extra, es
decir, pueden alojar fácilmente un electrón de la banda de valencia, se denominan
aceptoras.
9. Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.
R// En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrón el minoritario.
10. Bosqueje la estructura atómica del silicio e inserte una impureza de arsénico como
se demostró para el silicio en la figura 1.7.
R//
12. Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicación del flujo de huecos
contra el de electrones. Con ambas descripciones, describa con sus propias palabras el
proceso de conducción de huecos.
R// Al estar una temperatura por encima del cero absoluto habrán electrones que están
excitados causando la banda y entrando a la banda de conducción donde
podrán producir corriente al cruzar el electrón deja un puesto vacante o hueco en laestructur
a cristalina del silicio tanto el electrón como el hueco pueden moverse através del material
13. Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de
polarización en directa y en inversa en un diodo de unión pn y cómo se ve afectada la
corriente resultante.
R// - El terminal positivo conectado al material tipo n y el negativo conectado al tipo p, ya
que el número de iones positivos en la región de empobrecimiento delmaterial tipo n se
incrementara para la gran cantidad de electrones libre atraídos por el voltaje aplicado.
-La aplicación de un potencial de polarización en directa VD presionará a los electrones en
el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se cambien con los iones
próximos al límite y reducirá el ancho de la regio de empobrecimiento.
20. Compare las características de un diodo de silicio y uno de germanio y determine
cuál preferiría utilizar en la mayoría de las aplicaciones prácticas. Dé algunos detalles.
Consulte la lista del fabricante y compare las características de un diodo de silicio y de
uno de germanio de características nominales máximas similares.
R// El diodo de silicio es el que brinda mayores prestaciones ya que soporta niveles altosde
tolerancia mientras que un diodo de germanio está limitado.
26. Repita el problema 25 con una corriente en directa de 15 mA y compare los
resultados.
R//
ID= 1 5 m A
VD=0.82 V
R DC =0 . 8 2 V / 1 5 m A = 5 4 . 6 7 Ω
29. Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una corriente en
directa de 10 mA y compare sus magnitudes.
R//
