ELECTRÓNICA DIGITAL
-2023-
“1983-2023 - 40 Años de Democracia”
ELECTRÓNICA DIGITAL
Ing. Sistema de Información
Jueves 18:00 a 21:00
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Repaso
Conceptos de electrónica
●
Fuente de alimentación
●
Tensión, corriente y resistencias
5V
●
Encendido de un diodo led
●
Carga y descarga de un capacitor
●
Dispositivos semiconductores
0,1A
0A
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 3
Que es un sistema digital
Conceptos de electrónica
Diferencia entre analógico y digital
Cómo se usan niveles de tensión para representar magnitudes digitales
Parámetros de una señal de pulsos
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 4
Señales impulsivas
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 5
Frecuencia
Frecuencia (f) se mide en ciclos por segundo o Hertzios (Hz)
El periodo (T) se mide en segundos
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 6
Frecuencia - clock
Es posible generar una secuencia permanente y constante construida a
partir de una base de tiempo estable
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 7
Diagrama temporal - cronograma
Las señales de entrada o salida de diferentes dispositivos, se puede graficar
en función del tiempo
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 8
Ciclo de trabajo
Puede existir dispositivos que para calcular su salida, no necesita que se
mantenga el nivel de las entradas o al menos que no se mantengan durante la
totalidad del tiempo en que la salida es confiable
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 9
Trabajo eléctrico
El trabajo eléctrico es el que realiza una fuerza sobre una carga para
desplazarla desde un punto A hasta otro punto B.
b
⃗˙ La energía potencial disminuye a medida
W e =∫ F
⃗ (t , x , y , z) dr
que aumenta la energía cinética
a
−Δ U =Δ K
El trabajo es realizado por una
fuerza, pero como esta fuerza es
conservativa, podemos escribir
W =−Δ U
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 10
Energía y Potencia eléctrica
El trabajo realizado por la fuerza aplicada F sobre la carga q cambia la
energía potencial de q que es la energía potencial eléctrica de q.
⃗ =− Fe
F ⃗ e=1,60 ×10 − 19[C ]
⃗ qQ
− Fe=K e 2
⃗r
r
⃗ =Q ⃗
[ ]
F E b
qQ 1 1 qQ
Δ U =−∫ k dr=kqQ − U =k
∮ E⋅ ⃗
⃗ dl=0. a r 2
b a b
U ΔU [J]
V= V b −V a =Δ V = [V ]= 1 eV =1,6 × 10− 19 J .
Q Q [C ]
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 11
Energía y Potencia eléctrica
El trabajo realizado por la fuerza aplicada F sobre la carga q cambia la
energía potencial de q que es la energía potencial eléctrica de q.
⃗ =− Fe
F ⃗
⃗ qQ
− Fe=K e 2
⃗r
r
La corriente eléctrica es el movimiento de cargas. Esto implica un trabajo por lo
tanto debe existir una fuerza que lo realice. Esa fuerza se expresa como una
diferencia de potencial entre dos puntos o voltaje.
P=i v [J ]=[W ][s]
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 12
Modelo atómico
Un modelo actuales de la estructura de los átomos son complejos.
Usaremos un modelo básico con las siguientes premisas:
●
En un átomo existen niveles de energía (no es continua).
●
Cada nivel n tiene subniveles (s, p, d, f) u orbitales (estados)
●
En s hay 1 orbital, en p hay 3 orbitales, en d; 5 y en f hay 7.
●
Un orbital (estado) pueden contener 2 electrones (Pauli).
●
El orbital tiene mayor energía a medida que se aleja del núcleo
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 13
Ejemplo – el Silicio
Configuración Electrónica Si
1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p²
Nivel 3 estado s y p → 8 -e
Estado de valencia & -e de valencia
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 14
Ejemplo - Cobre
●
El núcleo atrae a los -e y en un orbital U=K
●
La unión entre el -e externo y el núcleo es la mas
débil y con poco energía es “movible”
●
Se le da el nombre de electrón libre
●
El último orbital (de valencia) determina las
propiedades eléctricas del átomo.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 15
Teoría de Bandas
●
En un átomo aislado, la función de onda de un -e
está ligada a un nivel de energía definido.
●
Al aproximarse a otro átomos, intearccionan entre si y una
vez completado el orbital sus niveles energéticos se
desdobla en dos niveles de energía diferentes (Si 2,35°A).
●
Los -e tienden se ubican a los estados mas bajo de
energía posible.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 16
Teoría de Bandas
●
En un sólido, los átomos se ubican en una
configuración espacial ordenada conformando un
cristal.
●
Un cristal conformado por N átomos, permite la
existencia de N subniveles energéticos distintos muy
próximos (casi continuo).
●
El resultado es de una banda continuas de energía,
separadas por intervalos de energías prohibidas.
●
El cubo del Si es 0,543 nm y el Ge (misma
estructura) con una dimensión de 0,566 nm.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 17
Teoría de Bandas
Si= 1s² 2s² 2p⁶ 3s² 3p²
Ec
EG =E c −E v
Ev
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 18
Ejemplo Manganeso (Mg)
Al considerar superpuestas los orbitales 3s, se genera una BANDA DE VALENCIA. La banda
formada por los orbitales del subnivel 3p está adyacente, y se denomina BANDA DE
CONDUCCIÓN en este caso vacía
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 19
Teoría de Bandas
●
En cada nivel se generarán subniveles que podrán ser ocupados por un -e
(función de onda)
●
La densidad de esos niveles disponibles estará dado por las siguientes
ecuaciones:
mn
Para : E≥EC → g c (E )= 2 3 √ 2 m n ( E−E c )
π h
mp
Para : E≤E v → g v ( E)=
π2 h3
√ 2 m p ( E v−E )
A medida que la E es mayor que Ec crecen los estados disponibles para -e
A medida que la E es menor que Ev crecen los estados disponibles para +h
La cantidad de portadores en cada banda dependerá de la probabilidad de su
generación (Fermi) y el número de estados disponibles
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 20
Teoría de Bandas
La cantidad de portadores en cada banda dependerá del producto entre la
probabilidad de su generación (Fermi) y el número de estados disponibles
( )
E− E F −1
probabilidad que un -e con energía E ocupe
KT
f e ( E)= 1+e un estado energético
( )
E− E F −1
probabilidad que un +h con energía E ocupe
KT
f h ( E)=1− 1+ e un estado energético
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 21
Teoría de Bandas
El nivel de energía de Fermi, es la energía
( )
E−E F −1
del mas bajo nivel o parcialmente ocupado f e ( E)= 1+e KT
a 0°K
( )
2
h 3Ne
2
3
E F=
8 me π V
Ne
dencidad de electrones
V
Si T>0 se puede encontrar
electrones en un estado mayor a
EF no asi con T=0
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 22
Teoría de Bandas
C EG =5 eV (diamante)
SiO 2 EG =8 eV
Si E G=1,12 eV
Ge EG =0,66 eV
GaAs E G =1,42 eV (arsenurio de Galio)
Si por algún medio, se le aporta energía a un -e se tiene que:
E e =E orvital + E aportada → En general : E T =U +K
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 23
Teoría de Bandas
E e =E orvital + E aportada
Las banda es una propiedad de la red
cristalina del material (no del átomo)
Una electrón que gane energía tal que
E c ≥ E e ≥ E sup
Se desvincula de su átomo y pasa a
pertenecer a “todos los átomos del
cristal”
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 24
Conductividad en los materiales
Todos los elementos pueden ser categorizados según su conductividad
como: conductores, aislantes o semiconductores.
Los conductores oponen baja resistencia a la circulación de la corriente
eléctrica. Los aislantes muy alta resistencia a esa circulación. Los
semiconductores se ubican entre ambos extremos
En general se comportan como uno u otro según ciertas condiciones
externas y algunas características intrínsecas.
La temperatura, la presión, la radiación y los campos magnéticos
pueden hacer que la resistividad de un semiconductor varíe.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 25
Conductividad en los materiales
Banda de conducción
Banda de Conducción
Banda Prohibida 6eV
Banda de Valencia
Banda de Valencia
CONDUCTOR AISLANTE
banda de conducción es el intervalo de energías permite a los electrones
sufrir aceleraciones por la presencia de un campo eléctrico externo
banda de valencia es el más alto de los niveles de energías (o bandas) que se
encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 26
Semiconductor Intrínsecos
A temperatura ambiente, algunos
Banda de conducción
electrones obtienen energía para saltar
1eV a la banda de conducción, dejando un
Banda de Valencia hueco en la banda de valencia (1,12 y
0,67 eV)
Los electrones pueden caer desde la
banda de conducción, a un hueco en la
1eV banda de valencia liberando energía
(recombinación).
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 27
Pureza de los Semiconductores
●
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.
●
Los intrínsecos (puros) son cristales que a través de enlaces
covalentes entre sus átomos, desarrollan una estructura de tipo
tetraédrico
A temperatura ambiente, estos cristales tienen electrones que
absorben energía y pasan a la banda de conducción, dejando atrás un
hueco en la banda de valencia.
●
Los semiconductores extrínsecos, son semiconductores
intrínsecos a los que les agregan impurezas (dopaje) Este cambio
estructural, modificar las propiedades eléctricas del material.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 28
Modelo de enlaces – Si Intrínseco
Distancia entre átomos 2.35 °A = 2,35 x 10 ⁻¹⁰ m
8 [ato] 22 atms
Un cubo unitario tiene un volumen de 1,6 x d Siat = −22 3
=5 10 3
1,6 10 [cm ] cm
10⁻²² cm³
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 29
Semiconductor Intrínseco
Con una diferencia de tensión, se
producen dos corrientes eléctricas:
●
Debido al movimiento de los
electrones libres en la banda de
conducción
●
Debido al desplazamiento de los
huecos en la banda de valencia
La velocidad y magnitud de corriente
de huecos es inferior a la de los -e
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 30
Modelo de enlaces – Si Intrínseco
Los portadores en la capa de conducción son n y los de la capa de
valencia son p
La generación de hueco-electrónes en el Si depende de la temperatura.
Se define la tasa de generación térmica de portadores por unidad de
volumen y de tiempo como:
G th (° T )
El efecto de recombinación es cuando un -e con Energía de conducción
ocupa un hueco en la capa de valencia compensando la generación de
portadores. La energía que librea puede ser térmica u óptica
R=Knp
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 31
Modelo de enlaces – Si Intrínseco
Como n=p a esa cantidad se la denomina concentración intrínseca
(portadores excitados por temperatura)
n i=n= p
En equilibrio energético R=G th (T )+G op
2 G th (T )+G op
n=
i Ley de asociaciń de masa
K
Para 300°K la cantidad de portadores en la 10
Si ni =1 x 10 cm
−3
banda de conducción: 13
Ge ni =7,2 x 10 cm
−3
7 −3
ArGa ni =3 x 10 cm
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 32
Modelo de enlaces – Si Intrínseco
La cantidad de portadores excitados a una determinada temperatura
puede obtenerse a partir de la siguiente expresión (mecánica cuántica)
[( )]
3 EG
2 π me k T 2
−
2 KT
ni = 2 2
e
h
T = temperatura en Kelvin
−23 J −5 eV
k=1,3810 =8,617 10 constante de Boltzmann
K K
−31
m e =9,110 Kg masa del electrón
−34
h=6,626 10 joule seg Constante de Plank
E G = diferencia de energía entre niveles de valencia y conducción
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 33
Homework
1) Averiguar en la Tabla de Mendeléyev la configuración electrónica de los
elementos del grupo III (Boro (B), Galio (Ga), Indio (In) o Aluminio (Al)) y V
(Arsénico (As), Fósforo (P) o Antimonio (Sb))
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 34
Semiconductor Extrínseco
●
Si a un semiconductor intrínseco, se le añade un pequeño porcentaje
de impurezas, como elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado.
●
Las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.
●
Trivalente: boro B – galio Ga – indio In – aluminio Al →
●
Portadores aceptores
●
Pentavalente: arsénico As – fósforo P – antimonio Pb →
●
Portadores donadores
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 35
Si Dopado – tipo n y tipo p
Cuando al Si se le agrega impurezas (átomos de otro material) cambias
sus propiedades.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 36
Si Dopado – tipo p y tipo n
La cantidad de portadores excitados a una determinada temperatura
puede obtenerse a partir de la siguiente expresión (mecánica cuántica)
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 37
Semiconductor tipo n
Se obtiene dopando al semiconductor para
poder aumentar el número de portadores B. Conducción
de carga libres (en este caso, negativas).
El material dopante aporta sus electrones
más débilmente vinculados a los átomos
del semiconductor (donante) Banda de Valencia
Los "electrones libres", supera al número de huecos, en ese caso los
electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los minoritarios.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 38
Semiconductor tipo p
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a
cabo un proceso de dopado, que aumentar el
número de portadores de carga libres (en este
B. Conducción caso positivos o huecos).
El propósito del dopaje tipo P es el de crear
abundancia de huecos.
El material dopante es añadido, libera los
electrones más débilmente vinculados de los
Banda de Valencia átomos del semiconductor (aceptor) y que han
perdido un electrón.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 39
Semiconductor tipo n
●
El dopado tipo N produce un corrimiento del nivel de fermi (Ef) hacia
la banda de conducción
●
Por balance de carga la densidad neta de ellas es 0 ρ=q ( N d + p−n)=0
●
Por la ley de acción de masas
Los portadores -e son
2 19 [imp]
np=ni → cuando N d <10 3
Si no degenerado en magnitud igual a los
cm átomos donadores y los
2 19 [imp] huecos son minoritarios
np>ni → cuando N d >10 3
Si degenerado
cm
2
1 ni
n= ( N d + √ N d +4 ni ) como N d ≫ni ⇒ n≈N d y p≈
2 2
2 Nd
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 40
Semiconductor tipo P
●
La densidad neta de ellas es 0
ρ=q ( p−n−N a )=0
1
p= (N a + √ N a +4 ni )
2 2
2
2
ni
como N a ≫ni ⇒ n≈ N a y n≈
Na
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 41
HOMEWORK
1.- Grafique eligiendo un orden de magnitud conveniente (cualitativamente) las
densidades de Energía que conforman cada una de las bandas de conducción y
valencia.
2.- Usando esa misma relación de magnitudes, obtenida en las gráficas de la
probabilidad que tiene los portadores de carga, según la cantidad de energía.
3.- Confeccione las curvas de los valores obtenidos para cada nivel de energía del
producto entre la probabilidad y el número de niveles de energía que constituye una
banda.
4.- Una muestra de Silicio se dopa con fósforo utilizando 10¹⁵ átomos donadores.
¿Cuales son las concentraciones resultantes de los portadores?
¿cuanto fue el incremento de +h y -e en el material?
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 42
Mecanismos de conducción
En un semiconductor, la corriente puede deberse a:
●
Por la aplicación de un campo eléctrico que produce el arrastre de
portadores forzando el movimiento de portadores
●
Que la concentración de portadores es mayor en una zona con
respecto a otra, que provoca la difusión de los portadores
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 43
Mecanismos de conducción
En el Arrastre:
cm Debido solo a la temperatura
velocidad promedio v th=107
seg
coliciones τ c =0,1 pseg El movimiento ocurre en ese intervalo
lingitud recorrida λ =v th τ c ≈10 nm Camino libre promedio
fuerza debido a un E F =−qE y F=+qE
a Δ¯x Desplazamiento promedio en el intervalo
velocidad de arrastre v =
Δt
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 44
Mecanismos de conducción
Experimentalmente se comprueba: v an =−μn E v ah =−μ p E
Proporcional a las movilidades en cada caso depende
del dopado
μo
La movilidad de +h y -e puede aproximarse mediante μ =μmin +
N α
1+( )
17
N ref =2,35 10 cm
−3 17
N ref =1,3 10 cm
−3
N ref
2 2
cm cm
μ min=54,3 μ min=92
V Seg V Seg
2 2
cm cm
μ o 406,9 μ o =1268
V Seg V Seg
α =0,88 α =0,91
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 45
Mecanismos de conducción
dopado típico: 5 x 1016 cm−3
cm 2 cm2
μn =1000 μ p =400
Vs Vs
Movilidad de los
portadores en
función del
dopado neto
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 46
Mecanismos de conducción
A medida que el campo
eléctrico (cercano a los 10⁴
V/cm) se incrementa la
velocidad de los portadores
sufre un efecto de
saturación
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 47
Mecanismos de difusión
Los huecos se difunden desde la zona de
mayor concentración
dp( x)
J p =−q D p D p → Cte. de difusión
dx
Tomando como positiva la corriente en
dirección en que se mueven los huecos; la
densidad de corriente debida a los electrones
dn( x )
J n =q D n D n →Cte. de difusión
dx
2 2
cm cm
D p ≈12 D n≈35 .
seg s
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 48
Tensión térmica
La relación que vincula la constante de difusión con la movilidad es
D p Dn kT
=
μn μ n =V T =
q
A temperatura de 300° K → V T ≈26 mV
También se conoce como relación de Einstein.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 49
Unión p-n
Se estudiará lo que sucede
cuando se unen dos materiales
semiconductores del tipo P y N
A partir del momento que se
unen ambos materiales, por un
instante se producirá la
recombinación de electrones y
huecos en la unión.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 50
Unión p-n
Esa recombinación producirá
una densidad de corriente
electrónica Je dada por el
movimiento de los electrones
Finalizada la recombinación
se obtiene un campo
eléctrico y una zona sin
portadores libres
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 51
Unión pn a circuito abierto
Portadores mayoritarios
Portadores minoritarios
Corriente de difusión
Corriente de deriva
Región de agotamiento
Campo eléctrico
Barrera de potencial o
voltaje interno de la unión
NN N D
V 0 =V T ln ( 2
)
n i
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 52
Zona de deflexión: Ancho y Cargas
|+Q|=|−Q|
portadores
mayoritarios
|+Q| |+Q|
portadores
mayoritarios
qN D x n A = qN A x p A
Material Tipo P Material Tipo N
xn N A
=
xp N D Portadores
Portadores minoritarios
F minoritarios
εSi =1.04 x 10− 12
cm
W =x n + x p =
√ (
2 ε Si 1
q NA ND
+
)
1
V0
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 53
Unión p-n bajo voltaje
V 0 +V R
Ánodo Cátodo
A K
ID = 0
IS
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 54
Unión p-n bajo voltaje
IS
ID
Ánodo Cátodo
A K
V 0 −V F
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 55
Relación corriente-voltaje de la unión
V
VT
p n ( x n )= p n 0 e
V V
VT VT
p Exe ( x n )= pn 0 e − pn 0 = p n 0 (e −1)
Concentración de
portadores minoritarios
en tipo n
−( x− x n )
Lp
p n ( x)= p n 0 + p Exc e
L p → Longitud de difusión
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 56
Relación corriente-voltaje de la unión
dp( x)
J p =−q D p D p → Cte. de difusión
dx
−( x− x n ) V V
Lp VT VT
p n ( x)= p n 0 + p Exc e p Exe ( x n )= pn 0 e − pn 0 = p n 0 (e −1)
V V
Dp V Dn V
J p ( x n )=q pn 0 (e −1) T
J n (−x p )=q n p 0 (e −1)
T
Lp Ln
n2i n2i
( )
V
p n0 = y n p 0= 2 Dp Dn V
ND NA I = Aq ni + (e −1) T
L p N D Ln N A
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 57
Relación corriente-voltaje de la unión
V
VT
( )
V
2 Dp Dn V
I (V )=I sat (e −1)
I = Aq ni + (e −1) T
L p N D Ln N A
I sat = Aq n 2
i
Dp
( +
Dn
L p N D Ln N A )
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 58
Homework
●
Considere una unión pn en equilibrio a temperatura ambiente (T = 300 K)
para la cual la concentración de dopado son NA = 10¹⁸ cm⁻³ y ND = 10¹⁶
cm⁻³ y el área de la sección transversal A = 10⁻⁴ cm². Calcule pp , np0 , nn ,
pn0 , V0 , W, xn , xp con ni = 1,5 × 10¹⁰ cm³ .
●
Luego con Lp = 5 μm, Ln = 10 μm, Dp (en la región n) = 10 cm²/ V· s, y Dpn
(en la región p) = 18 cm² /V· s. La unión pn tiene polarización directa y
conduce una corriente I = 0,1 mA. Calcular:
(a) IpSat ;
(b) la tensión de polarización directa V;
(c) la componente de la corriente I debida a la inyección del hueco y que
debido a la inyección de electrones a través de la unión.
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 59
Conclusión
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 60
Primer dispositivo
Diodos de unión Rectificadores
Diodo zener Detectores
Diodo tunel Multiplicadores de tensión
Diodo schottky Limitador de voltajes
Diodo led Compuertas lógicas
Fotodiodo Reguladores
Varactor Limitadores
Circuitos fijadores
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 61
03/04/23 Ing. Ricardo F. Maldonado 62
