Laboratorio de Eelectrónica Transistor De 1
Unión Bipolar (BJT)
Bipolar Junction Transistor (BJT) Electronics
Laboratory
Támara Fernando. Estudiante (Curso de Electronica 1, Universidad de Sucre, moji1545@[Link])
Ladeus Diego. Estudiante (Curso de electronica, Universidad de sucre, ladeusdiego79@[Link])
Palencia Sebastián. Estudiante (Curso de electronica, Universidad de sucre, palensebastian4@[Link])
Resumen— Para esta práctica se hicieron varias mediciones 2N3904 datos que se tuvieron en cuenta para no dañar el
para comprobar el funcionamiento del transistor 2N3904, el dispositivo.
cual nos permitió controlar el flujo de corriente con sus
terminales con una pequeña señal de corriente o voltaje el cual Como segundo paso se simulo el circuito de la Figura 1, para el
se fue variando para ver su comportamiento. cual se midió la IB Nominal ajustando con el potenciómetro y
obtener los valores asignados los cuales cambiamos ya que los
Palabras clave: Base, corriente, colector, transistor, voltaje. valores eran muy bajos, obtenidos esos valores se midió en voltaje
(VBE), con estos datos se graficó la curva características del
Abstract transistor.
For this practice, several measurements were made to check the
operation of the 2N3904 transistor, which allowed us to control the
current flow with its terminals with a small current or voltage signal
which was varied to see its behavior.
Keywords: Base, current, collector, transistor, voltage.
I. INTRODUCCIÓN
Un transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico
de estado sólido fundamental en la electrónica moderna. Está
compuesto por dos uniones PN muy cercanas entre sí, y permite
controlar el flujo de corriente a través de sus terminales mediante
una pequeña señal de corriente o voltaje Ref [1].
Figura 1
Los BJT se clasifican en dos tipos: NPN y PNP, según el tipo de
dopaje de sus tres regiones: emisor, base y colector, Emisor: Es la Como tercer y último paso se armó el circuito de la Figura 3, para
región más delgada y dopada del BJT. Su función principal es este circuito se ajustó el voltaje de la fuente VCC, VBB y la IB
emitir portadores de carga (electrones en NPN y huecos en PNP) Nominal para obtener los valores que se nos piden en la Tabla 3,
hacia la base, Base: Es la región central y la más delgada del BJT. se graficó la curva característica del transistor con estos nuevos
Su función es controlar el flujo de corriente entre el emisor y el datos.
colector, Colector: Es la región más grande y dopada del BJT. Su
función principal es recolectar los portadores de carga
provenientes del emisor Ref [2].
El funcionamiento de un BJT se basa en la modulación de la
corriente del colector (Ic) mediante una pequeña corriente de base
(Ib). La ganancia de corriente (β) del transistor relaciona la Ic con
la Ib Ref [3].
II. METODOLOGÍA
-Para Esta práctica usamos el simulador Proteus versión 8.13,
como primer paso consultamos los parámetros del transistor
Figura 3
2
III. PROCEDIMIENTO
Se armó el circuito de la Figura 3, ajustamos el voltaje de la fuente
Se buscó en la hoja de datos del transistor 2N3904 para anotar los Vcc para que el voltaje colector – emisor (Vce) tome cada uno de
valores de los parámetros en la Tabla 1. los valores indicados en la Tabla 3 para cada valor de corriente de
base (IB).
Parámetro Valor (según datasheet)
IB0=0
Máxima corriente de colector IB1=10µ IB2=20µ IB3=30µ IB4=40µ IB5=50µ
µA
(IcMax) 600 mA VCE A A A A A
IC0(m
IC1(mA) IC2(mA) IC3(mA) IC4(mA) IC5(mA)
Factor de amplificación o A)
ganancia (HFE o beta) 300 MHz
Máximo voltaje de colector- 0v 0 0.0 1 0.0 1 0.0 2 0.03 0.04
emisor (VCEMax) 40 V
1v 0 2.44 4.84 6.67 8.43 10.3
Máximo voltaje base -
emisor(VBEMax) 60 V 2v 0 2.49 4.94 6.90 8.60 10.5
máxima potencia de disipación
(PD) 625 mW 3v 0 2.54 5.04 6.93 8.76 10.7
Tabla 1 4v 0 2.59 5.13 7.07 8.93 10.9
-Se armó el circuito de la Figura 1 en proteus y se tomaron las 5v 0 2.63 5.23 7.20 9.10 11.1
respectivas mediciones ajustando el potenciómetro para obtener
los valores de corriente de base para los cuales se tuvieron 6v 0 2.68 5.33 7.33 9.27 11.3
inconvenientes y que estos valores son muy pequeños y se
remplazaron por valores que se podía trabajar sin inconvenientes, 7v 0 2.73 5.42 7.46 9.43 11.5
estos datos se encuentran en la Tabla 2.
8v 0 2.78 5.52 7.60 9.60 11.7
IB Nominal 325 a 352 422 a 469 526 a 601 699 a 835 9v 0 2.83 5.62 7.73 9.77 11.9
(µA) (µA) (µA) (µA) (µA)
10v 0 2.88 5.71 7.86 9.94 12.1
IB Real (mA) 11,6 11,6 11,6 11,6
VBE (V) 0,77 0,78 0,79 0,8 11v 0 2.93 5.81 7.99 10.1 12.3
12v 0 2.97 5.90 8.13 10,3 12.5
Tabla 2
-Se graficó la curva característica de entrada del transistor (VCE Tabla 3
en el eje X e IB en el eje Y), como se muestra en la Figura 2.
-Graficamos la curva característica del transistor 2N3904. Ic en
el eje Y, y VCE en el eje X, la gráfica para IC5 se encuentra en la
Figura 4
IC5 vs VCE:
Figura 2
3
Figura 4
IV. ANÁLISIS DE RESULTADO
Como resultado del circuito de la Figura 1, según los datos
obtenidos en la Tabla 2, al suministrarle una señal de corriente
muy pequeña a los terminales del transistor, este amplifica dicha
señal y controla la corriente que pasa por el circuito. En la gráfica
de la Figura 2 se observa que a medida que se aumentaba el voltaje,
la corriente se mantuvo estable.
Para el circuito de la Figura 3, se observa que al aumentar la
corriente nominal, la señal de corriente se amplifica mucho más.
En la gráfica de la Figura 4 se observa que al suministrarle una
señal pequeña de corriente, esta aumenta y se mantiene lo más
estable posible.
REFERENCIAS
. Ref [1] Anónimo., Transistor bipolar bjt: Qué es?, Aplicaciones y
Funcionamiento, Disponible en
[Link] ; consultado en
(mayo 8 del 2024).
Ref [2] Anónimo. Transistor bjt: Disponible en;
[Link] consultado en (mayo 8 del 2024).
Ref [3] Anónimo. Transistor bjt: Disponible en;
[Link]
%B3nica/Libro%3A_Circuitos_El%C3%A9ctricos_III_-
_Semiconductores_(Kuphaldt)/04%3A_Transistores_de_uni%C3%B3n_bi
polar/4.01%3A_Introducci%C3%B3n_a_los_transistores_de_uni%C3%B3
n_bipolar_(BJT) consultado en (mayo 8 del 2024).
