0% encontró este documento útil (0 votos)
150 vistas8 páginas

Tiristores

Este documento describe diferentes dispositivos de electrónica industrial como SCR, UJT, PUT, GTO, IGBT y IGCT. Explica sus principios de operación, características y clasificaciones.

Cargado por

Millagui Vicente
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd
0% encontró este documento útil (0 votos)
150 vistas8 páginas

Tiristores

Este documento describe diferentes dispositivos de electrónica industrial como SCR, UJT, PUT, GTO, IGBT y IGCT. Explica sus principios de operación, características y clasificaciones.

Cargado por

Millagui Vicente
Derechos de autor
© © All Rights Reserved
Nos tomamos en serio los derechos de los contenidos. Si sospechas que se trata de tu contenido, reclámalo aquí.
Formatos disponibles
Descarga como PDF, TXT o lee en línea desde Scribd

TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE OAXACA

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA


SEMESTRE AGO’23-DIC’23

NOMBRE DE LA ASIGNATURA:

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
GRUPO:7EB HORA: 17:00-18:00hrs

INVESTIGACIÓN

DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA INDUSTRIAL

DOCENTE:

CRUZ SANTIAGO ANDREA

VICENTE ZARATE MILLAGUI BONIFACIO

LUGAR Y FECHA DE ENTREGA: OAXACA DE JUÁREZ, OAX. A 24 DE AGOSTO DE 2023


Actividad 1
Investigar en diferentes fuentes bibliográficas la información relacionada con el
funcionamiento de los dispositivos de la electrónica industrial y sus características
de funcionamiento. Como resultado de la investigación, en pequeños grupos los
alumnos realizaran un cuadro comparativo.
Dicho cuadro, deberá incluir:
- Terminología y principios de operación de la familia de los Tiristores (SCR, UJT,
PUT, GTO, IGBT´s, etc.).
Clasificación y características.
- Voltaje
- Corriente de los tiristores
- símbolo
- características eléctricas y
- su clasificación en unidireccionales y bidireccionales
Nota: Los terminos de ejemplo de los tiristores, No son limitativos, pueden
adicionar todos los tiristores que encuentren.
TIRISTORES
Un tiristor es un dispositivo especialmente popular en Electrónica de Potencia. Es sin duda el
dispositivo electrónico más robusto que permite conmutar y controlar cantidades de energía muy
elevadas.

El tiristor es un semiconductor utilizado como interruptor.

Está formado por elementos que utilizan la realimentación interna para producir la conmutación de
corriente y, según la temperatura de trabajo, podrán ser de diferentes materiales, así como servir de
aislantes o conductores.

Es capaz de ser utilizado por mecanismos de iluminación que puedan presentar variación en su
intensidad. Es útil para regular los valores de temperatura y velocidad. Su mecanismo de
funcionamiento presenta un alcance de tensión de disparo en el ciclo positivo, así como en el ciclo
negativo.

Hay varios tipos de tiristores para diversas aplicaciones, que incluyen: tiristores de tipo inversor,
asimétricos y de control de fase. Otras variantes incluyen tiristores de apagado de puerta y tiristores
activados por luz.

Tiristores de control de fase: este tipo de tiristor no tiene capacidades de conmutación rápida y, en
cambio, opera a la frecuencia de línea (50/60 Hz). Como resultado, los tiristores de control de fase
son apropiados para aplicaciones de frecuencia industrial, como unidades de CC, soldadura por
resistencia y ciertas aplicaciones de transmisión de energía.

Tiristores inversores: con un tiempo de encendido y apagado rápido, los tiristores inversores a
menudo funcionan con una fuente de alimentación de CC y se encuentran en aplicaciones de
conmutación de alta velocidad. La tensión varía típicamente como una función inversa del tiempo
de apagado.

Tiristores asimétricos: los tiristores asimétricos no bloquean cantidades sustanciales de corriente


inversa. Los tiristores asimétricos, comúnmente abreviados como ASCR, funcionan bien en
aplicaciones donde la tensión inversa es relativamente baja, entre 20 y 30 voltios (V), y donde la
tensión directo está entre 400 y 2000 V.

Tiristor de apagado de puerta (GTO): Un tiristor de apagado de puerta (GTO) es adecuado para
aplicaciones con tensión superior a 2500 V o una corriente superior a 400 A. Es importante que todos
los componentes del GTO estén activados al mismo tiempo. Asimismo, es igualmente importante
que todos los componentes se apaguen al mismo tiempo, de lo contrario, el tiristor corre el riesgo
de sobrecargarse y dañarse posteriormente.

Tiristores activados por luz: también llamados fototiristores, los tiristores activados por luz (LTT)
están diseñados específicamente para reaccionar al exceso de portadores que se producen
ópticamente. Si se producen suficientes portadores, se cumplen las condiciones para activar el
tiristor y el tiristor se enciende.
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo
de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.

Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar
el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como
un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido.

Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del inglés gate turn-off thyristor) es un dispositivo
de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de corriente positiva en la
terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en cambio puede ser apagado al
aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de
encendido como el estado de apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un
tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su configuración. Al igual
que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la compuerta se
conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la
constante de tiempo RC.

El transistor uniunión o transistor unijuntura (UJT del inglés UniJuntion Transistor) es un tipo
de transistor constituido por dos zonas semiconductoras y, por lo tanto, una juntura p-n. El nombre
del dispositivo surge de esta última característica. Este componente electrónico posee tres
terminales denominados emisor, base uno y base dos

A diferencia de otros transistores, este dispositivo no se utiliza en amplificación lineal, sino que se
reserva para aplicaciones de conmutación como interruptor. Más específicamente, se utiliza
ampliamente en los circuitos de disparo de los rectificadores controlados por silicio y TRIACs.
SCR UJT PUT GTO IGBT´S IGCT

TERMINO Un tiristor El El PUT no s un Los transi Tiristor


LOGIA SCR es un transistor es un UJT dispositivo stores conmut
dispositivo de unión (transistor de electrónic bipolares ado
compuesto única o uniunión). a de de puerta por
por cuatro sus El PUT potencia que aislada se compu
capas de siglas (Transistor puede ser utilizan erta y
material UJT del Uniunión encendido ampliame un
semiconducto ingles programabl por un solo nte en activad
r con significa ( e) es un pulso de electrónic or por
estructura Uni Junct dispositivo corriente a de compu
PNPN o bien ion Trans que, a positiva en la potencia. erta en
NPNP. istor). diferencia terminal Estos son tarjeta
del transist puerta o gate componen de
or (G), al igual tes circuito
bipolar com que el tiristor confiables impres
ún (que normal; pero y o
tiene 3 en cambio económic multica
capas: puede ser os que se pa
NPN o apagado al controlan
PNP), tiene aplicar un energizan
4 capas. pulso de do un
corriente elemento
negativa en aislado
el mismo del
terminal. circuito.
Ambos
estados,
tanto el
estado de
encendido
como el
estado de
apagado,
son
controlados
por la
corriente en
la puerta (G).
PRINCIPIOS Es activado depende Para pasar Tiristor GTO El IGBT e Activad
DE aplicando un del valor al modo (Gate Turn- s un o con
OPERACIÓN pulso corto a de la activo Off): se transistor un
través de la tensión desde el enciende por cuyo pulso
compuerta y aplicada. estado de un solo pulso principio positiv
el catodo. Si se corte de corriente de o de
supone (donde la positiva en el funcionam corrien
que el corriente terminal iento es te a la
voltaje entre A y K puerta (G), al extremad compu
aplicado es muy igual que el amente erta de
entre los pequeña) SCR, pero simple. Se encen
terminale hay que permite el utiliza en dido,
s del elevar el apagado con inversores se
emisor y voltaje un pulso , sistemas apaga
la base1 entre A y K negativo en de control aplican
es cero, hasta el el mismo de do una
este UJT Valor Vp, terminal de accionami corrien
no que puerta. ento te
conduce. depende eléctrico y negativ
Por lo del valor fuentes de a de
tanto, el del voltaje alimentaci subida
material en la ón rápida
de tipo N compuerta conmutad de una
tiende a G. as. tarjeta
actuar de
como circuito
una impres
resistenci o de
a. varias
capas
en la
compu
erta.
VOLTAJE 1.5 kV 0.7 V 20-25 V 6,5 V 5 kV
CORRIENTE 1 kA 1 mA 3-5 A 400 A
SIMBOLOGIA

CARACTERIS Funciona a la este Este transis Existen 4 Como


TICAS frecuencia de dispositiv tor tiene 3 capas de El IGBT un
ELECTRICAS línea y se o no se terminales silicio es GTO
apagan por utiliza como otros (PNPN), 3 un transist de
conmutación en amplifi transistores uniones (P- or conexi
natural. cación lin y sus N, N-P y P- bipolar qu ón
eal, sino nombres N) y tres e perma
que se son: cátodo terminales: también c nente,
reserva K, ánodo A, ánodo (A), onsta de apaga
para puerta G. A cátodo (C o tres do muy
aplicacio diferencia K) y puerta componen rápido
nes de del UJT, (G). La tes: un debido
conmuta este diferencia en emisor, un al
ción transistor la operación colector y aumen
como permite que radica en una to
interrupto se puedan que una puerta. rápido
r. Más controlar señal Los IGBT de
específic los valores negativa en tienen la corrien
amente, de RBB y la puerta (G) capacidad te que
se utiliza VP que en puede de es
ampliam el UJT son apagar el entrada grande
ente en fijos. Los GTO. de alta en la
los parámetros Mientras el corriente y compu
circuitos de GTO se baja erta de
de conducción encuentre tensión de apaga
disparo del PUT apagado y saturación do.
de son no exista de los Puede
los rectifi controlados señal en la transistore tener
cadores por la puerta, el s un
controlad terminal G. dispositivo se bipolares diodo
os por bloquea para con las antipar
silicio y T cualquier característ alelo
RIACs. polaridad en icas de incorpo
el ánodo, salida de rado.
pero una
corriente de los
fuga (IA leak) MOSFET.
existe.
CLASIFICACI Unidirecciona Unidirecc bidireccion unidirecciona unidirecci unidire
ON l ional al l onal ccional
(UNIDIRECCI
ONAL/BIDIRE
CCIONAL
FRECUENCIA 60 Hz Intermedi Intermedia 1 kHz 2-50 kHz Interm
a 5khZ 5 kHZ edia 5
kHZ
REFERENCIAS
[Link]
existen/#:~:text=Hay%20varios%20tipos%20de%20tiristores,y%20tiristores%20act
ivados%20por%20luz.
[Link]
[Link]
[Link]
[Link]
discretos/tiristores/
[Link]
[Link]

También podría gustarte