CIENCIA DE LOS MATERIALES

SEMANA 6

Ing. Victor J. Castro Rojas

Logro de la sesión

Al termino de la sesión, los estudiantes

comprenden los fundamentos de los
estudios cristalográficos y la relación
que tienen estos conceptos con las
propiedades de los materiales.
Dudas sobre la
clase anterior
Temas a tratar

1. Caracterización Metalográfica
2. Metalografía
1. Texturas u orientaciones preferentes
Caso: Laminación plana (cuando ancho H casi no varía).

La deformación empleada al formar láminas y placas es

H
básicamente de carácter bidimensional.
b Se pueden obtener dos orientaciones cristalinas básicas (a y
b) en placas laminadas de metales tipo CCCu.
(A)
La anisotropía (diferencia de propieda- des de un metal en
función de la dirección del ensayo) de los materiales cristalinos
se refleja en los materiales comerciales resultando en
a algunos casos materiales con propiedades superiores.

(B), dirección
Datos/Observaciones preferente
1. Texturas u orientaciones preferentes
Caso: Fabricación de láminas para hacer bobinas de transformadores.

Fe + 4% Si Procedimientos Se obtiene la
(bobinas de + de laminación y dirección
transformador) tratamiento preferente tipo (B)
térmico

Esta textura, coloca la dirección de

fácil magnetización paralela al
sentido longitudinal de la lámina.
Se alinean las láminas para que su
dirección longitudinal sea paralela a
aleatorio orientado la dirección del flujo magnético.

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Coordenadas de puntos
Se pueden localizar ciertos puntos en la red o celda unitaria, como las posiciones de los átomos
definiendo el sistema de coordenadas de mano derecha. La distancia se mide en términos de la
cantidad de parámetros de red que hay que recorrer en las tres direcciones x, y y z para ir del origen
al punto. z

x
Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Índices de Miller
• Es un sistema de notación cristalográfica para definir planos y direcciones
en redes cristalinas.

• Las direcciones y planos se representan por grupos de tres números

enteros.

• Por convención, los enteros negativos se representan con una barra,

como 1 para -1.

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Direcciones cristalográficas
Una dirección cristalográfica es una línea imaginaria que une nodos (átomos, iones o
moléculas) de un cristal.

Notación: [i j k] única dirección

〈i j k〉 familia de direcciones (grupo de
direcciones equivalentes)

• Las direcciones son vectores (considerar dirección y sentido).

• Una dirección y su múltiplo son idénticos: [100] es igual que [200].

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Procedimiento para determinar los Índices de Miller de las
direcciones cristalográficas:
1. Usar un sistema coordenado de mano derecha y determinar las coordenadas de
los puntos que estén en la dirección.
2. Restar las coordenadas del punto “cola” de las coordenadas de las del punto
“cabeza” para obtener la cantidad de parámetros de red recorridos en la dirección
de cada eje del sistema de coordenadas.
3. Eliminar las fracciones y/o reducir los resultados obtenidos de la resta, hasta los
enteros mínimos.
4. Encerrar los números entre corchetes [ ]. Si se produce un signo negativo,
representarlo con una barra o raya sobre el número.

Datos/Observaciones
EJEM: Determine los índices de Miller de las direcciones A, B y C de la figura.

[1 2 2]
Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Familia de direcciones cristalográficas
Ciertos grupos de direcciones son equivalentes: tienen sus índices particulares por la forma en que se
definen las coordenadas.
La dirección [100] es una dirección [010] al redefinir el sistema de coordenadas.
Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar como una familia usando 〈 〉.

z z Familia

en sist. cúbico
Se espera que el material tenga las
x mismas propiedades en cada una de
y las 12 direcciones de la familia 〈110〉 .
x y
Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Planos cristalográficos
Los planos cristalográficos son planos ficticios que unen nodos de la red.

Notación: (h k l) único plano familia

{h k l} de planos
• Los planos y sus negativos son idénticos (no ocurre así con las direcciones). El plano
(020) = (020).
• Los planos y sus múltiplos no son idénticos.
• En los sistemas cúbicos, una dirección que tiene los mismos índices que un plano es
perpendicular a ese plano.

EJEM: la dirección [100] es perpendicular al plano (100).

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Ejemplos de planos cristalográficos (sistema cúbico)
z
y
x

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Procedimiento para determinar los índices de Miller de los planos cristalográficos:

1. Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en función de los parámetros de red
(las intersecciones pueden ser fracciones). Si el plano pasa por el origen, hay que mover el origen
del sistema de coordenadas.

2. Sacar los recíprocos de esas intersecciones.

3. Se eliminan fracciones y se determina el conjunto más pequeño de números enteros que estén
entre sí en la misma relación que las intersecciones.

4. Estos números enteros son los índices de Miller de un plano cristalográfico y se encierran entre
paréntesis ( ). De nuevo, los números negativos se deben escribir con una raya sobre ellos.

Datos/Observaciones
EJEM: Determine los índices de Miller de los planos A, B y C de la figura.

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Familia de planos cristalográficos

En cada celda unitaria, los planos de una familia representan grupos de planos equivalentes que tiene
sus índices particulares debido a la orientación de las coordenadas. Se representan estos grupos de
planos similares con la notación { }.

{110}

Planos de la familia {110} en los sistemas cúbicos

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Trazado de direcciones y planos cristalográficos
EJEM: Trazar a) la dirección [121] y b) el plano (210) en una celda unitaria cúbica.

ver Fig. (a)

ver Fig. (b)

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Comportamiento isotrópico y anisotrópico
Un material es cristalográficamente anisotrópico si sus propiedades dependen
de la dirección cristalográfica en la cual se mide la propiedad.
Módulo E del Al = 75,9 GPa para las direcciones 〈111〉 y

Módulo E del Al = 63,4 GPa para las direcciones 〈100〉

Si las propiedades son idénticas en todas las direcciones, el material es
cristalográficamente isotrópico.

El Al monocristal es anisotrópico; pero se comporta como isotrópico si está en la

forma policristalina. Esto se debe a las orientaciones aleatorias de los distintos
cristales en un material policristalino, que en su mayoría amulan cualquier efecto de la
anisotropía como resultado de la estructura cristalina.

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Distancia interplanar
En estructuras cristalinas cúbicas, la distancia interplanar entre dos planos paralelos
muy cercanos con los mismos índices de Miller se designa por dhkl, donde h, k y l
son los índices de Miller de los planos.
EJEM: La distancia entre los planos (110) 1 y 2, d110 , en la figura, resulta AB. También la
distancia entre los planos (110) 2 y 3, d110 , en la figura, resulta BC. Por geometría, se establece:

hkl
Vista superior de
una celda unidad
que muestra la
distancia entre
planos cristalinos a = parámetro de red
(110), d110 h, k y l = índices de Miller de los
planos adyacentes

Datos/Observaciones
Distancia interplanar dhkl

hkl

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Densidad lineal
Se define como el Nº de átomos que atraviesa una dirección por unidad de longitud.
EJEM: Densidad lineal del Ni en la dirección [101].
Ni: CCCa
R= 1.246 Ǻ

[101]
dl = 2 átomos / 4R
dl = 4,013 x 107 at/cm

Datos/Observaciones
2. Direcciones y planos cristalográficos – Índices de
Miller
Densidad planar
Se define como el Nº de átomos por unidad de área.
EJEM: Densidad planar del Pb en el plano (100).
Pb: CCCa
R= 1.75 Ǻ

dp = 2 átomos / a2
dp = 8,2 x 1014 at/cm2

(100)

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Anteriormente se han estudiado estructuras cristalinas ideales de repetición perfecta; sin embargo,
realmente no existen materiales cristalinos en los que no haya al menos algunos defectos
estructurales.

Entenderemos por defecto cristalino a cualquier perturbación en la periodicidad de un sólido

cristalino.

Átomos de Si
removidos del Esquema del
microscopio de
plano (111) (caso
efecto túnel STM.
análogo a la
vacancia).
Aumento 20x106.

Imagen de barrido por sonda

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Los cristales de los metales reales tienen varios defectos, clasificándose conforme a
su geometría y forma. Estos se enlistan sistemáticamente como sigue:
1. Vacancias
2. Átomos del metal (base) colocados en forma
intersticial (autointersticial) puntuales
3. Un átomo extraño colocado en forma intersticial
4. Un átomo extraño colocado en forma sustitucional
impurezas
5. Dislocaciones lineales
6. Límites de grano
7. Límites de macla intercaras
8. Fallas de apilamiento
- Defectos de volumen
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.1. Vacancias
La vacancia es el defecto puntual más simple. Es el hueco creado por la pérdida de
un átomo que se encontraba en esa posición.

Se contrae la red

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.1. Vacancias
• Las vacancias se pueden producir durante la solidificación como resultado de
perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.

• Pueden ser debidas también a reordenaciones atómicas en un cristal ya

formado como consecuencia de las vibraciones que desplazan los átomos de
sus posiciones reticulares normales.

• Las vacancias desempeñan un papel importante en la determinación de la

rapidez con que se pueden mover los átomos (difusión en un metal sólido).

Con “saltos” sucesivos de los átomos, una vacancia puede

moverse en la estructura de la red.
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.1. Vacancias
La cantidad de vacancias varía en función de la temperatura. En equilibrio:

donde:
Nv = cantidad de vacancias por cm3
N = cantidad de átomos por cm3
Qv = energía de activación (energía vibracional requerida para la formación de una vacante, es
decir, la energía necesaria para desplazar un átomo a la superficie).
k = cte. de Boltzmann
T = temperatura absoluta

De este modo, el número de vacancias crece exponencialmente con la temperatura.

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.2. Defecto autointersticial
Un defecto autointersticial es un átomo de un cristal que se ha desplazado a un
lugar intersticial, un espacio vacío pequeño que ordinariamente no está ocupado.

En los metales:
Fuerte distorsión en la red por la relación de
tamaños entre átomo (>>) e intersticios. Existen en
muy pequeñas concentraciones (mucho menores
que para las vacantes).
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.3. Átomo extraño (impureza) colocado en forma intersticial
Presencia de átomos adicionales diferentes a los del metal base ocupando sitios
intersticiales.

Expansión de la red: los átomos

intersticiales son menores que los átomos que
están en los puntos de red; pero son mayores
que los sitios intersticiales que ocupan.

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.4. Átomo extraño (impureza) colocado en forma sustitucional
Se introduce un defecto sustitucional cuando un átomo es sustituido por un tipo
distinto de átomo. Los átomos sustitucionales ocupan el sitio normal en la red.

Átomo pequeño Átomo grande

sustitucional (causará sustitucional
que los átomos vecinos
tengan distancias inter-
atómicas mayores
Datos/Observaciones
Tipos de esfuerzos
Cuando dos o más fuerzas son aplicadas sobre los cuerpos aparecen en ellos
tensiones internas que tienden a deformarlos, estas tensiones reciben el nombre
de esfuerzos.

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
[Link]

Los defectos de línea o dislocaciones en sólidos cristalinos, son defectos que

dan lugar a una distorsión de la red centrada en torno a una línea imaginaria

Las dislocaciones se crean durante la solidificación de los sólidos cristalinos o cuando

el material se deforma permanentemente. Son especialmente útiles para explicar la
deformación y el endurecimiento de los materiales metálicos.

Se identifican tres clases de dislocaciones: de borde (cuña), helicoidal (de tornillo) y

mixta.

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina

Zona de esfuerzo
de compresión Dislocación de borde +

Línea de disloca- Τ = Dislocación de borde -

Dislocación de borde (cuña) ción de borde

Una dislocación de borde se Zona de esfuerzo

de tracción Semiplano adicional
crea en un cristal por inserción de átomos
de un semiplano adicional de
Línea de disloca-
átomos. ción de borde
(borde inferior
del plano
insertado)

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocación de borde (cuña) Circuito y Vector de
Burgers
Si se describe un circuito en torno a la dislocación de borde, en sentido horario comenzando en el
punto x y recorriendo una cantidad igual de distancias atómicas en cada dirección, se terminará en el
punto y, a una distancia atómica del punto de partida.
El vector necesario para cerrar el circuito es el vector de Burgers b, el que resulta
perpendicular a la dislocación. y b

Dislocación
de borde
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocación helicoidal (de tornillo)
• Puede formarse en un cristal perfecto por aplicación de esfuerzos de cizalladura (corte).
• Se puede representar haciendo un corte parcial en el cristal perfecto (a) y (b) y a continuación,
torciendo ese cristal una distancia atómica (c).
Línea de
dislocación
helicoidal

(a) (b) (c)

Cristal Esfuerzo cizallante
perfecto → torcedura del cristal Esfuerzo cizallante

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocación helicoidal (de tornillo)
Si se sigue un plano cristalográfico durante una revolución respecto al eje de torcimiento del cristal,
comenzando en el punto x y recorriendo distancias interatómicas iguales en cada dirección, se
termina una distancia atómica abajo del punto de partida (el punto y).

b
Esfuerzo cizallante
hacia arriba Esfuerzo cizallante
hacia abajo

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocación helicoidal (de tornillo)

Nuevamente el vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto de

partida es el Vector de Burgers b. Si se continuara la rotación, se describiría una
trayectoria espiral. El eje o línea respecto al cual se traza la trayectoria es la
dislocación helicoidal, resultando el Vector de Burgers paralelo a esta dislocación.

La red cristalina pasa de ser un conjunto ordenado de planos, a presentar

superficies helicoidales cuyo eje vertical es la dislocación (apilamiento helicoidal de
planos cristalinos en torno a la dislocación de tornillo).

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocaciones mixtas
Los dos tipos de dislocaciones definidas anteriormente son formas límites. Las dislocaciones que
normalmente aparecen en los materiales reales son formas intermedias entre estas dos extremas y
reciben el nombre de dislocaciones mixtas. En este caso, las dislocaciones tienen componentes de
dislocaciones de borde y helicoidal.

Helicoidal

Borde

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocaciones mixtas
La línea de dislocación es de tipo helicoidal puro cuando entra en la estructura
cristalina (A) y de tipo borde puro cuando sale de ella (B). En el interior de la
estructura cristalina, la dislocación pasa a ser de tipo mixto, con componentes de
borde y de tornillo.
Por tanto, el Vector de Burgers b de la dislocación mixta no es ni perpendicular ni
paralelo a la línea de dislocación pero mantiene una orientación fija en el espacio,
que es compatible con las definiciones previas en las formas de dislocación de
borde y de dislocación helicoidal.

Helicoidal Borde
A B

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
Dislocaciones - resumen
Dislocación de borde (cuña):
• Un semiplano extra de átomos se inserta en la estructura cristalina
• b a la línea de la dislocación
Dislocación helicoidal o de tornillo:
• Los planos atómicos trazan un camino espiral o helicoidal
alrededor de la línea de dislocación
• Se forma al aplicar un esfuerzo cizallante
• b ║ a la línea de la dislocación
Dislocaciones mixtas:
• Combinación de ambas
Vector de Burgers, b: medida de la distorsión de la red
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.6. Límites de grano
Es el límite que separa dos pequeños granos o cristales que tiene diferentes
orientaciones cristalográficas (caso del material policristalino)
Ángulo de desalineación (+ energía) La región límite tiene probable- mente varias
Límite de distancias atómicas de ancho. Los átomos en esa
grano de región, no tienen las distancias correctas (→
ángulo
compresión y tensión).
grande
Á lo largo del límite de grano, no todos los átomos
Límite de están enlazados con otros átomos, existe entonces
grano de una energía de límite de grano o interfacial (similar a
ángulo
la energía superficial).
pequeño
(- energía)
Los átomos de impurezas se segregan
preferentemente a lo largo de los límites de grano.

Ángulo de desalineación
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina

Caso: Propiedades del material en relación al tamaño de grano.

• Un método para controlar las propiedades de un material es controlar el

tamaño de grano.

• Al reducir el tamaño de grano, se aumenta la cantidad de granos y en

consecuencia, se aumenta la cantidad de superficie de límites de grano.

• Toda dislocación recorre solamente una distancia corta para encontrar un límite
de grano y detenerse, así la resistencia del material metálico aumenta.

Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
3.7. Límites de macla
Es un tipo especial de límite de grano a través del cual existe una simetría de red
especular; esto es, los átomos de un lado del límite son como imágenes
especulares de los átomos del otro lado. La región del material entre estos límites
se denomina macla.
Plano de macla
Las maclas se generan por: desplazamientos
atómicos producidos al aplicar fuerzas mecánicas
cizallantes (maclas mecánicas) y también durante
tratamientos térmicos de recocido luego de la
deformación (maclas de recocido).
El maclaje ocurre en un plano cristalográfico
definido y en una dirección específica,
dependiendo ambos de la estructura cristalina.
CCCa → macla de recocido
CCCu y HC → maclas mecánicas
Datos/Observaciones
3. Defectos en la red cristalina
8. Fallas de apilamiento
Las fallas de apilamiento que se presentan en los metales CCCa (FCC), representan un error
en la secuencia de apilamiento de los planos con empaquetamiento compacto. Normalmente,
se produce una secuencia de A BC A BC A BC en un cristal perfecto.

En caso se tenga una

secuencia de la forma:
ABC ABABC ABC

En la porción de la secuencia
indicada, un plano tipo A está
ocupando el lugar donde un plano
La secuencia de tipo C estaría localizado
apilamiento ABC ABC ABC normalmente. Esta región,
de planos compactos
produce la estructura CCCa
representa una falla de apilamiento.

Datos/Observaciones
Hagamos una actividad

• Se formarán grupos y se habilitará salas en el zoom

• Desarrollar correctamente los ejercicios
• Tiempo: X minutos
• Posteriormente un representante del grupo explicará lo
desarrollado (se tomará en cuenta la oratoria y los
términos empleados).
Ejercicio 1 - Propuesto

Cálculo de la densidad planar y la fracción de empaquetamiento.

Calcule la densidad planar y la fracción de empaquetamiento planar para los planos (010) y (020) en el
polonio Pb cúbico simple (a = 0.334 nm).

Datos/Observaciones
Cierre

• ¿Cuál es la importancia de los

defectos en las estructuras
cristalinas?
• ¿Para que me sirve lo aprendido el día
de hoy?