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Leyes Térmicas en Electrónica de Potencia

Este documento describe las leyes de Ohm térmica para dispositivos electrónicos sin y con disipador de calor, incluyendo las fórmulas, parámetros y criterios para determinar su uso. También explica consideraciones para la selección del valor de la resistencia térmica entre el encapsulado y el disipador.

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Leyes Térmicas en Electrónica de Potencia

Este documento describe las leyes de Ohm térmica para dispositivos electrónicos sin y con disipador de calor, incluyendo las fórmulas, parámetros y criterios para determinar su uso. También explica consideraciones para la selección del valor de la resistencia térmica entre el encapsulado y el disipador.

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Parcial electrónica de potencia

❖ Ley de Ohm Térmica sin Disipación de Calor

➢ (Tj−Ta) =PD∗Rθja Ley térmica sin disipador de calor


Tj: Temperatura de Unión del Dispositivo Electrónico sin Disipador de Calor en su Punto de
Operación.

Ta: Temperatura ambiente del medio donde se encuentra funcionando el dispositivo electrónico.
Este parámetro se establece tomando como criterio la temperatura máxima histórica registrada del
sitio + 5ºC de holgura.

PD: Potencia de Disipación del Dispositivo Electrónico en su punto de operación. Este parámetro
puede calcularse de acuerdo con el tipo de componente electrónico así:

FET (JFET ó MOSFET) ⇢ PD = VDS * ID


R⍬ja: Resistencia Térmica Unión - Ambiente del Dispositivo Electrónico. Parámetro térmico de un
componente electrónico el cual está registrado en la hoja de datos (Datasheet) del mismo.

Criterio para Establecer el NO USO del Disipador de Calor Real

Sea K = Tj / Tjmax, una constante de proporcionalidad, se define el siguiente criterio para decidir
que un componente electrónico NO REQUIERE Disipador de Calor Real:

𝑻𝒋
< 𝟎. 𝟓
𝑻𝒋𝒎𝒂𝒙

𝑻𝒂 + 𝑷𝑫 + 𝑹𝜽𝒋𝒂
< 𝟎. 𝟓
𝑻𝒋𝒎𝒂𝒙

❖ Ley de Ohm Térmica con Disipador de Calor Real

➢ (Tjd−Ta) =PD∗{R𝛉jc+[R𝛉ca||(R𝛉cd+R𝛉da)]} Ley térmica con disipador de


calor
Tjd: Temperatura de Unión del Dispositivo con Disipador de Calor Real en su Punto de
Operación.

Ta: Temperatura ambiente del medio donde se encuentra funcionando el dispositivo


electrónico. Este parámetro se establece tomando como criterio la temperatura máxima
histórica registrada del sitio + 5ºC de holgura.

PD: Potencia de Disipación del Dispositivo Electrónico en su punto de operación. Este


parámetro puede calcularse de acuerdo con el tipo de componente electrónico así:
➢ MOSFET ⇢ PD = VDS * ID → (Válida para Saturación y Zona Óhmica)
➢ PD = ID2 * RDS (on) → (Válida sólo en Zona Óhmica)

R⍬jc: Resistencia Térmica Unión - Encapsulado del Dispositivo Electrónico. Parámetro térmico de
un componente electrónico el cual está registrado en la hoja de datos (Datasheet) del mismo.

• R⍬ca >>> (R⍬cd + R⍬da)

(Tjd−Ta) = PD*{Rϴjc+[(Rθcd+Rθda)]}

Sin embargo, esta expresión simplificada SOLO SE UTILIZA cuando se cumple AL


MENOS UNA de las siguientes condiciones:

• El disipador de calor es de área grande, con respecto a la superficie trasera del


encapsulado. (Ad >> 20 Ac)

• La R⍬da << 0,05 R⍬ca

Si lo anterior no se cumple, la expresión que describe el comportamiento termodinámico


del dispositivo electrónico con disipador de calor real de ÁREA PEQUEÑA es:

(Tjd−Ta) = PD*{Rθjc+[Rθca||(Rθcd+Rθda)]}
Consideraciones para Seleccionar el Valor de la Resistencia Térmica Encapsulado
Disipador (R𝜃cd)

El área de contacto entre el encapsulado y el disipador de calor real debe proveer un


camino de menor resistencia térmica, al calor emanado desde el material semiconductor del
dispositivo electrónico, respecto a la R⍬ca. Las consideraciones y advertencias sobre el
tratamiento de esta zona son:

• La superficie de contacto del disipador de calor real debe abarcar toda el área
trasera del encapsulado del dispositivo electrónico, cuyas superficies deben estar
perfectamente pulidas y unidas para prevenir la presencia de pequeñas "bolsas
de aire" que aumentan la resistencia térmica. En este caso, se dice que el
disipador es "mecánicamente compatible con el encapsulado".

• Típicamente en los BJT y MOSFETs de potencia, uno de sus terminales


(colector y drenador respectivamente) están conectados internamente con parte
de la superficie posterior del encapsulado del componente electrónico, por lo
cual un acople directo con un disipador de calor real metálico permite la
conducción de una elevada corriente que puede ser de alto riesgo para el usuario
si lo toca accidentalmente con los dedos. Aquí se recomienda utilizar un aislante
eléctrico entre ambas superficies, con una menor resistencia térmica en
comparación con la del acople directo.

• La magnitud de la resistencia térmica Encapsulado - Disipador (R⍬cd) es


inversamente proporcional al área del encapsulado, por lo que al utilizar
dispositivos de área grande su R⍬cd será menor y viceversa.

Criterio de Selección del Uso del Disipador de Calor Real y sus Límites

Sea KD = Tjd / Tjmax, una constante de proporcionalidad, se establece los siguientes


criterios para el uso del disipador de calor y su límite:

𝑇𝑗𝑑
𝐾𝐷 =
𝑇𝑗𝑚𝑎𝑥

0,5 < KD < 0,6 ⇢ Disipador de Área Pequeña (5 Ac ≦ Ad ≦ 20 Ac)

𝑻𝒂 + 𝑷𝑫 ∗ {𝑹𝜽𝒋𝒄 + [𝑹𝜽𝒄𝒂 ||(𝑹𝜽𝒄𝒅 + 𝑹𝜽𝒅𝒂 )]}


𝑲𝑫 =
𝑻𝒋𝒎𝒂𝒙

0,6 ≦ KD < 0,7 ⇢ Disipador de Área Grande (Ad > 20 Ac)

𝑻𝒂 +𝑷𝑫 ∗{𝑹𝜽𝒋𝒄 +[(𝑹𝜽𝒄𝒅 +𝑹𝜽𝒅𝒂 )]}


𝑲𝑫 = 𝑻𝒋𝒎𝒂𝒙

❖ Parámetros Térmicos de Componentes Electrónicos


Las hojas de datos de todos los componentes electrónicos contienen la información que cada
fabricante de éstos proporciona a sus clientes y usuarios, respecto a los parámetros eléctricos,
límites de operación, apariencia exterior (tipo de encapsulado), definición y configuración de pines,
curvas características, dimensiones y en algunos casos, explican sus modos de operación.

En referencia a los parámetros térmicos, los fabricantes de dispositivos electrónicos típicamente


incluyen en sus hojas de datos los siguientes parámetros:

• Tjmax (es obligatorio)

• PDmax (se debe distinguir: sin disipador de calor (⍺Ta =25ºC) ó con disipador ideal
(⍺Tc =25ºC))

• R⍬ja (algunas veces)

• R⍬jc (algunas veces)

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