Colegio Don Orione de Quintero
Asignatura: Módulo 5
Nombre: CLAUDIO BENAVIDES
Curso: 4TO TP
Fecha: 13-05-2024
Profesor: Jaime Tobar
“TRANSISTOR FET”
INTRODUCCIÓN:
Hablare sobre que es el transistor fet como se compone este cuales son sus
características, cuales son sus aplicaciones tanto en la industria como en el
mercado.
¿QUE ES EL TRANSISTOR FET ?
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres
terminales: FUENTE (Source), DRENAJE (Drain) y PUERTA (Gate) que trabajan controlando la
corriente entre drenaje y fuente a través del campo eléctrico establecido mediante la tensión
aplicada al terminal de puerta. El terminal de puerta, que funciona como terminal de control, no
maneja virtualmente corriente, salvo alguna corriente de fuga. El dispositivo presenta, en
consecuencia, una elevada impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden de 10 MΩ)
que resulta esencial en variadas aplicaciones como puede ser: llaves analógicas, amplificadores
de muy alta impedancia de entrada, etc. Son muy utilizados, también, como resistencias
controladas por tensión y fuentes de corriente Teniendo en cuenta que pueden llegar a manejar
más de 10 A de corriente se utilizan en diversas aplicaciones en reemplazo del transistor bipolar,
dando un alto rendimiento en circuitos relativamente simples.
CARACTERÍSTICAS:
● Tiene una impedancia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
● No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
● Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
● Es menos ruidoso.
● Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
● Es muy sensible
● Los FET tienen tres terminales: la fuente (source), el drenaje (drain) y la compuerta (gate).
Dependiendo de la estructura y polarización de la compuerta, los FET pueden ser de canal N o de
canal P.
FUNCIONAMIENTO:
El funcionamiento básico de un FET se basa en la variación del ancho del canal de conductividad a
medida que se modifica el voltaje en la puerta. Al aplicar un voltaje adecuado en la puerta, es
posible incrementar o disminuir el ancho del canal, controlando así la corriente que pasa a través
de él. Esta propiedad permite al FET actuar como un interruptor o como un amplificador.
Cuando se aplica una tensión entre la compuerta y la fuente, se crea un campo eléctrico en el
canal semiconductor que controla el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente. En un FET de
canal N, una tensión negativa en la compuerta atrae portadores de carga negativos (electrones) al
canal, permitiendo que fluya corriente desde el drenaje hacia la fuente. En un FET de canal P, una
tensión positiva en la compuerta atrae portadores de carga positivos (huecos), permitiendo el
flujo de corriente desde la fuente hacia el drenaje.
Por ejemplo, en un JFET de canal-n, al aplicar un voltaje negativo en la puerta se reduce el ancho
del canal, disminuyendo la corriente entre el source y el drain. En cambio, en un MOSFET de
canal-n en modo de mejora, la aplicación de un voltaje positivo en la puerta permite que fluya
más corriente.
El FET, debido a su alta impedancia de entrada y eficiencia, es altamente deseable en diversas
aplicaciones electrónicas.
APLICACIONES:
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador Uso general, equipo de medida,
Impedancia de entrada
(buffer) receptores
alta y de salida baja
Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para
comunicaciones
Mezclador Baja distorsión de Receptores de FM y TV, equipos
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia señales
Amplificador Baja capacidad de
Instrumentos de medición,
cascodo entrada
equipos de prueba
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de cc, sistemas de
control de dirección
Resistor variable por Se controla por voltaje Amplificadores operacionales,
voltaje órganos electrónicos, controlas de
tono
Amplificador de bajo Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Oscilador Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón,
frecuencia receptores
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
Integración en gran escala,
tamaño
computadores, memorias
VENTAJAS DEL FET:
❖ Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012 ohmios).
❖ Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
❖ Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
❖ Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT, pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
❖ Los FET se comportan como resistencias controladas por tensión, valores pequeños de
tensión drenaje-fuente.
❖ La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
❖ Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
❖ DESVENTAJAS DEL FET:
❖ Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de
entrada.
❖ Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los
BJT.
❖ Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado se estudiarán
brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus
aplicaciones analógicas.
SIMBOLOGIA DEL TRANSISTOR FET
CIRCUITOS BÁSICOS:
● Amplificador de Ganancia Variable: Un FET se puede
utilizar como un amplificador de ganancia variable
ajustando la tensión en la compuerta para controlar la
corriente entre el drenaje y la fuente.
● Conmutador Electrónico: Al aplicar una tensión adecuada a la
compuerta, un FET puede actuar como un conmutador
electrónico controlado por señal, permitiendo o bloqueando el
flujo de corriente entre el drenaje y la fuente
Transistores en la industria de semiconductores:
El transistor de efecto de campo (FET) es un componente crucial en la industria de
semiconductores y se utiliza en una variedad de aplicaciones, incluidos circuitos digitales, circuitos
analógicos y electrónica de potencia. Los FET se prefieren sobre otros tipos de transistores debido
a su alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida y altas velocidades de conmutación.
En los últimos años, la industria de los semiconductores ha visto un aumento significativo en la
demanda de FET debido al crecimiento de Internet de las cosas (IoT) y la necesidad de dispositivos
más eficientes en energía.
Conclusión:
El transistor de efecto de campo (FET) es una herramienta esencial en la caja de herramientas de
la electrónica moderna. Desde su capacidad para operar eficientemente hasta su versatilidad en
una multitud de aplicaciones, el FET ha revolucionado muchos aspectos del diseño y
funcionamiento de circuitos electrónicos. A pesar de sus desafíos, como la susceptibilidad a ESD y
la potencial distorsión armónica, los avances en la fabricación y diseño continúan superando
estas limitaciones, haciendo del FET una elección popular en la electrónica del siglo XXI.
