Manual de Prácticas
Dispositivos Electrónicos
Práctica 10
Transistor de efecto de campo MOS
(MOSFET)
Configuraciones básicas de
amplificadores
Nombre completo del alumno Firma
Ramírez Medina Daniel RMD
N° de brigada: 13 Fecha de elaboración: Mayo 18, 2023 Grupo: 6
Objetivos de aprendizaje
Analizar, diseñar e implementar configuraciones básicas de circuitos amplificadores con
transistores MOSFET considerando modelos de señal pequeña y señal grande.
Material y equipo
Transistores MOSFET, Resistencias, Potenciómetro, Capacitores, Multímetro, Fuente de poder,
Generador de funciones, Osciloscopio, Cables (banana-caimán, caimán-caimán, BNC-
caimán), Tableta de prototipos (Protoboard).
Trabajo Previo
Para la realización de esta práctica el alumno debe conocer cuáles son los niveles de voltaje
permitidos en las tecnologías TTL y cuales en la tecnología CMOS.
Analizar, diseñar y simular el circuito básico para un inversor lógico NMOS, utilizando
transistores de canal N como carga de enriquecimiento en lugar de resistencias pasivas y un
voltaje VDD = 5V.
Vi = VGS1 VGS1 = 0V
Vo = VDD − VDS2 = VDS1
5 = 5 − VDS2 VDS2 = 5 − 5 VDS2 = 0V
VDS1 = 5 − 0 VDS1 = 5V
VDS1 = 5 − 0
Link: Inversor lógico NMOS
Analizar, diseñar y simular el circuito básico para una compuerta lógica NOR de tres entradas
con tecnología NMOS, utilizando transistores canal N como carga de enriquecimiento en lugar
de resistencias pasivas y un voltaje de la fuente de CD de 5 volts. Llenar su tabla de verdad.
A B C F
0 0 0 5V
0 0 1 471.57mV
0 1 0 348.94mV
0 1 1 111.35mV
1 0 0 280.65mV
1 0 1 98.048mV
1 1 0 95.276mV
1 1 1 49.017mV
Link: NOR NMOS
Analizar, diseñar y simular el circuito básico para una compuerta lógica NAND de tres entradas
con tecnología NMOS, utilizando transistores canal N como carga de enriquecimiento en lugar
de resistencias pasivas y un voltaje de la fuente de CD de 5 volts. Llenar su tabla de verdad.
A B C F
0 0 0 5V
0 0 1 5V
0 1 0 5V
0 1 1 5V
1 0 0 5V
1 0 1 5V
1 1 0 5V
1 1 1 4.598V
Link: NAND NMOS
Desarrollo
Medir y caracterizar cada uno de los circuitos implementados en el trabajo previo.
Resultados
Inversor
Entrada Teórico Simulado Medido
0V 1V 5V 0.96V
1V 0V 0V 0.13V
NOR
A B C F (Simulado) F (Medido)
0 0 0 5V 1V
0 0 1 471.57mV 0V
0 1 0 348.94mV 0V
0 1 1 111.35mV 0.23V
1 0 0 280.65mV 0.23V
1 0 1 98.048mV 0V
1 1 0 95.276mV 0V
1 1 1 49.017mV 0.22V
NAND
A B C F (Simulado) F (Medido)
0 0 0 5V 0.73V
0 0 1 471.57mV 0.72V
0 1 0 348.94mV 0.29V
0 1 1 111.35mV 0.29V
1 0 0 280.65mV 0.29V
1 0 1 98.048mV 0.29V
1 1 0 95.276mV 0.7V
1 1 1 49.017mV 0V
Conclusiones
Se analizó, diseñó e implementó configuraciones básicas de circuitos amplificadores con
transistores MOSFET, además de realizaron las tablas de verdad para saber cuando era el
valor del voltaje en los distintos estados.
Referencias
Apuntes de clase
NOR: [Link]
cmos/[Link]
NAND: [Link]
40-cmos/[Link]
Simulador: [Link]
