Semi - conductores.
Generalidades.
El Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de
diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que se le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
El elemento semiconductor más usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque también presentan
idéntico comportamiento las combinaciones con otros elementos como el galio, selenio, cadmio, etc.
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en
un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar o
mejorar sus propiedades eléctricas.
Semiconductores. Dopaje:
Valencia.
Cuando un átomo se combina con otro lo hace utilizando los electrones de su ultima órbita, llamados
electrones de Valencia.
Regla del Octeto.
Cuando un átomo logra tener 8 electrones en su última orbita ya no es posible que se combine con ningún
otro elemento.
En el caso del silicio (Si) o Germanio (Ge) tienen 4 electrones de Valencia. Si se combinan con otro
elemento del mismo tipo logran completar los 8 electrones. En esas condiciones ya no daría la posibilidad
de circular corriente y se lo denomina aislante.
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de impurificación,
llamado dopaje, consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin de aumentar su
conductividad (Semiconductor Extrínseco). Se denominan tipo N o tipo P.
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Semiconductor tipo P.
se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como
dopantes.
Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces, en la red cristalina éstos
átomos presentarán un defecto de electrones.
De esa manera se originan huecos que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina.
Así, al material tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).
Semiconductor tipo N.
Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones de valencia) como el Fósforo (P),
el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb).
En este caso el donante aporta electrones en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán
fácilmente por la red cristalina aumentando su conductividad.
De ese modo, el material tipo N se denomina también donador de electrones.
Diodos.
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente
eléctrica a través de él en un solo sentido, bloqueando el paso si la corriente circula en sentido contrario.
Esta compuesto por un cristal semiconductor como el silicio con impurezas en él, para crear regiones que
sean portadores de cargas.
Una región puede ser negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y otra región en el lado
opuesto que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada semiconductor tipo p.
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Los terminales del diodo se unen a cada región. El límite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado
”unión o juntura” PN.
El cristal conduce la corriente de electrones del lado N (llamado cátodo) al lado P, pero no en la dirección
opuesta; es decir, no conduce cuando una corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al
flujo de los electrones).
✓ Diodo. Polarización en Directa.
Para que un diodo esté polarizado en directa, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del
diodo y el polo negativo al cátodo. En este caso es plenamente conductor de la electricidad.
Observar que:
• El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones
se dirigen hacia la unión p-n.
• El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.
• Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que la diferencia de
potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energía
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suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la
unión p-n.
• Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial,
cae en uno de los múltiples huecos de la zona p. Una vez ocurrido esto, el electrón es atraído por el
polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo hasta llegar al final del cristal p, desde
el cual se introduce en el conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de la zona p,
aparece a través del diodo una corriente eléctrica constante hasta el final.
✓ Diodo. Polarización en Inversa.
En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que
hace aumentar la zona de carga en el diodo, y la tensión en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la
tensión de la batería. En ese instante el diodo deja de conducir.
El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se
introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los
electrones libres abandonan la zona n, los átomos adquieren estabilidad y una carga eléctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos de la zona p. Cuando estos caen dentro de
los huecos adquieren una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial del diodo adquiere el
mismo potencial eléctrico que el de la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de
la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre
indica, conduce una pequeña corriente por la superficie del diodo.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, estas corrientes son usualmente
despreciables.
Aplicaciones. Puente Rectificador.
El puente rectificador es un circuito electrónico usado en la conversión de corriente alterna en corriente
continua. Se compone de 4 diodos, dado que estos al aplicar una tensión eléctrica positiva del ánodo
respecto a negativa en el cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo rectificador
básico, al conectarlos según el siguiente esquema:
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Aplicaciones. Capsula Rectificadora.
El puente rectificador puede tener distintos formatos e inclusive fabricarse en una sola pieza o cápsula.
Con este esquema se consigue de la corriente alterna la onda positiva y la negativa separadas y
convirtiéndola (rectificándola) en corriente continua.
Sin embargo se produce un efecto llamado rizado que es una ondulación traducida en variación de voltaje,
para poder usar en equipos electrónicos correctamente con corriente continua se necesita como mínimo
un filtro que corrija ese rizado, para ello se utiliza un capacitor electrolítico el cual produce en el momento
de bajada de voltaje una realimentación, eliminando el efecto:
Aún así la onda requiere mas filtraje para que sea totalmente continua, para ello se suele utilizar
un regulador de tensión o voltaje consiguiendo una onda aceptable para su uso.
Diodo Tipo LED (Diodo emisor de Luz).
Es una fuente de luz constituida por un material semiconductor dotado de dos terminales. Se trata de un
diodo de unión p-n, que emite luz cuando está activado.
Si se aplica una tensión adecuada a los terminales, los electrones se re combinan con los huecos en la
región de la unión p-n del dispositivo, liberando energía en forma de fotones (luz).
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Diodo Tipo Zener.
Es un diodo de silicio fuertemente dopado que se ha construido para que funcione en las zonas de
rupturas.
El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de que
se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Regulador de Tensión Zener.
Consiste en una resistencia serie de entrada y el diodo Zener en paralelo con la carga.
Cuando la tensión de entrada aumenta se produce un aumento de la corriente de entrada, como la tensión
del diodo Zener es constante, absorbe el exceso de corriente, mientras la resistencia de entrada absorbe
esta variación de tensión.
Si se produce una disminución de la tensión de entrada la caída de tensión en la resistencia de entrada
disminuirá, compensando la disminución inicial, por el Zener circulará menor corriente.
Diodo Tipo Shotky.
El diodo Shottky o diodo de barrera es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy
rápidas entre los estados de conducción directa e inversa.
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A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto,
poniendo en peligro el dispositivo.
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy alta frecuencia y eliminar excesos de
corriente en circuitos de alta intensidad.
Aplicaciones. Regulador de Tensión Integrado.
Son componentes muy parecidos a los transistores de potencia, suelen tener tres terminales, uno de
entrada, un común o masa, y uno de salida,
Tienen una capacidad de reducción del rizado muy alta y normalmente sólo hay que conectarles un par de
capacitores.
Existen circuitos reguladores con un gran abanico de tensiones y corrientes de funcionamiento.
La serie más conocida de reguladores integrados es la 78xx y la serie 79xx para tensiones negativas.
Transistores.
Generalidades.
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en
respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»).
Actualmente se encuentra prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso, aunque casi siempre
dentro de los llamados circuitos integrados.
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El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en
cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares:
• El Emisor, que emite portadores.
• El Colector, que los recibe o recolecta.
• La Base, que modula el paso de dichos portadores.
El transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene una corriente amplificada.
Constante BETA del transistor.
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se inyecta
en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una
fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, según el tipo de
circuito que se utilice.
El factor de amplificación o ganancia logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina
Beta del transistor (hFE: hibrid forward emisor, Ganancia estática de corriente de emisor común).
Transistores tipo NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos
capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la base en configuración emisor-común
es amplificada en la salida del colector.
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La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón
es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y
velocidades de operación.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la dirección en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Transistores tipo PNP.
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de
material dopado P.
Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa.
Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente
convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
