INSTITUTO UNIVERSITARIO TECNOLOGICO PARA LA INFORMATICA

DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA

OBJETIVO Nº 1
ELEMENTOS
SEMICONDUCTORES
1.1.- ESTUDIO DEL ÁTOMO
1.2.- CONCEPTO ELECTRÓN-HUECO
1.3.- IMPUREZAS
1.4.- MATERIALES EXTÍNSECOS TIPO “P” Y “N”
1.5.- SENTIDO DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA

1 Prof. OMAR RODRIGUES

1.1.- ESTUDIO DEL ÁTOMO
EL ÁTOMO
El átomo es la unidad constituyente más pequeña de la materia, es decir, es la
partícula más pequeña en que puede ser dividido un elemento sin perder sus
propiedades.
ESTRUCTURA DEL ÁTOMO
La estructura del átomo está formada por un núcleo y una corteza. El núcleo está
constituido por partículas llamadas protones y neutrones, y la corteza está
formada por partículas llamadas electrones. Los electrones, protones y neutrones
se conocen como partículas subatómicas y presentan las siguientes
características:
 El electrón posee una carga eléctrica negativa muy pequeña (-1,6x10⁻¹⁹ C) y
una masa muy pequeña (9,11x10⁻³¹ Kg).
 El protón posee una carga eléctrica igual a la del electrón pero de signo
opuesto (1,6x10⁻¹⁹ C) y una masa de aproximadamente 1836 veces mayor que
la del electrón (1,673 x 10⁻²⁷ Kg).
 El neutrón no tiene carga eléctrica y su masa es aproximadamente igual a la
del protón (1,674 x 10⁻²⁷ Kg).
2 Prof. OMAR RODRIGUES
Las partículas subatómicas están distribuidas en la estructura del átomo e
interactúan entre sí de la siguiente forma:
 Los electrones, que forman la corteza, giran en órbitas independientes
alrededor del núcleo.
 Los protones y neutrones, que forman el núcleo, están unidos entre sí por
unas fuerzas llamadas fuerzas nucleares.
 El número de protones del núcleo es igual al número de electrones de la
corteza.
 Los protones en el núcleo se repelen entre sí ya que todos tienen carga
positiva, pero las fuerzas nucleares vencen las fuerzas de repulsión entre
protones y los mantienen unidos.
 Los protones del núcleo (que tienen carga positiva) atraen eléctricamente a los
electrones de la corteza (que poseen carga negativa), ejerciendo una fuerza
centrípeta que contrarresta la fuerza centrífuga de los electrones al girar
alrededor del núcleo, y los mantiene en sus órbitas.
 Los electrones orbitan alrededor del núcleo en capas, dando lugar a dos tipos
de electrones: electrones ligados al núcleo (orbitan en capas cercanas al
núcleo) y electrones de valencia (orbitan en capas más lejos del núcleo).
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Hoy en día se conoce que el átomo no solamente está compuesto de electrones,
protones y neutrones. Estos a su vez están formados por partículas elementales
conocidas como bosones y fermiones.
El modelo mecánico cuántico del átomo de Erwin Schrödinger es el modelo
aceptado en la actualidad. En este caso, el electrón se comporta como una onda
estacionaria y ya no se habla de órbitas sino de nubes electrónicas u orbitales.
Las nubes electrónicas son espacios alrededor del núcleo donde probablemente
se pueda encontrar el electrón.

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1.2.- CONCEPTO ELECTRÓN-HUECO
Como se vio en el estudio del átomo, los electrones orbitan alrededor del núcleo
en capas, dando lugar a dos tipos de electrones: los electrones ligados al núcleo y
los electrones de valencia:
• Electrones ligados al núcleo: Son los electrones que orbitan en capas
interiores del átomo, más cerca del núcleo, en niveles inferiores de energía, y
muy difícilmente pueden escapar del átomo.
• Electrones de valencia: Son los electrones que orbitan en capas exteriores del
átomo, más lejos del núcleo, en niveles superiores de energía, y pueden
escapar del átomo en determinadas condiciones, y de igual manera, en estos
niveles de energía, el átomo puede aceptar electrones externos de otros
átomos.
La capa en la cual los electrones de valencia pueden abandonar el átomo se
denomina banda de valencia, y una vez que el electrón abandona el átomo, este
puede desplazarse libremente por la red cristalina del material, en ese momento
se dice que ha pasado a la banda de conducción. Cuando un electrón salta de la
banda de valencia a la banda de conducción, deja en su lugar un hueco que
puede ocupar otro electrón que esté circulando por la estructura o red cristalina,
cuando esto ocurre decimos que se forma un par electrón-hueco.
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1.3.- IMPUREZAS
Los electrones de valencia determinan las propiedades químicas de los
materiales, y por tanto también determinan sus propiedades eléctricas, dando
lugar a los materiales aislantes, conductores y semiconductores:
• Materiales aislantes: Son los materiales cuyos electrones de valencia están
fuertemente ligados a sus respectivos núcleos atómicos, y por tanto no son
capaces de abandonar el átomo, por lo que no son compartidos con otros
átomos al no poder abandonar sus capas o niveles de energía.
• Materiales conductores: Son los materiales cuyos electrones de valencia
están débilmente ligados a sus respectivos núcleos atómicos, y por tanto son
capaces de abandonar el átomo y desplazarse por todo la estructura cristalina
del material, de un átomo a otro, por lo que pueden ser compartidos con otros
átomos de dicha estructura.
• Materiales semiconductores: Son los materiales cuyos electrones de valencia
están atados a sus respectivos núcleos atómicos pero no lo suficiente, por lo
que al añadir energía, elevando la temperatura del cristal semiconductor, son
capaces de abandonar el átomo y desplazarse por todo la estructura cristalina
del material, de un átomo a otro, pudiendo ser compartidos con otros átomos de
dicha estructura.
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En el campo de la electrónica los materiales mas importantes son los
semiconductores, dado que los circuitos integrados se fabrican con estos
materiales. Las propiedades semiconductoras de estos materiales pueden ser
mejoradas añadiendo átomos de otros materiales a su estructura cristalina,
conocidos como impurezas.
Llamamos impureza a un átomo de naturaleza diferente a la clase de átomos que
forman un material. En muchos casos, las impurezas producen efectos que son
necesarios y deseables en un material, cambiando sus propiedades, volviéndose
más o menos sensibles a la temperatura, a la luz, a la presión, al paso de la
corriente eléctrica, etc. En la industria de los semiconductores existen dos tipos de
impurezas, las donadoras y las aceptadoras o aceptoras.
• Impurezas donadoras: Son las que permiten que sus átomos puedan liberar
electrones en la estructura cristalina del material al cual son introducidas. Son
átomos con número de valencia mayor al de los átomos del material donde son
añadidos, y por tanto tienen la propiedad de ceder electrones a dicho material.
• Impurezas aceptoras: Son las que permiten que sus átomos puedan aceptar
electrones de la red cristalina del material al cual son introducidas. Son átomos
con número de valencia menor al de los átomos del material donde son
añadidos, por lo que tienen la propiedad de captar electrones de dicho material.

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1.4.- MATERIALES EXTRÍNSECOS TIPO “P” Y “N”
Antes de hablar de los materiales extrínsecos tipo “P” y “N” debemos saber que
son los materiales intrínsecos y extrínsecos:
• Materiales intrínsecos: Son materiales semiconductores en estado puro, es
decir, que no han sido contaminados con impurezas.
• Materiales extrínsecos: Son materiales semiconductores que han sido
contaminados con impurezas en mínimas proporciones (una partícula en un
millón).
Al proceso de contaminación de un material intrínseco con impurezas se le
denomina dopado o dopaje. Según el tipo de dopaje, es decir, según el tipo de
impurezas (donadoras o aceptadoras) que se añadan a un material intrínseco, se
pueden obtener dos tipos de semiconductores extrínsecos, los tipo “P” y “N”.
Los materiales semiconductores más conocidos son silicio (Si) y germanio (Ge),
los cuales en estado puro son semiconductores intrínsecos. Ambos tienen número
de valencia igual a 4 (tetravalentes), lo que quiere decir que tienen cuatro
electrones de valencia, es decir, tienen cuatro electrones en la banda de valencia
que pueden, por tanto, abandonar el átomo y dejar en su lugar un hueco, el cual
puede ser ocupado a su vez por un electrón de un átomo vecino.

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Tomando en cuenta lo anteriormente dicho, podemos definir los dos tipos de
semiconductores extrínsecos:
• Semiconductores extrínsecos tipo “N”: Son los que han sido dopados con
átomos de valencia 5 (pentavalentes), como son fósforo (P), arsénico (As) o
antimonio (Sb). Se establecen entonces cuatro enlaces covalentes (cuando
dos átomos se enlazan para formar una molécula, compartiendo electrones de
su capa de valencia), es decir, cuatro electrones de valencia del átomo de
impureza pasan a formar parte de la estructura del material semiconductor,
quedando el quinto electrón débilmente ligado al átomo, pero sin dejar un hueco
que pueda ser ocupado por otro electrón.
A temperatura ambiente, o incluso
menores, este electrón se libera y
puede moverse por la red cristalina.
Esto permite que existan muchos más
electrones que huecos, por lo que en un
semiconductor extrínseco tipo “N” los
electrones, que poseen carga negativa,
son los portadores mayoritarios de
carga. En la figura siguiente se puede
observar este proceso:

9 Prof. OMAR RODRIGUES

• Semiconductores extrínsecos tipo “P”: Son los semiconductores que han
sido dopados con átomos de valencia 3 (trivalentes), como son boro (B), galio
(Ga) o Indio (In). Se establecen entonces tres enlaces covalentes, es decir, los
tres electrones de valencia del átomo de impureza pasan a formar parte de la
estructura del material semiconductor, pero no pueden completarla, dejando un
hueco en dicha estructura que no puede ser ocupado por un electrón del átomo
de impureza. A temperatura ambiente, o incluso menores, un electrón de la
banda de valencia de un átomo vecino ocupará dicha vacante, completando la
estructura de enlaces y creando al mismo tiempo un hueco en su lugar del
átomo original. Podemos decir entonces
que el hueco se desplazó hacia el otro
átomo, moviéndose libremente por la
red cristalina. Esto permite que existan
muchos más huecos que electrones,
por lo que en un semiconductor
extrínseco tipo “P” los huecos, que
poseen carga positiva, son los
portadores mayoritarios de carga. En la
figura siguiente se puede observar este
proceso:

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Los materiales semiconductores extrínsecos tipo P y tipo N pueden representarse
gráficamente de la siguiente forma, donde puede verse una distribución hipotética
de los portadores de carga mayoritarios y minoritarios, así como los iones positivos
y negativos en cada uno de estos semiconductores:

_ _ _ - +_ - +
_+ -
+ - + _ - - _+ - Electrón

- _ _+ - - + - + -
_ -_ + - -+ _
Hueco
_
- _ - _ -+ +
+ _ ion negativo
_ - +_ +
_ + -_ -
- + + -_ - + Ion positivo

+ _ - _ - + + -
SEMICONDUCTOR TIPO P SEMICONDUCTOR TIPO N

10 Prof. OMAR RODRIGUES

1.5.- SENTIDO DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA
Se denomina corriente eléctrica al desplazamiento de cargas eléctricas (positivas
y negativas) en el interior de un conductor, siendo la intensidad de corriente
eléctrica la cantidad de carga eléctrica por unidad de tiempo que atraviesa la
sección del conductor.
Los átomos son eléctricamente neutros (tienen igual cantidad de cargas positivas
que negativas), por lo que no contribuyen con la conducción de corriente. Cuando
un átomo donador cede electrones queda cargado positivamente, convirtiéndose
en un ion positivo. De igual forma, cuando un átomo aceptador admite electrones
queda cargado negativamente, convirtiéndose en un ion negativo. Sin embargo, un
ion positivo o negativo tiene su estructura de enlaces completa, y por tanto es una
carga fija que no contribuye a la conducción de corriente eléctrica.
Los electrones de la capa de valencia de los átomos y de los iones se denominan
electrones libres ya que pueden desplazarse libremente por la red cristalina de
los materiales tanto conductores como semiconductores, dejando huecos (cargas
positivas) en su lugar. Al aplicar un campo eléctrico (E) externo a un material
conductor o semiconductor, los electrones libres se moverán en dirección contraria
al campo y los huecos en la dirección del campo eléctrico. Esto lo podemos
observar en la siguiente figura:

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 + -

I
El campo eléctrico (E) se puede generar con una batería o fuente de tensión,
generando una diferencia de potencial entre los extremos del conductor, y por
tanto un polo positivo y uno negativo. La dirección del campo eléctrico es del polo
positivo al negativo. Las cargas eléctricas se mueven alejándose del polo de su
misma naturaleza (repulsión) y hacia el polo de naturaleza opuesta (atracción).
En el siglo XVIII cuando se hicieron los primeros experimentos con electricidad
(electricidad por frotamiento), Benjamín Franklin (1706-1790) nombró las cargas
eléctricas con signo + y -. Unos 150 años antes del descubrimiento del electrón se
estableció la convención de que el sentido de la corriente eléctrica es el sentido
de las cargas positivas, es decir, del polo positivo al polo negativo. Esta ha
sido la convención aceptada desde hace más de 270 años. Aunque
posteriormente se descubrió que el sentido real de la corriente es el de los
electrones (del polo negativo al positivo), se mantiene el sentido convencional de
la corriente (del polo positivo al negativo).
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