6.

El IGBT
CAMIÓN KOMATSU 930E-4

1
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Circuitos
Integrados

Significado de IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo desarrollado a partir de la tecnología
de los transistores bipolares y los de efecto campo.

IGBT, “ficha de jockey” (hockey puck) de

Westcode mostrando celdas
2
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Su aplicación, es principalmente para el control de velocidad de

motores eléctricos, a través de los dispositivos llamados
convertidores de potencia.

IGBT, Semikron SKM 145GAL

3
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Ubicación de los IGBT’s

En los camiones se les encuentra en los Inversores (24 IGBT’s) y
Choppers (4 IGBT’s) de los 830E-AC, 930E-4.
Gabinete de potencia del camión 930E-4
4
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

El tipo de encapsulado que se encuentra en los camiones es

similar a un bloque, que en realidad corresponde a varios IGBT’s
conectados en paralelo a dos barras.

IGBT negativo con el módulo de disparo, camión 930E-4

5
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Dos terminales Gate-Emitter

(Puerta – Emisor) se conectan
al módulo de disparo que se
observa en la foto.

IGBT negativo, placa conectora, camión 930E-4

6
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

IGBT positivo
con el módulo de
disparo y placa
conectora,
camión 930E-4.

Diferencia entre los IGBT’S del camión

La diferencia entre los inversores y choppers es por la posición en
el circuito, por lo que se requiere una placa conectora distinta
hacia las barras. Los transistores IGBT’s y los drivers son iguales.

7
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Componentes del gabinete de potencia, camión 930E-4

8
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Encapsulado
de un IGBT
simple y uno
de sus
símbolos

Terminales del IGBT

Los terminales son designados tomando una combinación de las
designaciones de los transistores bipolares y los de efecto campo.
El encapsulado de los IGBT’s puede ser también del tipo “Press
Pack”, similar a los GTO’s o tiristores de potencia.

9
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Diodo
Abrazadera

Funcionamiento de los IGBT’s

Los IGBT’s se emplean como interruptores controlados, es decir,
en corte o saturación; a semejanza de los transistores bipolares.

IGBT controlando carga inductiva como interruptor

10
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

•Un circuito simple de aplicación como el mostrado, permite

apreciar la semejanza con la conexión del transistor bipolar como
interruptor, aunque el IGBT presenta características peculiares,
que requieren considerarse en el módulo de disparo
•Se aprecian condensadores que representan capacidades como
la del circuito GE, inevitable por la estructura del dispositivo y la
capacitancia GC llamada también capacitancia Miller de menor
efecto.

IGBT Semikron
11
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Función del diodo en paralelo con el IGBT

•Este diodo es denominado de regeneración, y
es indispensable cuando los IGBT’s operan con
carga inductiva. Permiten la circulación de
corriente en sentido inverso al que
normalmente permiten los IGBT’s.
•Este diodo suele venir integrado dentro del
encapsulado del IGBT, como es el caso de los
empleados en el camión 830E AC y 930E-4.

•Cuando se produce el estado regenerativo de los motores de tracción

AC, el voltaje inverso que percibe el IGBT es el del diodo de potencia en
conducción evitando su deterioro.
• El transistor puede soportar este voltaje inverso entre sus terminales
CE.

IGBT con diodo de regeneración

12
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Constitución del IGBT

Los IGBT’s están construidos con gran cantidad de chips conectados
en paralelo. En la siguiente figura se aprecian los diversos IGBT’s y
el diodo de potencia incorporado de un IGBT comercial.
Toda la estructura debe conectarse a un disipador, para evitar el
deterioro del dispositivo por exceso de temperatura en las junturas.

IGBT FZ800R33KF1 de EUPEC

13
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Estructura de capas
Junturas son las uniones de los
diferentes materiales
semiconductores. En el esquema de
capas del IGBT se observa que está
constituido por materiales mas
dopados que otros (n+, p+).

Estructura de capas del IGBT

14
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Este tipo de dopado, como en los diodos de potencia, permite al

dispositivo soportar mayores voltajes CE. La estructura del IGBT
ocasiona la aparición de resistencias y un transistor denominados
parásitos, inevitables por la tecnología que se posee en este momento.
Circuitos equivalentes del IGBT
15
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

IGBT de 3300V y 1200A

Funcionamiento del circuito equivalente

La estructura representa el transistor MOSFET del circuito de gate,
que es gobernado por voltaje y el transistor PNP del circuito CE
con sus bajas pérdidas en conducción.
El transistor parásito representa una característica responsable de
la condición “latching” (característica de basculador o biestable)
del IGBT.

16
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Circuito de
disparo del
IGBT

Un circuito de disparo para IGBT

El IGBT debe cesar de conducir al dejarse de aplicar voltaje
positivo en el circuito de disparo
Sin embargo, se aplica un voltaje negativo al circuito de gate para
mejorar la inmunidad del IGBT a las variaciones rápidas de voltaje
CE (dv/dt) producidas por ruido o perturbaciones de la red, y
reducir las pérdidas durante el apagado.
Para un funcionamiento eficiente debe alimentarse el circuito de
gate con +15V, para asegurar una saturación completa y una
limitada corriente de cortocircuito.

17
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

Los cables
señalados con
las flechas
corresponden a
la fibra óptica, la
alimentación y
a la conexión
con el IGBT.

Circuito de disparo del IGBT

El circuito de disparo de los IGBT’s tiene las siguientes
características:
Requiere menos energía, por lo que la fuente de alimentación es más
pequeña.
Circuito del módulo de disparo del IGBT, camión 930E-4
18
 6.1 Símbolo y principio de funcionamiento

La tecnología MOSFET del IGBT no requiere mayor consumo de

energía.
El módulo de disparo tiene dos entradas: la de alimentación y la
fibra óptica con las señales de control y feedback

Modulo de disparo o fase, camión 930E-4

19
 6.2 Curva característica

Descripción de las
curvas características
del IGBT
La curva es bastante
parecida a la del
transistor bipolar,
recuérdese que
cuando se opera
como interruptor el
IGBT oscila entre el
estado de corte y
saturación

Característica de salida (IC – VCE ) de un IGBT

20
 6.2 Curva característica

Notamos que el IGBT tiene un

limitado voltaje CE, y que el
modelo híbrido con diodo en
antiparalelo tiene un menor
voltaje inverso. Además se
observa también la relación lineal
entre corriente de colector y
voltaje CE.

Característica de transferencia de un IGBT

21
 6.3 Características técnicas

Características técnicas del IGBT

Si observamos las características básicas para un IGBT comercial
encontraremos que son solo dos: el voltaje CE y la corriente de
colector.
IGBT SKM 500GA 123D
22
 6.3 Características técnicas

SKM 145GAL 123D

Esquema de conexiones del IGBT BSM 100 GAL 120 DN2

23
 6.3 Características técnicas

También existen otras características importantes para la selección:

Maximun ratings
Static characteristics
AC characteristics
Switching characteristics
Free-wheel diode
Chopper diode

Características técnicas básicas de un IGBT

24
 6.4 Prueba del IGBT
Formas de evaluar un IGBT

1. Empleando un multímetro
2. El método de la linterna
3. El método del hyperterminal*
4. Implementando un circuito
5. Empleando un probador de IGBT

*El método del

hyperterminal se tratará en
el curso de software del
camión

25
Prueba con multímetro 6.4 Prueba del IGBT

Prueba de un IGBT de camión

La prueba con un multimetro digital del IGBT del camión se hace
con la escala de semiconductores
Prueba del IGBT con multimetro
26
 Prueba con multímetro 6.4 Prueba del IGBT

COLECTOR EMISOR RESULTADO

+ Positivo -Negativo OL

-Negativo +Positivo 0,3V-0,8V

•No debe superarse los 20V aplicados entre CE, lo que es imposible con
un DMM (Digital Multimeter), pero si con un Megóhmetro que no debe
emplearse nunca.
•Si colocamos los terminales del DMM como se indican deberán
obtenerse los resultados de la tabla.
Resultados de la evaluación del IGBT

27
 6.4 Prueba del IGBT
C E
E

IGBT Negativo

Prueba con multímetro

Reconocimiento de los terminales del IGBT

Los terminales están marcados sobre el mismo IGBT.
Terminales emisor a los extremos, dos de colector al medio
28
Prueba con multímetro 6.4 Prueba del IGBT

E
C
IGBT Positivo

Terminales emisor sobre la placa blanca y de colector en el

extremo derecho
29
Prueba con multímetro 6.4 Prueba del IGBT

Advertencia de
no tocar para
el módulo
IGBT

Precauciones durante la medición

•Debe evitarse hacer contacto con los dedos los terminales del IGBT,
pues cargas estáticas pueden dañar la estructura interna del
dispositivo.
•En el caso del camión, este problema desaparece estando sobre la
estructura metálica del vehículo, pero de todas maneras debe evitarse
el contacto.
•En taller, deberá emplearse alfombras y pulseras antiestáticas para
proceder a la manipulación.
30
Prueba con multímetro 6.4 Prueba del IGBT

Falla mas común en los IGBT’s

La más común es el cruce de Colector-Emisor. En caso de que esté
abierto este circuito, no será posible detectarlo con multimetro.

Deficiencia de la prueba con multimetro

31
 Prueba de la lámpara 6.4 Prueba del IGBT

Cable de
alimentación
del módulo de
disparo, camión
930E-4

Significado del Led encendido cuando se retira uno de los cables de fibra
óptica del módulo de disparo
Corresponde al feedback para indicar al procesador el buen
funcionamiento del módulo de disparo del IGBT (solo debe colocarse la
chapa en ON).
32
Prueba de la lámpara 6.4 Prueba del IGBT

Conector de alimentación
del módulo de disparo

Retiro del conector de alimentación del módulo de disparo cuando

está funcionando el camión
Si el camión está detenido y el motor encendido puede desconectarse
la alimentación de los circuitos que deseamos observar su
funcionamiento y confrontar con el software lo que estamos
provocando.

33
 Prueba de la lámpara 6.4 Prueba del IGBT

Comprobación del Feedback con luz externa o prueba de la lámpara

Con el interruptor de arranque “abierto”, interruptor cerrado en términos
eléctricos, se puede hacer una comprobación visual del funcionamiento
del módulo GD.

Iluminación externa del terminal de disparo del GD

34
 Prueba de la lámpara 6.4 Prueba del IGBT

Esta prueba descarta

en realidad el GD solo
se detectará por este
medio cuando el IGBT
esté cruzado

Al iluminar con luz el conector azul del GD, se debe observar apagarse
el led del terminal gris del mismo módulo. Lo que estamos haciendo, es
enviar una señal de disparo al GD y este nos responde con la luz que
observamos en el terminal gris del mismo módulo.

Salida luminosa del FEEDBACK

35
Prueba del hyperterminal 6.4 Prueba del IGBT

Prueba del Hyperterminal

También está documentada la prueba conocida como la del
Hyperterminal, donde se activan los GD desde el software Wptu y se
observa su comportamiento en pantalla

Verificación adicional con la prueba del hyperterminal

36
Prueba del hyperterminal 6.4 Prueba del IGBT

Pantalla y procedimiento de prueba del Hyperterminal

La prueba del Hyperterminal es independiente de cualquier acción
física sobre los GD pero pueden hacerse verificaciones adicionales
en conjunto con la de la prueba de la linterna mostrada
anteriormente.

37
Evaluación con probador 6.4 Prueba del IGBT

Probador
de IGBT

Los probadores de IGBT’s nos darán información correcta del estado

del IGBT. El mostrado de marca Hypertherm permite detectar los
estados de cortocircuito como abierto.
La prueba debe hacerse con el componente fuera del circuito,
presionando el interruptor del medio se realizaran los descartes de
cortocircuito y abierto. Diodos Led indicarán el resultado de la
evaluación.

38
 6.5 Futuro después del IGBT

Futuro después de los IGBT’s

La tecnología IGBT fue patentada en 1982 por Hans Beck y Carl Wheatley
con el nombre de “Power Mosfet with an Anode Region”.
La segunda generación de IGBT’s ha mejorado los problemas de
“latching” pasando en el año 2000 a ser el dispositivo mas usado en
aplicaciones de electrónica de potencia.
Módulos de fase del camión 930E-4
39
 6.5 Futuro después del IGBT

Aun se está desarrollando la tecnología ICGT pues estos

dispositivos son una mejora de los GTO’s y pueden soportar
mayores tensiones inversas así como manejar grandes
intensidades de corriente.
Tienen por puntos débiles, el circuito de disparo necesario y
componentes adicionales para su buen funcionamiento.
Pensamos que la tendencia será definitivamente en dirección hacia
los IGBT, que puedan manejar mayores corrientes y voltajes o el
desarrollo de nuevos materiales en busca del interruptor perfecto.

IGBT EUPEC
40
 6.5 Futuro después del IGBT

Probablemente el primer paso en el desarrollo de la tecnología

IGBT sea el incremento de capacidad de corriente, con lo que el
número de transistores se reducirá a la mitad de los que
actualmente emplean.
Gabinetes de potencia y control, camión 930E-4
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