COD.
HECL301
TRANSISTORES BIPOLARES BJT Versión: 01
Fecha: 20/08/2018
Programa de estudio Experiencia curricular Sesión
INGENIERÍA DE ELECTRÓNICA 4
SISTEMAS
I. OBJETIVO
Identificar los elementos que conforman un transistor, emisor, base y colector, usando el
probador de diodos del multímetro; calcular y medir los voltajes de operación de VDC que se
encuentran en un circuito con transistores; comprobar el funcionamiento del transistor como
interruptor y amplificador.
II. FUNDAMENTO
El Transistor es un dispositivo pequeño que aprovecha las propiedades semiconductoras y
cristalinas del germanio o del silicio y que sirve para ampliar las oscilaciones eléctricas. El
transistor sirve como amplificador y también como interruptor. Los elementos del transistor
son: BASE – COLECTOR – EMISOR, pueden ser del tipo PNP o NPN. Los Transistores son
amplificadores ideales, cuando se aplica una señal de C.A. en los terminales de entrada, en
los terminales de salida aparece una reproducción amplificada de la misma señal.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y
si éste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de
especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como están ubicadas las
terminales de emisor, colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el
dispositivo este en buen estado.
III. MATERIALES Y MÉTODOS
(01) Transistor bc548
(01) Transistor 2n3906
(01) Resistencia de 56k
(01) Resistencia de 10k
(01) Resistencia de 0.5k
(01) Diodo led
(01) Protoboard
(01) Multímetro Digital
(01) Fuente de alimentación
Cables de interconexión.
IV. PROCEDIMIENTO
4.1. Medición de transistores.
Vamos a medir los transistores que tenemos:
Punta roja Punta negra Voltaoje del multimetr
Base Emisor 0.707
Base Colector 0.709
Colector Emisor 0
Emisor Colector 0
Emisor Base 0
Colector Base 0
Punta roja Punta negra Voltaoje del multimetr
Base Emisor 0.
Base Colector 0.709
Colector Emisor 0
Emisor Colector 0
Emisor Base 761.63
Colector Base 759.08
4.2. Polarización de transistores.
Monte el siguiente circuito, con los siguientes valores:
RB=56 K
RC=0.5K
Vcc=12 V
VBB variable.
Ahora llene la siguiente tabla (No olvide que los valores de corriente se calculan, lo
mismo que el valor de hFE):
VBB VBE VCE IC = (VCC-VCE) / Rc IB = (VBB-VBE) / RB hFE=IC/IB
1 647mV 11.1V (12-11.19/500=1.8mA (1-0.647)/5600=6.33µA 1.8/0.0063=284.3
2 581mV 8.54V (12-8.54)/500=6.9 mA (1-0.681)/5600=5.69µA .6.9/0.00569=1212.6
3 695mV 5.97V (12-5.97)/500=12 mA (1-0.695)/5600=5.44µA 12/0.00569=2205.8
4 705mV 3.38V (12-3.38)/500=17.3 mA (1-0.705)/5600=5.26µA 17.3/0,00526=3287.9
5 711mV 776mV (12-0.776)/500=22.4 mA (1-0.711)/5600=5.16µA 22.4/0.00516=4341
6 713mV 142mV (12-0.142)/500=23.71 mA (1-0.713)/5600=5.12µA 23.7/0.00512=4630.7
7 713mV 121mV (12-0.121)/500=23.75 mA (1-0.713)/5600=5.12µA 23.75/0.00512=4630.6
8 713mV 109Mv (12-109)/500=23.78 mA (1-0.713)/5600=5.12µA 23.78/0.00512=4638.5
9 713mV 102Mv (12-102)/500=23.79 mA (1-0.713)/5600=5.12µA 23.79/0.00512=4646.4
10 714mV 95.5Mv (12-95)/500=22.1 mA (1-0.714)/5600=5.10µA 22.1/0.0051=4333.3
Monte el siguiente circuito, con los siguientes valores:
Ahora llene la siguiente tabla:
VBB = VCC VBE VCE IC = (VCC-Vd-VCE-) / Rc IB = (VBB-VBE) / RB hFE=IC/IB
6 0.73 0.08 7.52 0.527 14.26
V. INFORME DE LABORATORIO
1.- MARCO TEORICO
Establezca un marco teórico explicando en forma detallada el funcionamiento de
los transistores BJT, resuelva 4 ejercicios, y mencione alguno de los modelos de
transistores que existen en el mercado.
Un transistor de unión bipolar (BJT) es un componente electrónico sólido que contiene dos
uniones PN muy próximas entre sí. Su función principal es amplificar corriente y regular
voltaje, además de controlar el flujo de corriente a través de sus terminales. Este dispositivo se
compone de dos uniones PN ubicadas dentro de un cristal semiconductor, separadas por una
región extremadamente delgada.
2.- SOLUCION DEL CUESTIONARIO
Responda fundamentando su respuesta a las siguientes preguntas:
1-¿Que es un transistor?
Un transistor es un dispositivo semiconductor que se utiliza para amplificar o conmutar señales
electrónicas y potencia. Es uno de los componentes fundamentales de los circuitos
electrónicos modernos.
2- ¿De que esta compuesto un transistor?
Un transistor está compuesto principalmente por tres capas de material semiconductor,
generalmente de silicio o germanio, que forman dos uniones PN. Estas capas son la base, el
colector y el emisor.
3- ¿Cuáles son las terminales de un transistor?
Las terminales de un transistor son el emisor, el colector y la base.
4- ¿Menciona 3 tipos de transistor?
Transistor de unión bipolar (BJT).
Transistor de efecto de campo (FET)
Transistor de efecto de campo de unión (JFET).
6- ¿Menciona las zonas de trabajo de un transistor?
Las zonas de trabajo de un transistor son:
Corte: No hay flujo de corriente entre el colector y el emisor.
Activa: El transistor está conduciendo y amplificando señales.
Saturación: El transistor está completamente encendido y la corriente entre el colector
y el emisor está en su máximo nivel.
7- ¿Cuales son aplicaciones más comunes de un transistor?
Algunas aplicaciones comunes de un transistor son en amplificadores de audio, circuitos de
conmutación (como en los interruptores electrónicos), en circuitos de radiofrecuencia, en
circuitos de control de motores, entre otros.
8- ¿Que es un transistor BJT?
Un transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) es un tipo de transistor que controla el flujo de
corriente entre dos terminales a través de una tercera terminal. Está formado por tres
regiones semiconductores de tipo P o N.
9- ¿Menciona 2 tipos de transistores BJT?
Dos tipos de transistores BJT son:
NPN: La región central del transistor es de tipo P y las regiones exteriores son de tipo
N.
PNP: La región central del transistor es de tipo N y las regiones exteriores son de tipo
P.
10- ¿Que es un JFET?
Un JFET (Junction Field-Effect Transistor) es un tipo de transistor de efecto de campo que
utiliza una unión PN para controlar el flujo de corriente entre dos terminales.
11- ¿Qué diferencias existen entre un BJT y un JFET?
Las principales diferencias entre un BJT y un JFET son:
En un BJT, la corriente entre el colector y el emisor se controla mediante corriente en
la base, mientras que en un JFET, la corriente entre el drenador y la fuente se controla
mediante el voltaje en la compuerta.
Los BJTs son dispositivos de conducción de corriente, mientras que los JFETs son
dispositivos de control de corriente.
Los BJTs son dispositivos de alta ganancia, mientras que los JFETs tienen una ganancia
de corriente más baja.
4.- OBSERVACIONES
Mencione y detalle las observaciones técnicas encontradas durante
el desarrollo de la práctica.
5.- CONCLUSIONES
Conocimos el concepto a fondo de un transistor y su funcionamiento en la electrónica, lo
cual nos va a permitir el desarrollo de los ejercicios que puedan presentarse
VI. REFERENCIA BIBLIOGRAFÍA
Boylestad, R. (2003). Electrónica. Naucalpan de Juárez: Pearson Educación
VI. ANEXOS
