Practica 3.

Transistor BJT-I
TÉCNICAS DIGITALES Y ANALÓGICAS
1st Andrés Enrique Gómez Puentes 2nd Jhoan Sebastian Pinzon Rivera
Ingenierı́a Eléctrica Ingenierı́a Eléctrica
Universidad Industrial de Santander Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga, Colombia Bucaramanga, Colombia
[email protected] [email protected]

I. I NTRODUCCI ÓN N, mientras que las capas exteriores son de tipo P. La

Los transistores bipolares de juntura (BTJ, por sus siglas en región de la base es la región más estrecha del dispositivo,
inglés) son componentes electrónicos que permiten controlar mientras que las regiones del emisor y el colector son
el flujo de corriente en un circuito. Estos dispositivos se basan mucho más grandes. La base es la región que se encuentra
en la interacción entre dos regiones de material semiconductor entre el emisor y el colector.
con diferentes tipos de dopaje, que forman dos junturas PN. • Polarización del transistor: La polarización del transistor
Al aplicar una corriente en la base del transistor, se produce un se refiere al proceso de aplicar una tensión continua
flujo de electrones desde la región de emisor hacia la región o corriente a las terminales del dispositivo para que
de colector, lo que permite amplificar la señal eléctrica. funcione correctamente en un circuito. En particular, la
Los transistores BTJ se utilizan en una amplia variedad polarización del transistor NPN es un proceso por el
de aplicaciones, desde circuitos de audio hasta dispositivos cual se aplica una tensión continua o corriente a la base
de radiofrecuencia y amplificadores de potencia. En este del transistor para que pueda amplificar o conmutar una
informe de laboratorio, se estudiará el comportamiento de un señal.La polarización puede ser directa, cuando se aplica
transistor BTJ y se analizarán las caracterı́sticas que definen una tensión positiva en la base del transistor, o inversa,
su rendimiento, como la ganancia, la corriente de saturación cuando se aplica una tensión negativa en la base del
y la resistencia de entrada. Con este análisis, se pretende transistor.
comprender mejor el funcionamiento de estos dispositivos y • Corrientes interna y externas: Las corrientes internas se
su uso en distintos tipos de circuitos electrónicos. refieren a las corrientes que fluyen dentro del propio
transistor. Estas corrientes son:
II. OBJETIVOS Corriente de base (Ib): Es la corriente que fluye a través
• Conocer el principio del transistor bipolar NPN. de la base del transistor. Controla el flujo de corriente
• Identificar los parametros importartes del transistor. desde el colector hacia el emisor y es la corriente que se
• Determinar la curva caracterı́stica. utiliza para polarizar el transistor.
• Interpretar apropiadamente los datos técnicos propor- Corriente de colector (Ic): Es la corriente que fluye desde
cionados. por el fabricante. el colector hacia el emisor. Esta corriente es amplifi-
• Evaluar el comportamiento de los transistores en difer- cada por el transistor y se utiliza en muchos circuitos
entes configuraciones de circuitos. electrónicos.
• Analizar la aplicación de los transistores en la con- Corriente de emisor (Ie): Es la corriente que fluye desde
strucción de circuitos prácticos, con el objetivo de com- el emisor hacia el colector. Esta corriente es igual a la
prender la función de cada elemento en el circuito y cómo suma de las corrientes de base y de colector, es decir, Ie
interactúan entre sı́ = Ib + Ic.
Las corrientes externas se refieren a las corrientes que
III. P REPARACI ÓN fluyen hacia o desde el transistor a través de sus termi-
A. Funcionamiento de un Transistor de juntura bipolar BJT. nales externas en un circuito. Estas corrientes son:
Los transistores BJT pueden funcionar en 2 formas, como Corriente de entrada (Iin): Es la corriente que fluye hacia
interruptor electrónico y como amplificador con ganancia la base del transistor desde el circuito de entrada. Esta
variable. corriente es importante en los amplificadores, ya que
• Estructura del transistor NPN: La estructura interna del
controla la amplificación de la señal.
transistor NPN se puede representar como tres capas Corriente de salida (Iout): Es la corriente que fluye desde
semiconductores superpuestas. La capa central es de tipo el colector del transistor hacia el circuito de salida. Esta
corriente es importante en los circuitos de conmutación,
Identify applicable funding agency here. If none, delete this. ya que se utiliza para encender o apagar dispositivos.
 Para este tipo de transistores bipolares, la amplificación está en su valor máximo. El transistor está polarizado en
concierne de la corriente. La corriente del colector “Ic” directa, y la tensión de la base es mayor que la tensión
es proporcional a la corriente en la base multiplicada por de umbral Vbe. En este modo, la corriente de colector
la beta del transistor. Ic es independiente de la corriente de base Ib y está
• Curva caracterı́stica y parámetros importantes del transis- determinada por la resistencia externa del circuito.
tor: La curva caracterı́stica de un transistor es una gráfica
IV. DESARROLLO DE LA PR ÁCTICA
que muestra la relación entre la corriente y el voltaje
en las diferentes terminales del dispositivo. Esta curva A. Primera parte
es útil para comprender cómo funciona el transistor en Debido a circunstancias imprevistas con los materiales
diferentes condiciones de operación, y para seleccionar utilisados en la practica o simplemente por error humano, no
el transistor adecuado para una aplicación determinada. fue posible realizar el laboratorio de manera experimental.
Los parámetros importantes que se pueden obtener de Por lo tanto, se optó por utilizar un simulador en su lugar para
la curva caracterı́stica incluyen: Ganancia de corriente obtener los resultados requeridos. A pesar de que se utilizó
(hFE o beta),Tensión de saturación (VCEsat),Resistencia un simulador en lugar de un experimento real, se siguieron
de entrada (Rin),Resistencia de salida (Rout). los procedimientos establecidos en el protocolo de laboratorio
• Cómo identificar los terminales del transistor usando y se verificó que los resultados obtenidos fueran coherentes
un multı́metro: Configura el multı́metro en la escala de con las expectativas teóricas. Se reconoce que el uso de un
medición de diodos Coloca la punta del cable rojo del simulador no es una sustitución completa del experimento
multı́metro en el terminal base del transistor y la punta real, pero se considera que los resultados obtenidos son una
del cable negro en el terminal emisor. aproximación adecuada a los datos que se habrı́an obtenido
Lee el valor de la medición en el multı́metro. Si la experimentalmente.
medición muestra un valor cercano a 0, significa que la
polaridad del multı́metro está en la dirección correcta y • Identificar los terminales del transistor utilizando el
que la base está conectada al emisor. multı́metro o con la hoja tecnica del fabricante del
Repite el proceso conectando la punta del cable rojo transistor, hacer un dibujoque muestre la identificación de
al terminal base y la punta del cable negro al terminal los terminales, y anote en la tabla 1 el valor deresistencia
colector. Si la medición muestra un valor cercano a encontrada entre sus terminales.
0, significa que la polaridad del multı́metro está en la
dirección correcta y que la base está conectada al colector.
Repite el proceso conectando la punta del cable rojo al
terminal emisor y la punta del cable negro al terminal
colector. Si la medición muestra un valor alto, significa
que la polaridad del multı́metro está en la dirección
incorrecta y que la emisor está conectada al colector.
Después de identificar los terminales del transistor, es im-
portante comprobar la polaridad del transistor utilizando
un circuito de prueba, ya que los valores medidos con un
multı́metro pueden variar según el modelo del transistor.
• Modos de operación de un transistor BJT: Los transistores
BJT (Bipolar Junction Transistor) pueden operar en tres
modos de operación principales, que son:
Modo de corte: En este modo, el transistor no está Fig. 1.
conduciendo corriente. Para que el transistor opere en
el modo de corte, la tensión de la base debe ser menor .
que la tensión de umbral Vbe, lo que significa que el
transistor está polarizado en inversa. En este modo, la
corriente de colector Ic es cero y la corriente de base Ib
también es cero o muy pequeña.
Modo activo: En este modo, el transistor está amplifi-
cando la corriente. El transistor está polarizado en directa,
y la tensión de la base es mayor que la tensión de
umbral Vbe. En este modo, la corriente de colector Ic es
proporcional a la corriente de base Ib, y se puede utilizar Fig. 2.
el transistor como amplificador.
Modo de saturación: En este modo, el transistor está .
completamente encendido y la corriente de colector Ic
B. montaje del circuito corresponde a los valores de corriente de colector re-
• Monte el circuito de la figura 3. Ajuste Vcc a 0V. Abra specto losvalores de voltaje colector-emisor, esto para
S1 (para tener Ib=0) y cierreS2. Varı́e Vc-c para que cada corriente de base. Es decir, por cadafila de la tabla
Vc-e tome cada uno de los valores indicados en la tabla 2 debe aparecer una curva de IC vs Vce. Deben dibujarse
2.Para cada valor de Vce anote en la primera fila de la todas lascurvas dentro de la misma gráfica.
tabla 2, los valores de corrientede colector Ic medidos.

Fig. 6. Graficas de la tabla 2

VI. CONCLUSIONES
• Mediante dicha práctica pudimos entender el importante
Fig. 3. papel de los transistores en la electrónica.
• El BJT tiene tres zonas y puede trabajar como conmu-
. tador o como switch, en este caso observamos las zonas
de activa y de saturación.
• La región de operación en la cual se sitúe el transistor
depende del voltaje al cual se encuentre sometió.
• Es importante tener en cuenta que los modos de operación
del transistor dependen de su polarización y del valor de
la tensión aplicada a sus terminales.
A NEXOS
• El simulador empleado para resolver esta practica es:
www.multisim.com
R EFERENCES
Fig. 4. Montaje figura 3
Please number citations consecutively within brackets [1].
The sentence punctuation follows the bracket [2]. Refer simply
to the reference number, as in [3]—do not use “Ref. [3]”
• Abra S2 y cierre S1 ajuste el potenciómetro hasta con- or “reference [3]” except at the beginning of a sentence:
seguir una lectura de 50u A enla corriente de baseIB, “Reference [3] was the first . . .”
ajuste Vc-c a 0V y cierre S2. Number footnotes separately in superscripts. Place the ac-
• Varie Vc-c para conseguir los valores de Vc-e mostrados tual footnote at the bottom of the column in which it was
en la tabla 2 y anote en lasegunda fila de la tabla los cited. Do not put footnotes in the abstract or reference list.
valores de Ic medidos. Use letters for table footnotes.
Unless there are six authors or more give all authors’ names;
do not use “et al.”. Papers that have not been published,
even if they have been submitted for publication, should be
cited as “unpublished” [4]. Papers that have been accepted for
Fig. 5. Tabla 2 publication should be cited as “in press” [5]. Capitalize only
the first word in a paper title, except for proper nouns and
• Repita los numerales 3 y 4, para los diferentes valores de element symbols.
IB, hasta llenar la tabla 2. For papers published in translation journals, please give the
• Con los datos de la tabla 2, realizar las curvas carac- English citation first, followed by the original foreign-language
terı́sticas del transistor. Tenga encuenta que cada curva citation [6].
 R EFERENCES
[1] G. Eason, B. Noble, and I. N. Sneddon, “On certain integrals of
Lipschitz-Hankel type involving products of Bessel functions,” Phil.
Trans. Roy. Soc. London, vol. A247, pp. 529–551, April 1955.
[2] J. Clerk Maxwell, A Treatise on Electricity and Magnetism, 3rd ed., vol.
2. Oxford: Clarendon, 1892, pp.68–73.
[3] I. S. Jacobs and C. P. Bean, “Fine particles, thin films and exchange
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York: Academic, 1963, pp. 271–350.
[4] K. Elissa, “Title of paper if known,” unpublished.
[5] R. Nicole, “Title of paper with only first word capitalized,” J. Name
Stand. Abbrev., in press.
[6] Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y. Tagawa, “Electron spectroscopy
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Transl. J. Magn. Japan, vol. 2, pp. 740–741, August 1987 [Digests 9th
Annual Conf. Magnetics Japan, p. 301, 1982].
[7] M. Young, The Technical Writer’s Handbook. Mill Valley, CA: Univer-
sity Science, 1989.