Manual de Prácticas
Dispositivos y Circuitos
Electrónicos
División: Ingeniería Eléctrica Departamento: Electrónica
Práctica 10
Transistor de efecto de campo (FET)
Circuitos de polarización del MOSFET
Nombre completo del alumno Firma
Hernández Ruiz Valentín
N° de brigada: Fecha de elaboración: 8-12-22 Grupo: 5
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Introducción.
En practicas anteriores analizamos la principales características y propiedades de los
MOSFET, ahora toca analizar el deseño de polarización de CD de los circuitos de
transistores MOS, por lo general un dispositivo MOSFET requiere un área más pequeña
que un resistor, la polarización depende de la región de operación la queremos que el
transistor opere, para fines de análisis en la figura 1-a, observaremos el resumen de
las relaciones de corriente – voltaje del MOSFET.
Figura 1-a. Tabla de operaciones del MOSFET.
Objetivos de aprendizaje
Analizar, diseñar e implementar distintas configuraciones de polarización de un
MOSFET.
Material y equipo
Transistores MOSFET, Resistencias, Multímetro, Fuente de poder, Osciloscopio,
Cables (banana-caimán, caimán-caimán, BNC-caimán), Tableta de prototipos
(Protoboard).
Trabajo previo
Analizar, diseñar, simular e implementar los circuitos de polarización y estabilización
del MOSFET, atendiendo las especificaciones del profesor.
Previo.
Por medio de un transistor 2N7000 y con las curvas ya obtenidas de la practica
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pasada analizamos un determinado punto de operación en el área de saturación en
el MOSFET a la elección del alumno con algunas recomendaciones del profesor en
donde debemos considerar un voltaje entre drenaje (D) y fuente (S) mayor a 4 [V],
en donde nos aseguramos de que el transistor se encuentre en la región de
saturación.
En donde se propuso un circuito de polarización por divisor de voltaje, este circuito
lo podremos ver en la figura 1, en donde podremos analizar los componentes.
Figura 1. Circuito diseñado por el alumno.
Cabe resaltar que, para el diseño e implementación del circuito, fue necesario partir
de los valores del simulador proporcionado por el profesor para la práctica pasada,
en donde podremos obtener un voltaje entre drenaje y fuente
𝑉𝐷𝑆 = 5.08 [𝑉], un voltaje entre compuerta y fuente 𝑉𝐺𝑆 = 2.64 [𝑉] y una corriente de
drenaje 𝐼𝐷 = 22.7 [𝑚𝐴].
Los cálculos correspondientes los podremos apreciar en la figura 2.
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Figura 2. Cálculos y mediciones teóricas del circuito.
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Posteriormente simulamos el circuito con los datos proporcionados por el cálculo de
los parámetros los obtenidos en la figura 2, en la figura 3 veremos la simulación
del circuito propuesto y mostrado en la figura 1.
Figura 3. Simulación del circuito propuesto.
Desarrollo
Medir y caracterizar cada uno de los circuitos implementados en el trabajo previo. Ya en la
práctica comenzamos con el armado del circuito en donde podremos ver las resistencias
calculadas y normalizadas a valores comerciales. En la figura 4, podremos apreciar el
circuito armado basándose en la figura 1.
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Figura 4. Circuito armado utilizando un transistor MOSFET 2N7000.
Para este circuito utilizamos una fuente de poder 𝑽𝑫𝑫 = 𝟏𝟏. 𝟓 [𝑽] DC, el cual podremos ver
implementado en la figura 5.
Figura 5. Valor del voltaje de la fuente inducido al circuito con un valor de 𝑉𝐷𝐷 = 11.5 [𝑉].
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El circuito amado podríamos tenerlo en conjunto con la fuente y un amperímetro conectado
en serie para el calculo de lo que es el valor de la corriente de drenaje Id, en la figura 6
podremos ver un conjunto del circuito eléctrico, fuente, multímetro y circuito.
Figura 6. Modelo del circuito armado en el experimento de la práctica.
Resultados y conclusiones
Realizar tabla comparativa.
El alumno debe analizar y comparar los resultados teóricos, simulados y experimentales
obtenidos, con la finalidad de generar, de carácter obligatorio, sus propias conclusiones,
haciendo énfasis en los objetivos planteados al inicio de la práctica.
Posteriormente nos procedemos lo que es el cálculo de los voltajes y corrientes
correspondientes, comenzando con el cálculo de la corriente en del drenaje en donde veremos
en la figura 7.
Figura 7. Cálculo de la corriente en el drenaje 𝐼𝐷 = 24.67 [𝑚𝐴]
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También tendremos los caculos de los voltajes para el drenaje lo podremos apreciar en
figura 8.
Figura 8. Cálculo del voltaje en la compuerta 𝑉𝐺 = 6.01 [𝑉 ]
Voltaje entre el drenaje y la fuente lo podremos observar en la figura 9.
Figura 9. Cálculo del voltaje en la compuerta 𝑉𝐷𝑆 = 4.62 [𝑉 ]
Voltaje entre compuerta y fuente lo podremos apreciar en la figura 10.
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Figura 10. Cálculo del voltaje en la compuerta 𝑉𝐺𝑠 = 2.64 [𝑉 ]
Voltaje en el drenaje lo podremos apreciar en la figura 11.
Figura 11. Cálculo del voltaje en el drenaje 𝑉𝐷 = 8.26 [𝑉 ]
Voltaje en la fuente lo podremos apreciar en la figura 12.
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Figura 12. Cálculo del voltaje en la fuente 𝑉𝑆 = 3.63 [𝑉 ]
Tipo de Lugar de Valor Valor Valor % de
medición medición teórico simulado experimental error
Corriente [mA] 𝐼𝐷 22.7 [mA] 24.2 [mA] 24.67 [mA] 8.68 %
Voltaje [V] 𝑉𝐺 6.14 [V] 6.32 [V] 6.01 [V] 2.12 %
Voltaje [V] 𝑉𝐷 8 [V] 8.60 [V] 8.26 [V] 3.25 %
Voltaje [V] 𝑉𝑆 3.5 [V] 3.63 [V] 3.63 [V] 3.71 %
Voltaje [V] 𝑉𝐷𝑆 5.08 [V] 4.97 [V] 4.62 [V] 2.16 %
Voltaje [V] 𝑉𝐺𝑆 2.64 [V] 2.69 [V] 2.63 [V] 0.38 %
Tabla 1. Resultado obtenidos, calculados, simulados y experimentados.
Conclusión.
En esta práctica se analizó, diseño y simulo un circuito con la implementación de un
transistor MOSFET del modelo 2N7000, con fines de polarizarlo y comparar los resultados
obtenidos tanto calculados, como simulados en donde con respecto a los cálculos
encontraremos porcentajes de errores relativamente pequeños salvo la corriente en el
drenaje la cual podremos ver en la tabla 1, que se disparó un poco alto el porcentaje pero
dentro de un rango aceptable, sin que se pierda la coherencia de la práctica.
Referencias
- Boylestad, Robert L., Nashelsky, Louis. (2009). Electrónica: Teoría de Circuitos y
Dispositivos Electrónicos (décima edición). México. Pearson Education.
