EL TRANSISTOR
Se llama transistor (del inglés: transfer resistor, “resistor de
transferencia”) a un tipo de dispositivo electrónico semiconductor,
capaz de modificar una señal eléctrica de salida como respuesta a una de
entrada.
Tiene varias aplicaciones, sirviendo como amplificador, conmutador,
oscilador o rectificador de la misma.
Es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de
material tipo n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una
de material tipo n. El primero se llama transistor npn y el segundo transistor pn.
Operación de un transistor bipolar de unión
Considera al transistor ilustrado en la figura se trata
de un BJT tipo npn.
Por ahora, se llamaran a sus terminales, 1, 2 y 3 de
izquierda a derecha, respectivamente.
Las capas cuyas terminales son 1 y 2 integran un
diodo de unión p-n, mientras que la 2 y 3, de
manera similar, forman otro diodo.
Aplicando sendas fuentes de polarización a los diodos, lo cual permite tener las
siguientes posibilidades:
✓ Ambos diodos polarizados inversamente.
✓ Ambos diodos polarizados directamente.
✓ Diodo 1-2 en polarización inversa, diodo 2-3 en polarización directa.
✓ Diodo 1-2 en polarización directa, diodo 2-3 en polarización inversa.
Ambos diodos polarizados inversamente
Al haber atracción del polo positivo de la fuente V12
hacia los portadores mayoritarios del material tipo n,
donde hace contacto, provoca que éstos se alejen de
la unión p-n aumentando el tamaño de la región de
agotamiento en la unión. Los electrones que emanen
del polo negativo de dicha fuente tendrían como
única vía la terminal 2 hacia el material p, algunos de
ellos se recombinarían con algunos huecos de este
material, pero no lograrían superar la barrera de
energía que se ha formado por el incremento de la
región de agotamiento.
El resultado es que el diodo 1-2 se encuentra en estado de no conducción o “apagado”,
la corriente ID12 = 0 mA. En el diodo 2-3 se presenta una situación similar. Se dice que el
transistor está en estado de corte.
Ambos diodos polarizados directamente
El polo negativo de cada fuente de polarización
ejerce una fuerza de repulsión sobre los
portadores mayoritarios de los materiales tipo n,
acercándolos a la unión p-n en cada diodo, en
tanto que el polo positivo de cada fuente ejerce
una fuerza de atracción hacia los mismos
Se estrecha la región de agotamiento y los portadores mayoritarios son capaces de
superar la barrera de energía en la unión. Se da el fenómeno de la conducción en
ambos diodos por estar polarizados directamente. La corriente tiende a aumentar,
limitada solamente por las características del cristal y por la magnitud del voltaje de
polarización. Se dice que el transistor se encuentra en estado de saturación.
Diodo 1-2 en polarización inversa, diodo 2-3 en polarización directa
Si el diodo 1-2 está polarizado inversamente, actuará como corte o “apagado”, no
circulan las cargas eléctricas (I12 = 0 mA), mientras que en el diodo 2-3 habrá una
corriente eléctrica ID > 0, por estar polarizado directamente.
Diodo 1-2 en polarización directa, diodo 2-3 en polarización inversa
Se espera que el diodo 1-2 esté en conducción (ID > 0) y el diodo 2-3 en
corte (ID = 0); sin embargo, en el diodo 2-3 no sucede lo que estamos
esperando.
El polo negativo de la fuente V12, conectada al material n del diodo 1-2
polariza al diodo directamente, ejerciendo repulsión sobre los portadores
mayoritarios (electrones), acercándolos con esto a la unión p-n(1-2). El polo
positivo de esta misma fuente (V12), ejerce atracción sobre ellos a través
de la terminal 2; algunos de estos electrones libres
siguen esta trayectoria y se reincorporan a la fuente de polarización V12.
Pero observa que el polo positivo de la fuente V23 que polariza
inversamente al diodo 2-3, también ejerce atracción sobre los electrones
libres del material n del diodo 1-2; y con ello les agrega energía.
La pieza de material tipo p del centro (terminal 2) se ha construido deliberadamente delgada y con muy pocas
impurezas; esto facilita que casi todos los portadores mayoritarios del material n (terminal 1) crucen la unión p-n(1-2),
atraviesen la pieza de material tipo p (terminal 2) y continúen su viaje hasta penetrar al material n (terminal 3),
ocupando cada vez los huecos disponibles, hasta salir del cuerpo del cristal e incorporarse a la fuente de polarización
V23 a través de su polo positivo, que es el que los atrae.
Diodo 1-2 en polarización directa, diodo 2-3 en polarización inversa
Lejos de lo que se hubiera podido pensar, hay corriente
desde el material n (terminal 1) hasta el material n
(terminal 3), pasando por el material p, de en medio. Se
dice que el transistor está en operación.
El fenómeno que se presenta en el último caso fue
determinante para asignar un nombre, en vez de número,
a cada una de las tres partes del transistor bipolar de
unión (BJT). A la terminal con el número 1, se le
denomina emisor; a la terminal 3 se le llama colector y a
la terminal del centro (2) se le llama la base.
Observa que el nombre corresponde perfectamente a la
función que cada una de las partes realiza para la
conducción de las cargas eléctricas.
Cuando el transistor BJT se encuentra en condiciones de saturación o corte, el
dispositivo se utiliza como un conmutador porque prende o apaga.
Cuando está en condiciones de operación, su funcionamiento será el de un
amplificador.
Se ha analizado la operación de un transistor tipo npn; sin embargo, para un transistor
tipo pnp, se presenta el fenómeno de la conducción desde el emisor hasta el colector,
invirtiendo las polaridades en las fuentes; siempre que se polarice directamente al
diodo emisor-base e inversamente al diodo base-colector.
Con la finalidad de facilitar la comprensión de un fenómeno tan complejo, como es el
que se presenta en la conducción de cargas en un BJT, en el análisis se ha considerado
el movimiento real de los electrones, lo que se llama el sentido real de la corriente,
mediante representaciones esquemáticas.
Recuerda que en la mayoría de los textos relacionados con la corriente eléctrica se
utiliza el sentido convencional; precisamente al contrario de lo que ahora se ha tomado
en cuenta, para efectos de explicación. En lo sucesivo seguiremos utilizando el sentido
convencional de la corriente.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
Una unión p-n de un transistor se polariza en directamente y la otra unión p-n se póliza inversa.
Puesto que la corriente de base es
muy pequeña
➔
El alfa de continua (simbolizada por ᾳdc)
El componente de corriente de portadores
La beta de continua (simbolizada por
minoritarios se llama corriente de fuga y se le
da el símbolo ICO [corriente IC con el emisor ᵝ)
dc
abierto (Open)]
• Para transistores de uso general, IC se mide en miliamperes e ICO en
microamperios o nano amperios. ICO, como la Is para un diodo polarizado en
inversa, es sensible a la temperatura y hay que examinarla con cuidado
cuando se consideren aplicaciones de amplios intervalos de temperatura.
• Puede afectar severamente la estabilidad de un sistema a alta temperatura si
no se considera como es debido. Mejoras en las técnicas de construcción han
reducido significativamente los niveles de ICO, al grado en que su efecto a
menudo puede ser ignorado
Transistor PNP
Transistor NPN
Esta figura esquematiza una manera
de visualizar más a detalle el
fenómeno del lujo de cargas a través
del transistor tipo npn.
Se aprecia una lecha que representan el movimiento real de los electrones viajando a
través de la ruta emisor⇒ base ⇒ colector⇒ exterior; se trata de los portadores
mayoritarios presentes en el material tipo n de la terminal emisor. Una pequeña parte de
estos portadores se desvía a través de la base hacia el exterior, atraídos por el potencial
positivo de la fuente que polariza al diodo emisor-base. Hay otra lecha, de menor tamaño
y en el mismo sentido que la anterior, que representa el movimiento de electrones que
provienen de la base (portadores minoritarios en el material tipo p), atraídos por el
potencial positivo de la fuente que polariza al diodo base-colector, siguiendo la ruta
base⇒ colector⇒exterior.
Se puede llegar a la conclusión de que la
corriente que pasa por colector (IC) está
formada por la suma de los portadores
mayoritarios provenientes del emisor y
portadores minoritarios provenientes de
la base; todos viajando hacia el colector,
atraídos por el potencial positivo que
polariza inversamente al diodo base-
emisor.
A la corriente debida a portadores minoritarios provenientes del material tipo p, se
le conoce como corriente de fuga (ICO), que equivaldría a la corriente de saturación
inversa IS en un diodo rectificador. Esto se puede representar así:
Dadas las magnitudes de estas dos corrientes, la que forman los portadores
mayoritarios es del orden de los miliamperes, mientras que la debida a portadores
minoritarios es del orden de micro o nanoamperios, lo que significa que para fines
prácticos se puede considerar como despreciable.
