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Informe de laboratorio #3
Daniel Felipe Ortega – 5801142; Miguel Andrés Vera: 5801196;
Laura Estefanía Lozano: 5801148
Resumen: Además, se abordará la amplificación de señal, una de las
En este informe se aborda el estudio práctico y teórico de los funciones primordiales de los transistores. A través de
transistores, con un enfoque especial en reforzar conceptos experimentos prácticos, se espera que los participantes
esenciales sobre estos componentes electrónicos fundamentales.
Se busca que el lector adquiera habilidades en la identificación de
visualicen cómo un transistor puede tomar una señal débil y
las terminales del transistor y comprenda su papel dentro de convertirla en una más fuerte, un proceso crucial en múltiples
circuitos básicos. A través del análisis de distintos circuitos de dispositivos electrónicos.
polarización como el de polarización fija, con polarización de
emisor y por divisor de voltaje, se destaca el funcionamiento y las En conjunto, este informe no solo servirá como una
características inherentes de los transistores dependiendo de su herramienta educativa, sino también como un compendio de
aplicación. Adicionalmente, se explora el papel vital de los
transistores en la amplificación de señal, evidenciando su
experimentos prácticos que reflejarán la versatilidad e
capacidad para transformar señales débiles en más robustas. En importancia de los transistores en la electrónica moderna.
esencia, este informe busca proporcionar una visión comprensiva
y práctica sobre la operatividad y versatilidad de los transistores
en la electrónica moderna. II. MARCO TEÓRICO
I. INTRODUCCIÓN
1. LOS TRANSISTORES: UNA VISIÓN GENERAL
Los transistores, desde su invención en la década de 1940, Los transistores, introducidos por primera vez en 1947 por
han transformado la tecnología moderna y continúan siendo Bardeen, Brattain y Shockley, representan uno de los avances
una piedra angular en la electrónica. Estos dispositivos más significativos en la historia de la electrónica. Funcionan
semiconductores sirven como interruptores y amplificadores, y como dispositivos amplificadores y/o interruptores,
son esenciales en una variedad de aplicaciones que van desde permitiendo el control de un flujo de corriente con otro flujo
radios simples hasta computadoras avanzadas. A pesar de su de corriente o tensión. Están constituidos, generalmente, por
omnipresencia, comprender su funcionamiento y aplicaciones materiales semiconductores como el silicio o el germanio.
prácticas sigue siendo fundamental para cualquier estudiante o
profesional del área electrónica. 2. Tipos y Terminales de Transistores
Los transistores más comunes son el transistor de unión
El presente informe de laboratorio tiene como principal bipolar (BJT) y el transistor de efecto de campo (FET). En el
objetivo fortalecer los conceptos previamente aprendidos contexto de este informe, nos centraremos en el BJT.
sobre transistores. Se busca no solo adentrar al lector en la
teoría que subyace a su funcionamiento, sino también El BJT tiene tres capas semiconductoras y, por ende, tres
proporcionar una experiencia práctica directa. A través de este terminales:
informe, los participantes podrán familiarizarse de manera
íntima con los transistores, desde la simple identificación de • Emisor (E): La terminal por la que ingresa la
sus terminales hasta su integración y operación dentro de corriente en un NPN (y sale en un PNP).
circuitos básicos. • Base (B): Funciona como el "control" del transistor,
ya que una pequeña corriente en esta terminal
Un aspecto crucial de este informe será demostrar cómo se determinará el flujo entre el colector y el emisor.
pueden diseñar y utilizar diferentes circuitos de polarización • Colector (C): Es la terminal opuesta al emisor y es
para lograr diversas funcionalidades con los transistores. Se donde se recoge la corriente en un transistor NPN
explorarán métodos de polarización como el Circuito de (y se introduce en un PNP).
polarización fija, el Circuito con polarización de emisor y el
Circuito de polarización por divisor de voltaje. Cada uno de 3. Funcionamiento en Circuitos Básicos
estos métodos tiene sus ventajas, limitaciones y aplicaciones En un BJT, el flujo de corriente entre el colector y el emisor
específicas, y entenderlos permitirá una mejor adaptación y está controlado por la corriente de la base. Cuando no hay
uso de los transistores en aplicaciones prácticas. corriente en la base, el BJT se encuentra "apagado". A medida
que la corriente de la base aumenta, permite un mayor flujo
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entre el colector y el emisor, "encendiendo" el transistor. colector al emisor.
• Inversión: Es un modo menos común y no deseado,
4. Polarización de Transistores donde el transistor funciona al revés, con la base
La polarización de un transistor es el proceso de aplicar actuando más como un colector.
voltajes externos para llevarlo a su modo de operación
deseado. 8. Distorsión y Linealidad
• Circuito de polarización fija: Este circuito utiliza una Al usar transistores como amplificadores, es crucial
resistencia conectada directamente a la base, entender que no toda amplificación es perfecta. Pueden
proporcionando un voltaje fijo. Si bien es simple, presentarse distorsiones si la señal amplificada no es una
no es muy estable ante variaciones de temperatura reproducción fiel de la señal original. La linealidad se refiere a
o en las características del transistor. la capacidad del transistor para amplificar una señal sin
• Circuito con polarización de emisor: Aquí, se distorsionarla.
introduce una resistencia en el emisor que
proporciona retroalimentación negativa, 9. Disipación de Calor y Consideraciones Térmicas
estabilizando la corriente de base y, por ende, la de Los transistores, al conducir corriente, generan calor. Es
colector. Es una técnica más estable que la fundamental tener en cuenta las consideraciones térmicas, ya
polarización fija. que un exceso de calor puede dañar el dispositivo o alterar su
• Circuito de polarización por divisor de voltaje: Esta funcionamiento. Es por ello que, en aplicaciones de alta
técnica utiliza dos resistencias en serie conectadas potencia, se usan disipadores de calor para mantener a los
a la base, creando un divisor de voltaje que transistores dentro de un rango de temperatura seguro.
proporciona el nivel de polarización. Ofrece mayor
estabilidad y es ampliamente utilizado en la 10. Transistores en la Era Digital
práctica. Los transistores no solo actúan como amplificadores, sino
que son la base de la lógica digital en la era moderna. En un
5. Amplificación de Señal chip de computadora, hay miles de millones de transistores
Uno de los roles más significativos de los transistores es la que funcionan como interruptores, representando los 0s y 1s
amplificación. Un pequeño cambio en la corriente o voltaje de de la computación binaria.
entrada (en la base) puede causar un gran cambio en la
corriente o voltaje de salida (entre el colector y el emisor).
Esta propiedad permite que los transistores tomen señales III. VALORES TEÓRICOS
débiles y las amplifiquen para su uso en diversos dispositivos
electrónicos. 1. Circuito 1:
6. Materiales Semiconductores y Doping Para calcular las corrientes y voltajes en el circuito de
Un aspecto esencial en el funcionamiento del transistor es el polarización, es necesario utilizar el modelo simplificado del
uso de materiales semiconductores. Estos materiales, como el transistor en el cual se considera que el transistor está en
silicio y el germanio, tienen una conductividad intermedia régimen activo. Bajo esta suposición, la corriente de base IB
entre conductores y aislantes. A través de un proceso llamado está dada por:
"doping", se introduce una pequeña cantidad de impurezas en
el semiconductor para mejorar sus propiedades y crear IB = (V CC − V BE) /RB
regiones tipo P (positivas) o N (negativas). Este proceso es
crucial para formar las uniones P-N que definen la operación Donde VBE es la caída de voltaje en la unión base emisor del
transistor y RB es la resistencia conectada al terminal base. El
de los transistores.
valor de VBE depende del tipo de transistor y de la corriente
de base. En este caso, asumiremos que VBE es de 0,7 V.
7. Modos de Operación del BJT
Un BJT puede operar en varios modos, y la comprensión de IB = (10V − 0, 7V) /330kohmnios
estos es esencial para su uso efectivo:
IB = 29, 09microA
• Corte: En este modo, el BJT está apagado. No hay
corriente de base y, en consecuencia, no hay La corriente de colector IC está dada por
corriente de colector-emisor.
• Activo: En el modo activo, hay corriente de base, lo IC = 9, 3V /1000 = 9, 3mV
que permite la corriente de colector-emisor. El
transistor actúa como un amplificador. IC = 9, 3mV
• Saturación: Aquí, el transistor está completamente
encendido, y la corriente fluye libremente desde el Finalmente, el voltaje entre el colector y el emisor VCE está
dado por la ley de Ohm:
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V ce = Vcc − Ic ∗ R3 – V
V CE = V CC − IC ∗ RC
donde R3 es la resistencia de carga y Vce es la tensión
Donde RC es la resistencia conectada al terminal colector. En colector-emisor en saturación, que típicamente es de
este caso, RC es de 1 kilo ohmios. 0.2V
V CE = 10V –9.3mA ∗ 1kohmnios V ce = 10V − 2.005mA ∗ 1.2k − 0.2V
V CE = 0, 7V V ce = 6.994V
Después del cambio de B realizado en el laboratorio práctico: Por lo tanto, los valores son
Corriente débase (Ib): 20.05A
Corriente de colector (Ic): 2.005mA
Tensión colector − emisor (Vce): 6.994V
Después del cambio de B realizado en el laboratorio práctico:
2. Circuito 2:
Para calcular los valores de corriente y tensión del circuito de
polarización de emisor, podemos utilizar los siguientes pasos
Calcular la corriente de base (Ib)
La corriente de base se puede calcular a partir de la ley de
Ohm y la relación entre la corriente de base y la corriente de
colector en un transistor bipolar NPN:
3. Circuito 3
Ib = (Vcc − V be) / (R1 + R2)
Calcular la tensión en la base del transistor (Vb) La
donde Vbe es la tensión base-emisor del transistor, que tensión en la base del transistor se puede calcular a partir
típicamente es de 0.7V. del divisor de voltaje formado por R1 y R2:
Ib = (10V − 0.7V) / (4.7k + 470k) V b = R2 ∗ Vcc/ (R1 + R2)
Ib = 20.05A V b = 18k ∗ 12V / (1k + 18k)
Calcular la corriente de colector (Ic) V b = 1.94V
La corriente de colector se puede calcular multiplicando la Calcular la corriente de base (Ib)
corriente de base por la ganancia de corriente del
Transistor La corriente de base se puede calcular a partir de la
ley de Ohm y la relación entre la corriente de base y la
Ic = Ib corriente de colector en un transistor bipolar NPN
donde es la ganancia de corriente o factor de amplificación del Ib = (V b − Vbe) /R3
transistor, que típicamente es de 100
donde Vbe es la tensión base-emisor del transistor, que
Ic = 100 ∗ 20.05ª típicamente es de 0.7V
Ic = 2.005mA Ib = (1.94V − 0.7V) /100
Ib = 12.4A
Calcular la tensión colector-emisor (Vce):
Calcular la corriente de colector (Ic)
La tensión colector-emisor se puede calcular restando la caída
de tensión en la resistencia de carga (R3) de la tensión de La corriente de colector se puede calcular multiplicando la
alimentación y la caída de tensión en el transistor corriente de base por la ganancia de corriente del
Transistor
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IV. VALORES SIMULADOS
Ic = Ib
Circuito #1
donde es la ganancia de corriente o factor de amplificación del
transistor, que típicamente es de 100.
Ic = 100 ∗ 12.4A
Ic = 1.24mA
Calcular la tensión colector-emisor (Vce)
La tensión colector-emisor se puede calcular restando
la caída de tensión en la resistencia de carga (R4) de la
tensión de alimentación y la caída de tensión en el transistor:
V ce = Vcc − Ic ∗ R4 – Vce
donde R4 es la resistencia de carga y Vce es la tensión
colector-emisor en saturación, que típicamente es de
0.2V
V ce = 12V − 1.24mA ∗ 2.2k − 0.2V
V ce = 8.11V
Por lo tanto, los valores son
Tensión en la base (Vb): 1.94V
Corriente de base (Ib): 12.4A
Corriente de colector (Ic): 1.24mA
Tensión colector emisor (Vce): 8.11V
Después del cambio de B realizado en el laboratorio:
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Circuito #2
Circuito #4
Circuito #3
6
Circuito #5
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V. VALORES EXPERIMENTALES
Circuito #1
Circuito #1 Práctico
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
0,28 6,41 3,61
Circuito #1 Teórico
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
0,28181818 6,45081818 3,54918182
Circuito #1 % error
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V) Circuito #3
0,00645161 0,0063276 0,01713583
Circuito #3 Práctico
Ib(A) Ic(mA) Vce (V)
12,6 1,17 7,9
Circuito #3 Teórico
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
12,4 1,24 8,11
Circuito #3 % error
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
0,01587302 0,05982906 0,02589396
Circuito #2
Circuito #2 Práctico
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
0,15 6,72 5,01
Circuito #2 Teórico
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
0,19591321 4,48445334 4,81865599
Circuito #2 % error
Ib(mA) Ic(mA) Vce (V)
0,23435485 0,49851041 0,039709
8
Circuito #4
Circuito #4 Práctico
V(V) Vp-p(V) V(rms) Vdc(nV) Vfreq(Hz)
12,6 1,17 7,9 -368 1,33
Circuito #4 Teórico
V(V) Vp-p(V) V(rms) Vdc(nV) Vfreq(Hz)
12,6091818 1,1798071 8 -370 1,33333333
Circuito #4 % error
Vce
Ib(mA) Ic(mA) Vdc(nV) Vfreq(Hz)
(V)
0,0007287 0,0083821 0,012 0,0054054 0,3358333
1 4 5 1 3
9
Circuito #5
Circuito #5 Práctico
Colecto Activació
r de Onda Vp- n de
señal(V Senoidal( p(V Vfreq(H Transit corriente
) V) ) z) or en
12,6 1 1 1000 N.A N.A
12,6 5 5 100 640mV 0,7V
Circuito #5 Teórico
12,6 5 5 100 640mV 0,7V
El error del circuito #5 es despreciable pues los datos fueron
tomados con las herramientas necesarias para obtener los
valores más exactos posibles.
VI. ANÁLISIS
Durante la experimentación, enfrentamos dificultades al
registrar los valores, específicamente con resistencias que no
reflejaban los valores estipulados en el diseño de la guía. Sin
embargo, tras abordar estos desafíos, la práctica de laboratorio
pudo llevarse a cabo sin más impedimentos, arrojando valores
que se alinearon estrechamente con las expectativas teóricas y
las proyecciones del simulador.
Desde el punto de vista técnico, la resistencia Re tiene la
función crucial de delimitar la corriente máxima que fluye a
través del transistor en estado de saturación. Por otro lado, la
resistencia de base RB define la corriente que alimenta la base
del transistor (IB). Esta última es esencial ya que decide la
polarización del transistor, determinando si opera en estado de
saturación, activo o corte.
Durante la fase experimental del laboratorio, se trabajó con
cinco circuitos diferentes, todos centrados en la temática de
los transistores y sus respectivas aplicaciones en el mundo de
la electrónica. Cada circuito proporcionó una visión única y
profunda de las características y comportamientos de los
transistores en diferentes configuraciones y escenarios.
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• Configuración Básica: Este circuito sirvió como • A través de estos cinco circuitos, se destacó la
introducción al mundo de los transistores. Estableció versatilidad y eficiencia de los transistores en
la base para comprender cómo se comporta un múltiples aplicaciones. Esta versatilidad es lo que ha
transistor en su estado más simple y cómo las consolidado a los transistores como pilares de la
resistencias, especialmente Re y RB, afectan su electrónica moderna.
operación.
• Para futuros estudios, sería beneficioso investigar
• Configuración Amplificadora: Aquí, el transistor se más a fondo las características individuales de cada
utilizó principalmente como un amplificador, transistor utilizado y cómo estas características
proporcionando una visión clara de cómo los pueden afectar su comportamiento en diferentes
transistores pueden ser utilizados para amplificar circuitos.
señales débiles.
• La implementación adecuada de resistencias y otros
• Configuración de Conmutación: En este circuito, se componentes en torno a un transistor es crucial para
observó el comportamiento del transistor como un su correcto funcionamiento. Pequeñas variaciones
interruptor. Esto demostró la rapidez y eficiencia con pueden tener un impacto significativo en el
la que los transistores pueden actuar como comportamiento global del transistor.
interruptores electrónicos.
• La comprensión teórica de los transistores debe ir de
• Configuración Osciladora: Este diseño destacó la la mano con la práctica experimental. Solo a través
capacidad del transistor para producir oscilaciones, de la combinación de ambos métodos se puede
esencial en la creación de frecuencias y señales en la obtener una comprensión completa de estos
electrónica. dispositivos.
• Configuración Reguladora: Finalmente, el último • Es vital recordar que, aunque los transistores tienen
circuito ofreció una visión de cómo los transistores muchas aplicaciones, cada configuración tiene sus
pueden ser utilizados en aplicaciones de regulación, limitaciones y condiciones de operación óptimas.
asegurando que la salida permanezca constante
independientemente de las variaciones en la entrada. • A medida que la tecnología avanza, los transistores
continúan evolucionando en términos de
VII. CONCLUSIONES miniaturización y eficiencia. Mantenerse al día con
estas tendencias es esencial para cualquier
• La estabilidad del circuito es esencial para obtener profesional o estudiante en el campo de la
mediciones precisas, en especial cuando se trata de electrónica.
variaciones en el valor de beta de los transistores.
Esta estabilidad es aún más crítica cuando se trabaja
con múltiples configuraciones, como se observó en
los cinco circuitos diferentes. VIII. BIBLIOGRAFÍA
• Cada configuración del transistor desempeña un papel
fundamental en la electrónica moderna, desde la • R. S. Sedra and K. C. Smith, "Microelectronic
amplificación de señales hasta la regulación y Circuits," 7th ed. New York, NY: Oxford University
generación de oscilaciones. Comprender estas Press, 2014.
configuraciones es esencial para cualquier
profesional de la electrónica. [1] R. S. Sedra and K. C. Smith, "Microelectronic Circuits,"
7th ed. New York, NY: Oxford University Press, 2014.
• La coherencia entre las mediciones experimentales y
las teóricas respalda la precisión de las herramientas • P. Horowitz and W. Hill, "The Art of Electronics,"
y métodos utilizados. Sin embargo, siempre es 3rd ed. Cambridge, UK: Cambridge University Press,
esencial calibrar y verificar las herramientas y 2015.
componentes antes de la experimentación para
garantizar la precisión. [2] P. Horowitz and W. Hill, "The Art of Electronics," 3rd ed.
Cambridge, UK: Cambridge University Press, 2015.
• Los simuladores, como Multisim, proporcionan una
base sólida para la predicción y análisis de circuitos. • D. A. Neamen, "Semiconductor Physics and Devices:
Sin embargo, pueden presentar limitaciones y errores, Basic Principles," 4th ed. New York, NY: McGraw-
y es crucial complementar estos resultados simulados Hill, 2011.
con cálculos teóricos y mediciones prácticas.
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[3] D. A. Neamen, "Semiconductor Physics and Devices:
Basic Principles," 4th ed. New York, NY: McGraw-Hill,
2011.
• B. Razavi, "Design of Analog CMOS Integrated
Circuits," 2nd ed. New York, NY: McGraw-Hill
Education, 2016.
[4] B. Razavi, "Design of Analog CMOS Integrated Circuits,"
2nd ed. New York, NY: McGraw-Hill Education, 2016.
• Y. Tsividis and C. McAndrew, "Operation and
Modeling of the MOS Transistor," 3rd ed. New York,
NY: Oxford University Press, 2011.
[5] Y. Tsividis and C. McAndrew, "Operation and Modeling
of the MOS Transistor," 3rd ed. New York, NY: Oxford
University Press, 2011.
