Programa Ingeniería Electrónica, Universidad del Quindío – Electrónica 1
AMPLIFICADORES CON BJT
INFORME LABORATORIO 2
COLORADO MARIA JOSE, GRAJALES LAURA JULIANA, TORO NATALIA
Programa Ingeniería Electrónica.
Universidad del Quindío.
- INTRODUCCIÓN
El presente informe soporta el análisis y la práctica de laboratorio relacionados con el estudio de
circuitos amplificadores que emplean transistores bipolares de unión (BJT) en distintas
configuraciones y polarizaciones, con el fin de comprender el comportamiento, funcionamiento y
utilidad de estos circuitos para diversas aplicaciones. A través del análisis, se observó que las distintas
configuraciones producen resultados variables, como lo demuestra, por ejemplo, la mayor estabilidad
del circuito polarizado con divisor de voltaje. La segunda parte se centró en el análisis de dos circuitos
polarizados como divisores de voltaje y estaban configurados como emisor con capacitores de acople.
En el segundo circuito, se añadió un capacitor de desacople en el emisor.Para el análisis de esta
segunda parte, se realizaron dos etapas: primero, se examinó la componente DC de cada circuito,
seguido de la componente AC utilizando el modelo de pequeña señal para frecuencias medias y el
modelo para el análisis de bajas y altas frecuencias.Además, para complementar este proceso, se
emplearon herramientas como el osciloscopio, generador, fuente de alimentación y el software de
simulación Multisim. Esto permitió verificar que se cumplieran los requerimientos específicos de cada
circuito y asegurarse de la precisión en los resultados obtenidos.
- MÉTODOS E INSTRUMENTOS
FIGURA 1. PROCEDIMIENTO PARTE A. POLARIZACIÓN FIGURA 2. PROCEDIMIENTO PARTE B CIRCUITO 2
FIJA CIRCUITO 1
FIGURA 3. PROCEDIMIENTO PARTE C. POLARIZACIÓN FIGURA 4. PROCEDIMIENTO PARTE D. POLARIZACIÓN CON .
. CON RE DIVISOR DE VOLTAJE.
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FIGURA 5. PROCEDIMIENTO PARTE 2 EMISOR COMÚN. FIGURA 6. PROCEDIMIENTO PARTE 2 EMISOR COMÚN CON CE
TABLA 1. Componentes utilizados
Componentes Referencia
Transistor NPN KN2222A
Transistor PNP 2N3906
Resistencias 100Ω-2MΩ
Fuente DC
Led Rojo 1.8V
Potenciómetro
Capacitores cerámicos 6.8nF
Capacitores electrolíticos 10uF
- RESULTADOS Y ANÁLISIS
PARTE 1: Para las mediciones físicas de esta parte de laboratorio sólo se utilizó el multímetro debido
a que se trabaja en DC, por tanto, los resultados se registraron en tablas.
A. POLARIZACIÓN FIJA CIRCUITO 1
FIGURA 7. RESULTADOS DE SIMULACIÓN CIRCUITO 1 PARTE A, PARTE 1.
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TABLA 2. RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE TEORÍA
Beta(β) ICQ VCEQ VBB VBE IB VC
160 5mA 6V 700mV 0.7V 31.25uA 4.2V
163 5.0937mA 5.921V 700mV 0.7V 31.2496uA 4.2787V
180 5.625mA 5.475V 700mV 0.7V 31.25uA 4.725
TABLA 3. RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE MEDICIONES FÍSICAS
beta VCE IC VBB VBE IB VC
159 5.57 5.39mA 665 mV 0.65 31.2uA 4.63
162 5.44 5.55mA 665 mV 0.65 31.2uA 4.72
176 4.98 6mA 665 mV 0.65 31.2uA 5.18
En términos generales se puede observar que un incremento de la ganancia de corriente del transistor
(beta) se desplaza el punto de operación (punto Q) acercándose a la zona de saturación, a menor
voltaje de colector-emisor, mayor corriente de colector, esto tanto para los valores obtenidos
teóricamente como para los valores medidos en el laboratorio. Además, se puede observar que el
voltaje de base es el mismo voltaje del emisor. Esto para polarización fija.
B. C. Polarización con RE
FIGURA 8. RESULTADOS DE SIMULACIÓN CIRCUITO 3 PARTE C, PARTE 1.
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TABLA 4. RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE TEORÍA
Beta(β) ICQ VCEQ VBB VBE IB VC VE
160 4.5mA 9V 1.5145V 0.7V 28.125uA 8.145V 814.5mV
163 4.5816mA 8.8372V 1.5292V 0.7V 28.1079uA 8.2926V 829.2696mV
180 5.0342mA 7.9320V 1.6111V 0.7V 27.9677uA 9.1119V 911.1902mV
TABLA 5. RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE MEDICIONES FÍSICAS
Beta VCE IC VBB VBE IB VC VE
159 8.9 4.88mA 1.46V 0.64 27.4uA 8.1 0.82
162 8.59 4.96mA 1.5V 0.64 27.4uA 8.28 0.86
176 7.72 5.4mA 1.59V 0.64 27..4uA 9.61 0.95
En términos generales se puede observar que un incremento de la ganancia de corriente del transistor
(beta) se desplaza el punto de operación (punto Q) acercándose a la zona de saturación, a menor
voltaje de colector-emisor, mayor corriente de colector, esto tanto para los valores obtenidos
teóricamente como para los valores medidos en el laboratorio igual al caso anterior. Además, se puede
observar que al agregar la resistencia RE, el voltaje de la base es la suma del voltaje base-emisor y el
voltaje de la resistencia RE.
C. D. POLARIZACIÓN CON DIVISOR DE VOLTAJE
FIGURA 9. RESULTADOS DE SIMULACIÓN CIRCUITO 4 PARTE D, PARTE 1.
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TABLA 6. RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE TEORÍA
Beta(β) ICQ VCEQ VBB VBE IB VC VE
160 1.5874m A 8.9518 V 2.2978V 0.7V 9.9212uA 7.4607V 1.5874V
163 1.5874m A 8.9506 V 2.2978V 0.7V 9.7386uA 7.4607V 1.5874V
180 1.5885m A 8.9455 2.2978V 0.7V 8.825uA 7.4659V 1.5885V
TABLA 7. RESULTADOS OBTENIDOS MEDIANTE MEDICIONES FÍSICAS
beta VCE IC VBB VBE IB VC VE
159 8.70 1.65mA 2.25 0.62 9.5uA 7.69 1.62
162 8.69 1.66mA 2.25 0.62 9.3uA 7.66 1.63
176 8.67 1.67mA 2.25 0.62 8.5uA 7.68 1.63
En general, se puede observar que un incremento de la ganancia de corriente del transistor (beta) se
desplaza el punto de operación (punto Q) acercándose a la zona de saturación, a menor voltaje de
colector-emisor, mayor corriente de colector aunque es una variación mínima, es por esto que se dice
que la polarización con divisor de voltaje es más estable frente a las variaciones circuitales, por
ejemplo, de beta. Esto tanto para los valores obtenidos teóricamente como para los valores medidos en
el laboratorio. Además, se puede observar que el voltaje de la base es el mismo voltaje de Thévenin de
la malla B-E, que se obtiene haciendo un divisor de voltaje para el resistor R1, el cual es el mismo
voltaje de la base.
Para analizar el porcentaje de error frente a las mediciones de laboratorio y los cálculos realizados se
utiliza la fórmula (1). Para realizar el porcentaje de error se tomó el valor de beta de 160, esto debido
a que en términos globales, el proceso analítico para cada beta fue el mismo, asumiendo así que con
un cálculo de error para un sólo beta se podría obtener una conclusión generalizada de todos los
valores.
𝑉𝑡−𝑉𝑝
𝑒% = | 𝑉𝑡
| * 100 (1)
TABLA 8. PORCENTAJES DE ERROR TEORÍA-PRÁCTICA CON UN BETA DE 160
e% VCE IC VBB VBE IB VC VE
CIRCUITO A 7.16% 7.8% 5% 7.14% 0.16% 10.23%
CIRCUITO C 1.11% 8.44% 3.59% 8.57% 2.57% 0.55% 0.67%
CIRCUITO D 2.81% 3.94% 2.08% 11.42% 4.24% 3.07% 2.05%
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Los porcentajes de error como se observa en la tabla 8 son debidos a que en la teoría se toman valores
ideales y precisos para los resistores, VCC y para el transistor, ignorando parámetros internos del
mismo. Caso contrario a la práctica, donde los componentes tienen valores aproximados, tolerancias o
configuraciones internas que podrían afectar los resultados. Aún así, se podría decir que los
porcentajes de error no son muy altos, por tanto, se afirma que son correctos los resultados.
PARTE 2:
CIRCUITO 1
Al igual que en la práctica anterior, la componente DC se midió con el multímetro, la componente AC
fue medida con ayuda del osciloscopio.
FIGURA 10. RESULTADOS DE SIMULACIÓN DC CIRCUITO 1. PARTE 2
TABLA 9. MEDICIONES PUNTO Q E IB DC CIRCUITO 1
IB ICQ VCEQ
28.3uA 5.49mA 5.62V
FIGURA 11.GANANCIA SIM. CIRCUITO 1 FIGURA 12. GANANCIA PRÁCTICA CIRCUITO 1.
La ganancia medida se observa en la tabla 10 que se encuentra más adelante en el documento, pero, a
simple vista se podría decir que el resultado de la práctica es muy aproximado al obtenido en la
simulación, incluso se puede notar el desfase de la señal de entrada y de la señal de salida.
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FIGURA 13. IMPEDANCIA DE ENTRADA SIM. CIRCUITO 1 FIGURA 14. IMPEDANCIA PRÁCTICA CIRCUITO 1
Para garantizar que el desarrollo teórico de la impedancia de entrada y el circuito funcionara
correctamente, se llevó a cabo un análisis visto en detalle en entregas anteriores, esto con el fin de
determinar la impedancia de entrada, tanto en la práctica como en la teoría. Esta evaluación se
respalda con la medición del voltaje en la entrada del amplificador, que para poder afirmar que la
impedancia es la correcta, el voltaje debe ser aproximadamente la mitad del valor de la fuente, tal
como se muestra en las figuras 13 y 14.
FIGURA 15. FRECUENCIAS DE CORTE BAJA Y ALTA FRECUENCIA SIMULACIÓN
El ancho de banda de simulación fue de 1.216965MHz
Para la medición de alta y baja frecuencia en el montaje físico, se midió el voltaje de salida del circuito, a este
voltaje se le sacó el 70%, con este valor obtenido se disminuye la frecuencia media (100 KHZ) hasta que la
señal llegara a esta amplitud del 70% obteniendo así la baja frecuencia. Para la alta frecuencia se realizaba el
mismo proceso, pero subiendo la frecuencia media hasta llegar a la amplitud del 70%.
FIGURA 16. BAJA FRECUENCIA CIRCUITO 1 FIGURA 17.ALTA FRECUENCIA CIRCUITO 1
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TABLA 10. MEDICIONES PRÁCTICAS AC CIRCUITO 1
Vopp Vipp Av Zi F2 FH1 Ancho de
banda
9.6 1.75V 5.5406 22.5066K 2K 1.5MHZ 1.498MHZ
Los resultados de simulación y prácticos de la componente AC son muy aproximados, por lo que se
podría afirmar que la práctica fue correcta. Aún así hay un porcentaje de error que se analizará en
detalle más adelante en el documento.
CIRCUITO 2
Al dejar los capacitores como circuito abierto, se puede concluir que el análisis DC es exactamente el
mismo del circuito 1 , por tanto, los resultados del punto de operación y de corriente de base son
exactamente los mismos, esto para el estudio teórico.
Para el análisis AC los capacitores se reemplazan por cortocircuito. Esto quiere decir, que la
resistencia RE se elimina ya que el capacitor al quedar como un corto la corriente busca el camino
más “fácil” a tierra, ignorando a RE. Por tanto, el análisis es el mismo al del circuito 1 (análisis de
amplificador con bjt configurado como emisor común), con la diferencia que se elimina la
componente de RE.
PARTE AC
FIGURA 18. Voltaje de entrada y salida circuito 2 simulación
FIGURA 19. Voltaje de entrada y salida circuito 2 práctica
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La ganancia medida se observa en la tabla 10 que se encuentra más adelante en el documento, pero, a
simple vista se podría decir que el resultado de la práctica es muy aproximado al obtenido en la
simulación, incluso se puede notar el desfase de la señal de entrada y de la señal de salida.
FIGURA 20. IMPEDANCIA DE ENTRADA PRÁCTICA. CIRCUITO 2 FIGURA 21. IMPEDANCIA SIM CIRCUITO 2
Como se realizó en el anterior circuito para garantizar que el desarrollo teórico de la impedancia de
entrada y el circuito funcionara correctamente, se realizó un análisis, esto con el fin de determinar la
impedancia de entrada, tanto en la práctica como en la teoría. que se evidencia midiendo el voltaje en
la entrada del amplificador y para poder afirmar que la impedancia es la correcta, el voltaje debe ser
aproximadamente la mitad del valor de la fuente, tal como se muestra en las figuras 20 y 21.
FIGURA 22. FRECUENCIAS DE CORTE BAJA Y ALTA FRECUENCIA SIMULACIÓN
El ancho de banda de simulación fue de 153.4111KHz
TABLA 10. MEDICIONES PRÁCTICAS AC CIRCUITO 2
Vopp Vipp Av Zi
1.24V 44mV 28.1818 1.1k
La medición de la alta y baja frecuencia no fue posible realizarla debido a problemas en el laboratorio.
A continuación se encuentran condensados y resumidos los parámetros DC y AC calculados teóricos
para ambos circuitos, donde en términos generales se puede afirmar que los resultados teóricos y
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simulados son muy aproximados. A excepción del circuito 2 donde difieren bastante los voltajes de
salida máximos y la impedancia de entrada.
TABLA 11. PARÁMETROS DC CIRCUITO 1 CIRCUITO 2
Y AC
ICQ 5.2746mA 5.2746mA
VCEQ 5.9276V 5.9276V
iCsat (recta dinámica) 9.1632mA 9.8190mA
vCEcorte (recta dinámica) 13.9679V 12.8075V
AV -5.7668 -264.6023
AV (dB) 15.2186 48.4518
Ai -14.8536 -22.6868
Zin 25.7568KΩ 857.3609Ω
Zo 1.5KΩ 1.5KΩ
Vomax 5.0720Vpico 5.9274Vpico
Vimax 879.5mV 22.4013mV
τ1 181.9462µS 18.5736mS
τ2 78.2µS 115mS
F1 874.7362Hz 8.5688Hz
F2 2.0352KHz 1.3839Hz
Fa 72.3431Hz
Fb 1.5918KHz
FH1 1.2190MHz 155.0029KHz
FH2 12.9988MHz 15.1955MHz
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TABLA 12. PORCENTAJES DE ERROR TEORÍA-PRÁCTICA CON UN BETA DE 176 CIRCUITO 1
e% VCE IC IB AV ZIN Fr. de Fr. de
corte baja corte alta
CIRCUITO 1 5.189% 4.08% 5.57% 0.03% 12.61% 1.68% 23.05%
En la tabla 13 se observa que los porcentajes de error entre los valores teóricos y prácticos del circuito
1 son bajos, este pequeño porcentaje de error podría deberse a que los componentes en el desarrollo
teórico son ideales, caso contrario a los utilizados para el montaje físico ya que tienen parámetros
internos y tolerancias que impiden que tengan un valor exacto o similar al supuesto en la teoría. Se
puede concluir que los resultados son correctos.
TABLA 13. PORCENTAJES DE ERROR TEORÍA-PRÁCTICA CON UN BETA DE 176 CIRCUITO 2
e% VCE IC IB AV ZIN
CIRCUITO 2 5.189% 4.08% 5.57% 89.34% 28.30%
En la tabla 13 se observa el porcentaje de error entre los valores teóricos y prácticos del circuito 2,
donde hay porcentajes de error bastante altos, ya que lo esperado de acuerdo a los cálculos no
coincide en varios parámetros con los medidos,por ejemplo, la ganancia, voltaje de salida e
impedancia. Se desconoce la causa de esta disparidad de resultados. Sin embargo, se logró evidenciar
que la simulación fue bastante coincidente con los resultados prácticos de laboratorio, con lo cual se
podría afirmar que la práctica es medianamente aceptable.
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CONCLUSIONES
- En la primera parte del laboratorio se realizó la simulación, análisis y práctica en DC para
circuitos amplificadores con BJT con diferentes polarizaciones y se observó cómo el beta, el
cual es un parámetro interno del transistor, influye en las rectas de carga y puntos de
operación. Haciendo que este mismo se acerque o aleje de la zona de saturación o de corte.
- En la segunda parte del laboratorio se realizó la simulación, análisis y práctica de parámetros
DC y AC para dos circuitos polarizados como divisor de voltaje y configurados como emisor
común, agregando al segundo circuito un capacitor de desacoplo en el emisor. Los puntos de
operación (punto Q) en ambos circuitos coinciden, esto debido a que en el análisis DC al
reemplazar los capacitores por circuitos abiertos queda exactamente el mismo circuito con los
mismos valores. Con respecto al análisis AC, al agregar el capacitor de emisor, hay un
desperdicio de voltaje de polarización y un mayor nivel de corriente de saturación, sumado a
esto, la ganancia de corriente y de voltaje se incrementa. Por el contrario, al agregar el
capacitor de emisor, la impedancia de entrada se disminuye en gran medida. Otro efecto de
este capacitor, es que hay un mayor nivel máximo de voltaje de salida, debido por la ganancia
tan alta; razón por la cual el voltaje de entrada máximo es mucho más pequeño en
comparación al circuito 1. El circuito 1 responde más rápido a los cambios de las condiciones
iniciales, respondiendo en microsegundos a diferencia del circuito 2 que responde en
milisegundos. El ancho de banda de operación del primer circuito (1.2169MHz) y el ancho de
banda del segundo circuito es mucho más reducido (153.4111KHz). En conclusión, la
conexión de un capacitor en el emisor incrementa o disminuye algunos parámetros, esto
podría resultar útil dependiendo de qué aplicación específica se necesite (ej. Un ancho de
banda pequeño o una ganancia elevada). Además, los amplificadores con BJT pueden resultar
bastante útiles en sus distintas configuraciones y polarizaciones, dependiendo de la
aplicación. Por ejemplo, más estabilidad en el punto de operación, mayor ganancia de voltaje
y corriente, mayor o menor impedancia.
