UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA
FACULTAD DE ELECTROTECNIA Y COMPUTACIÓN
Reporte de laboratorio No. 2
Dispositivos de memoria.
Elaborado por:
Br. Stanley Joaquín Gómez Rojas. Carnet: 2021-0636U
Br. Maxwell Antonio Gómez Medina. Carnet: 2021-0689U
Tutor:
Ing. Marlovio Sevilla Hernández.
Carrera:
Ingeniería Electrónica.
Asignatura: Electrónica digital Il.
OBJETIVOS.
Determinar la capacidad de un dispositivo de memoria con base en
sus entradas y salidas.
Combinar IC’s de Memoria para formar módulos de Memoria con
un tamaño de Palabra más grande y/o mayor capacidad.
Utilizar el programa Proteus para simular circuitos de memoria ROM
o memoria RAM.
Introducción
La memoria es un medio físico capaz de almacenar información (programas y
datos) de forma temporal o permanente. Aunque conceptualmente parezcan
sencillas, presentan una gran variedad de tipos, tecnología, estructura,
prestaciones y costos. Ninguna tecnología es óptima para satisfacer todas las
necesidades de un computador, por lo que existe una jerarquía de subsistemas
de memoria.
La capacidad de la memoria es una forma de especificar la cantidad de bits que
puede almacenar un dispositivo de memoria. La capacidad se puede expresar
como el producto: número de palabras x tamaño de la palabra o por una
cantidad específica de bits. El arreglo de las memorias indica que está
compuesta por n palabras de m bits cada una.
Cada una de estas palabras tiene asociado una dirección (código binario) para
acceder a ella para escribir o leer un dato. Las designaciones comunes para
expresar la capacidad de una memoria son:
1K = 210 = 1024
1M = 220 = 1024K
1G = 230 = 1024M
1T = 240 =1024G
Desarrollo de la práctica.
La siguiente tabla muestra los estados control en donde la memoria está en
operación de escritura o lectura.
- Se realizo la simulación del circuito planteado en la guía de laboratorio.
- se realizo la comprobación de algunos de los datos mostrados en la
siguiente tabla para verificar el correcto funcionamiento del circuito.
Dirección “0000”, Datos “45”.
Dirección “0002”, Datos “F3”.
Dirección “0029”, Datos “AB”.
Podemos observar que los valores se guardan correctamente en las
direcciones establecidas. Para visualizar los datos guardados se manda una
señal en bajo “0” a la entrada “OE”
Ejercicio 2. Se implemento un circuito el cual duplica el tamaño de palabras
2Kx16
Para comprobar el correcto funcionamiento se introdujeron los siguientes datos:
Dirección “0000”, Dato “45DD”.
Dirección “0004”, Dato “5526”.
Ejercicio 3. Implemente un arreglo de memoria RAM de 4Kx16 utilizando los
circuitos integrados de memoria RAM de 2Kx8 que posee el software.
Introduzca datos en los diferentes circuitos de memoria y compruébelos en
displays hexadecimales.
Tomando en cuenta:
Para el desarrollo de este ejercicio se debe identificar cuantas líneas de
dirección se necesitan, esto lo podemos calcular de la siguiente manera: se
debe pasar el número de palabras a una expresión de 2 N, donde N es igual al
número de líneas de dirección, el arreglo de memoria es de 4Kx16 donde el
número de palabras es 4K esto es igual a 2 2 x 210 = 212, por lo tanto, se
necesitan 12 líneas de dirección. Se deben conectar 2 memorias de 8 palabras
para obtener una salida de 16 palabras. Así que llegamos a la conclusión que
se necesitan 2 pares de memorias de 2Kx8 para obtener una de 4Kx16,
Cada memoria RAM 2Kx8 solo tiene 11 líneas de dirección que van desde A0
hasta A10, y se necesitan 12 líneas de dirección, es por esto que se procede a
conectar una entrada A11 al pin de habilitación (CE) de cada memoria.
Debido a que solo necesitamos 16 salidas de datos, solo podemos usar 2
memorias a la vez, es por esto que un par de memorias estarán funcionando,
mientras que el otro par estará deshabilitado. Esto lo conseguimos mediante la
entrada de dirección A11 la cual está conectada al pin de habilitación. Se hará
uso de una compuerta NOT (7404) conectada a la entrada de habilitación del
segundo par de memorias, esto lo que hace es negar la entrada A11
permitiendo cuando el primer par de memorias este habilitado, el segundo este
deshabilitado y viceversa.
El circuito quedo de la siguiente manera:
Para comprobar el correcto funcionamiento se introdujeron los siguientes datos.
Dirección “3248”, datos “1234”
Dirección “1328”, datos “ABCD”
Conclusión.
Los dispositivos de memoria cuentan con determinada capacidad, estas
dependen de sus entradas y salidas. Capacidad es una manera de especificar
cuantos bits se pueden almacenar en un dispositivo de memoria. De manera
similar, nosotros podemos combinar IC”s de memoria para aumentar su
capacidad de tal manera que podamos almacenar más bits en un arreglo de
memorias.
Además, se comprobó de manera efectiva el comportamiento de un dispositivo
de memoria, utilizando el bus de datos con la herramienta de simulación
Proteus.
