FORMATO INFORME DE LABORATORIO
N⁰ DE PRACTICA: FECHA: NOMBRE:
CHOQUE LOPEZ KARINA
1 C/ GONZALES MAMANI JOSE ANTONIO
CURSO: 28/03/2024 MENDEZ SEJAS JUAN PABLO
500-ELP-MAÑANA VELASCO PARDO RICHARD
TITULO:
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS DE POTENCIA
OBJETIVO DE LA PRACTICA:
Determinar el estado de funcionamiento de los dispositivos electrónicos de potencia
(aprender a medir)
MATERIALES Y EQUIPOS:
Diodo standart o de uso General (1N4007)
Diodo de recuperación rápida (1N4937 o equivalente)
Diodo Schottky
TRIAC BT 136
SCR BT 151
Transistor TIP 31
MOSFET IRF630 o IRF 540
IGBT
Multímetro Digital
Fuente de alimentación DC de 5 a 12V
Resistencias varios valores
LED varios colores
Protoboard
Probador de Componentes
FUNDAMENTACION TEORICA:
La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control. El control
se encarga del régimen permanente. la energía tiene que ver con el equipo de
potencia estatica y rotativa para la generación y distribución de energía eléctrica. la
electrónica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado sólido.
DIODOS
Un diodo es un componente eléctrico que permite el paso de la corriente eléctrica en
un solo sentido o dirección. Los diodos están hechos de dos piezas de material
semiconductor, generalmente silicio.
Los diodos pueden subdividirse en dos clases principales: Diodos rectificadores
(recuperación estándar) y diodos rápidos. Los diodos rectificadores generalmente se
utilizan para convertir CA (corriente alterna) en CC (corriente continua).
DIODO STANDART (RECTIFICADOR)
Un diodo rectificador es un dispositivo semiconductor que convierte la corriente
alterna (CA) en corriente continua (CC). Está hecho de dos terminales, un ánodo y
un cátodo, siendo el ánodo el terminal positivo y el cátodo el terminal negativo. El
diodo rectificador permite que la corriente fluya en una sola dirección y se usa en
fuentes de alimentación para convertir CA en CC.
DIODO DE RECUPERACION RAPIDA
Los diodos rápidos, por otro lado, son aparatos complementarios a interruptores en
CC a CA CA. Cada conmutador (GTO, IGCT o IGBT) requiere un diodo
complementario (por ejemplo, para la potencia reactiva de" rueda "libre) para
permitir el funcionamiento del sistema de conversión de CC-CA con carga inductiva.
DIODO SCHOTTKY
Un diodo Schottky es un dispositivo semiconductor de dos terminales, normalmente
de metal, que han sido fuertemente dopados con impurezas. El dopaje crea una
asimetría en la estructura de la banda electrónica del dispositivo, le permite
funcionar como un rectificador.
este tipo de diodos tienen una caída de tensión directa más baja que los diodos de
potencia de silicio convencionales y se utilizan para la rectificación de potencia en
fuentes de alimentación conmutadas y otros circuitos electrónicos de potencia y muy
alta frecuencia, uno de sus grandes usos es en circuitos de altísima velocidad como
los teléfonos móviles, las tabletas, laptops y las computadoras, las tarjetas madres
de estos, están llenas de estos diodos ya que ayudan a rectificar y regular el voltaje
que los otros componentes necesitan.
TRANSISTORES
Los transistores son dispositivos electrónicos, clave para el funcionamiento de
diferentes tecnologías. En el ámbito de la electrónica, estos dispositivos son un
elemento básico para amplificar, comutar señales o replicar ciertos
comportamientos. Los transistores se dividen en dos grandes categorías; bipolares y
de efecto de campo..
Los transistores bipolares son aquellos donde la polarización se realiza con dos
corrientes, una directa y una de origen externo.
En cuanto a los tipos de transistores, existen dos principales; Polarizados Usuales o
NPN y los Polarizados Inversos o PNP. Cada uno presenta características
específicas tanto en su funcionamiento como en su utilización.
Los transistores Polarizados Usuales o NPN:
Utilizan una corriente de tipo negativo para elevar el umbral de activación.
La aplicación más común es para la amplificación, como etapas de audio.
También se usan para conmutar señales.
Los transistores Polarizados Inversos o PNP:
Se basan en una corriente de tipo positivo para elevar el umbral de activación.
Su uso principalmente se limita a la regulación de fuentes de alimentación.
También se utilizan en sistemas de control lógico.
SCR
Un tiristor SCR es un dispositivo compuesto por cuatro capas de material
semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión
de Tiratrón (tyratron) y Transistor.
Contiene tres conexiones llamados ánodo, cátodo y gate (puerta). Este último es el
encargado de inspeccionar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, consintiendo circular la corriente
en un solo sentido.
Al no aplicarse ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en
el momento en que se utiliza la tensión, el tiristor comienza a conducir.
Principio de funcionamiento de un tiristor SCR
TRIAC
El Triac se conoce como un componente eléctrico o un dispositivo semiconductor
que dispone de tres terminales, por lo que se dice que pertenece a la familia de los
tiristores, se caracteriza por ser bidimensional por lo que conduce el flujo en dos
direcciones.
En el uso de mantener en control el flujo de la corriente a una carga tiene la
capacidad de manipular la potencia en la corriente alterna. Es empleado en los
circuitos de disparo debido a las capacidades y funciones que ofrece.
BJT
El transistor de unión bipolar (BJT o Bipolar Juntion Transistor) es un dispositivo
electrónico de estado sólido compuesto por dos uniones PN muy cercanas,
permitiendo el aumento de corriente, la disminución de voltaje y el control del flujo
de corriente a través de sus terminales. La conducción en este tipo de transistor
involucra portadores de carga de ambas polaridades (huecos positivos y electrones
negativos). Los BJT son ampliamente utilizados en electrónica analógica y algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS.
MOSFET
Las siglas MOSFET vienen de las palabras Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-
Transistor, que en español significan transistor de efecto de campo metal-óxido
semiconductor. En otras palabras, un MOSFET es un transistor, un componente
eléctrico que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de
entrada dada. En el mundo de la electrónica son ampliamente conocidos los
transistores BJT, que sirven para regular la señal de salida en corriente, mientras
que los MOSFET regulan la señal de salida en voltaje. El funcionamiento es
básicamente el mismo, solo que unos regulan corriente (intensidad) y otros regulan
voltaje.
IGBT
Un IGBT es un transistor de potencia que permite controlar la corriente eléctrica que
fluye a través de él. Este dispositivo consta de tres capas de material
semiconductor, alternando entre tipo p y tipo n. Los terminales del IGBT se
denominan colector (C), emisor (E) y puerta (G). La corriente fluye desde el colector
hasta el emisor, y la puerta controla este flujo.
El funcionamiento del IGBT es similar al de un transistor MOSFET en cuanto a la
entrada, y al de un transistor bipolar en cuanto a la salida. Cuando se aplica un
voltaje positivo en la puerta (G), se crea un canal conductivo en la capa de material
semiconductor tipo n cercana a la puerta. Esto permite que los electrones fluyan
desde el emisor hasta el colector.
PROCEDIMIENTO:
para realizar la practica usamos el multímetro digital y empezamos a medir los valores de
cada componente.
D1 R1
V1
12V
RESULTADOS:
TIPO DE DIDO CAIDA DIRECTA VOLTAJE DE MEDIDAS
SALIDA DIRECTA INVERSA
Standart 0,69 4,26 0,587 OL
Recuperación rápida 0,62 4.57 0,493 OL
schottky 0,22 4.52 474,3 OL
Terminal Positivo Terminal Negativo Medida
A K OL
A G OL
SCR
K G 0,280
K A OL
G A OL
G K 0,278
Terminal Positivo Terminal Negativo Medida
T1 T2 OL
TRIAC
T1 G 0,378
T2 G OL
T2 T1 OL
G T1 0,378
G T2 OL
Terminal Positivo Terminal Negativo Medida
E C OL
C E 0,639
BJT
B C OL
C B 0,638
B E OL
E B OL
Terminal Positivo Terminal Negativo Medida
MOSFET
D S OL
S D 0,529
G S OL
S G OL
G D OL
D G OL
Terminal Positivo Terminal Negativo Medida
C E OL
IGBT
E C OL
G C OL
C G OL
G E OL
E G OL
CUESTIONARIO:
1.- Que diodo presenta mayor caída directa de tensión
R.- el diodo standart
2.- Que diodo produce mayor voltaje a su salida
R.- el diodo de recuperación rápida
3.- En la medida de los diodos cuál de ellos mide menor valor
R.- el diodo de recuperación rápida
4.- Que representa la medida que da el instrumento (tester) cuando se está midiendo un
diodo
R.-Representa la caída de voltaje a través del diodo
5.- Como se determina si un diodo está bien o está mal
R.- se puede determinar de dos formas:
Prueba en directa: Conecta las puntas del multímetro al diodo en una dirección
específica (polaridad directa). Deberías obtener una lectura de voltaje cercana a 0.6
a 0.7 voltios para los diodos de silicio, lo que indica que el diodo está conduciendo
en la dirección correcta.
Prueba en inversa: Conecta las puntas del multímetro al diodo en la dirección
opuesta (polaridad inversa). En esta configuración, el multímetro debería mostrar
una lectura de "sobrecarga" o un voltaje muy alto, indicando que el diodo está
bloqueando el flujo de corriente en la dirección inversa.
6.- Que diferencia existe entre las medidas base colector y base emisor
R.- Al medir la unión base-emisor de un transistor con un multímetro en la función de
diodos, se espera una lectura de voltaje directo, similar a la que se obtendría al medir un
diodo común. Esta lectura indica que la unión base-emisor está conduciendo en la
dirección directa, lo que es característico de un transistor en buen estado.
Por otro lado, al medir la unión base-colector, se espera obtener una lectura similar a la
obtenida al medir un diodo en inversa. Esto indica que la unión base-colector debería
bloquear el flujo de corriente en la dirección directa, lo que es característico de un
transistor en buen estado.
7.- En las tablas de medición del MOSFET y el IGBT que diferencias puede identificar
R.- la diferencia que en el MOSFET tiene al menos una medida de referencia, en cambio el
IGBT todas marcan una medida infinita.
8.- Como determinaría si los SCR, TRIAC, BJT, MOSFET e IGBT están en mal estado
R.- en esta práctica registramos valores de estos transistores pero en buen estado, en caso
de que algún transistor este en mal estado, las mediciones del transistor deberían variar
con respecto a nuestra tabla
9.- Que diferencias puede observar entre las medidas que realiza con el multímetro y el
probador de componentes
R.- la diferencia que hubo entre el multímetro y el probador de componentes es que el
probador mostraba la medida exacta, precisa y además te mostraba el tipo de
componente que seta midiendo en cambio con ya el multímetro el resultado puede
variar un poco, y además hay que medir patita por patita
CONCLUSIONES:
Se llego a aprender a determinar el estado de funcionamiento de los dispositivos
electrónicos de potencia (diodos y transistores), usando un multímetro y un probador de
componentes
multimetro: para esto tuvimos que medir o probar las patitas de los
transistores(alternándose entre ellas)
probador de componentes: este resulto ser mas rápido y eficaz al medir los componente
la conclusión lleva a que todo lo repasado en la teoría llega a coincidir mediante la practica y
las mediciones que realizamos en el aula.
RECOMENDACIONES:
Se recomienda medir bien los valores de cada componente, verificar que no estén dañados y
comprobar las medidas 2 o mas veces.
