TenTec 2023 1
Observaciones de la simulación llevada a cabo en el software de ISIS Proteus para la
propuesta de diseño del circuito anticortocircuito
Equipo de diseño electrónico, desarollador: Javier Leyva
TenTec
TenTec 2023 Diseño del circuito anticortocircuito 2
Observación 1
Al analizar y estudiar el esquemático realizado por Jonatan en el software de ISIS
Proteus, me he percato que se tienen algunas conexiones erróneas.
La conexión errónea está en el transistor MOSFET, ya que se tiene conectado de
forma inversa en las terminales de Drain y Source.
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Esta conexión es distinta a la propuesta de diseño, implicando en un funcionamiento
totalmente distinto al diseño planteado, debido a la tensión de polarización de oclusión o
tensión de umbral que se requiere para activar este transistor de MOSFET canal P por
enriquecimiento de canal.
Por lo que, al estar polarizado en inversa, el Mosfet pasa a convertirse en un simple
diodo, tal y como lo muestra su símbolo esquemático en dicho software de simulación, por lo
en efecto se va a comportar raro.
Dicho lo anterior todo análisis o estudio de este circuito queda descartado.
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Observación 2
Se aprecia que, la simulación interactiva de proteus “en el dominio del tiempo” variando el
potenciómetro es defectuosa, ya que, para el sig. caso se tiene una “resistencia variable” de
valor muy pequeño, emulando un cortocircuito, pero el software no lo esta interpretando así,
si analizamos por la ley de ohm, el amperímetro muestra un valor de 2.4A y el voltímetro un
𝑉 12.0
valor de 12.0V por lo que al llevar acabo la ley de ohm: 𝑅 = = = 5Ω que casualmente
𝐼 2.4
es el valor nominal del potenciómetro. Este comportamiento raro se aprecia tanto para cuando
el potenciómetro cuando esta en la posición de 0% en su nivel de resistencia mas bajo, así
cuando esta al 100% cuando en nivel de su resistencia es alto.
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Observación 3.
De nueva cuenta se tiene un error en las conexiones de Drain y Source por lo que el
transistor estará polarizado en inversa, implicando un comportamiento de un simple diodo,
por lo que el análisis de este circuito no es valido al tener este defecto.
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Observación 4
Se aprecia que se ha remplazado el transistor por un tipo N por el cual se solventa el
detalle de la conexión errónea, pero por su parte, la carga queda polarizando a la tensión de
umbral Vgs, dicha configuración se llama “autopolarizacion”, por lo que presenta
inconvenientes de diseño, ya que el encendido del MOSFET depende de la carga en cuestión.
como punto adicional, no se recomienda esta configuración de disparo con el SCR.
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En conclusión:
• Se tuvo errores en la conexión del transistor de canal P enriquecimiento de canal
IRF7220, implicando que dicho transistor se comportara como un simple diodo sin
control alguno de las regiones de corte y saturación.
• Referente a la simulación que conlleva el uso del amplificador operacional con el
transistor MOSFET de canal N, se tienen lo sig. inconvenientes de diseño:
1. Se tiene una topología de “autopolarizacion” del transisor MOSFET de canal
N.
2. Para mi criterio es preferible remplazar el SCR por un transistor o mejor aun
por un controlador MOSFET, por lo que se debe de rediseñar el circuito de
“disparo” del MOSFET.
• Para obtener una señal lógica binaria para el microcontrolador, se recomienda diseñar
un circuito que permita convertir de 12V a 3.3V y 0 a 0V con el uso de Smith trigger
con histéresis o con algún divisor resistivo básico, o con algún otro diseño.
• Llevar acabo el estudio y análisis de la simulación de proteus con las conexiones
correctas.
• A pesar de que el software de ISIS proteus permite simulaciones interactivas
analógicas y digitales en el dominio del tiempo, se recomienda utilizar simulaciones
basadas en SPICE en dicho simulador o en cualquier otro programa.
