Fundamentos de simulación de procesos

químicos

Contenido
1. Antecedentes
2. Especificación de grados de libertad de diseño
3. Especificación de variables de diseño para un
proceso
4. Enfoque modular secuencial para la simulación
de procesos
5. Métodos de convergencia
6. Casos de estudio

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1. Introducción (1996)

Figura 1. Definición del proceso

Figura 2. Planta industrial de procesos químicos

Figura 3. Estructura general del proceso químico

Figura 4. Diagrama de “la cebolla”

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 2. ANTECEDENTES {adaptado de Ofélia Q. F. Araújo, PASI2008GreenChemistry}

SÍNTESIS DE PROCESO Y DESARROLLO SUSTENTABLE

- La síntesis del proceso es un enfoque sistemático para la selección entre

alternativas de procesos factibles (económicamente)

- El diseño de procesos tiene como objetivo el Desarrollo Sustentable, el

concepto sobre un desarrollo que debe satisfacer las necesidades del
presente sin sacrificar la capacidad del futuro para satisfacer sus
necesidades

- Evaluación del proceso para la toma de decisiones de síntesis del proceso

(1) Económica & (2) Sustentabilidad ¿Se contraponen?

PREVENCIÓN DE LA CONTAMINACIÓN: Jerarquía: (1) Disposición segura de

contaminantes o desechos, (2) Tratamiento de desechos (3) Recuperación de
energía (4) Reutilizar o reciclar (5) Reducción de fuentes de recursos

La reducción conduce al desarrollo sustentable: Costos, Riesgo

y Peligro, Uso de energía, Uso del producto de desecho, Solventes, Materias
primas, No renovable, Residuos.
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Para obtener la mejor configuración de los procesos es conveniente
combinar la evaluación de costos económicos, ambientales, sin pasa por
alto el beneficio social {adaptado de Ofélia Q. F. Araújo, PASI2008GreenChemistry}
¿CÓMO SON LAS CONTRIBUCIONES DE LOS PARTICIPANTES?

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Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 5/56
 3. Taxonomía de indicadores de sustentabilidad1

Figura 2. Desarrollo sustentable

Figura 1. Datos requeridos para la evaluación de

indicadores (Métricas) de sustentabilidad.
1
Smith & col. Ind. Eng. Chem. Res. 2012, 51, 2329–2353

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Figura 3. Perspectiva de evaluación -Tomado de Constable3 (2014)-

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 MODELOS DE INDICADORES EXISTENTES (ECO-EFICIENCIA)

Obtener más valor, con un menor consumo de materiales y energía con

una reducción en las emisiones.

¿Cómo se logra?

1. Reduciendo el consumo de recursos (consumo de energía, materiales,

agua y terreno, reciclando, incrementando la durabilidad del producto,
cerrando el ciclo de los materiales)

2. Reduciendo el impacto en la naturaleza (minimizando emisiones,

vertimientos, residuos, dispersión de sustancias tóxicas)

3. Suministrando mayor valor al producto o servicio (mayor beneficio al

usuario -funcionalidad, la flexibilidad y versatilidad del producto- para
que pueda satisfacer sus necesidades con un menor consumo de
materiales y recursos)

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AREAS DE INTERES

Materiales Equipos Operabilidad Riesgo

(Salud y
seguridad)
Forma física y Tipo de operaciones Tiempo de Exposición
propiedades (G,S,L) unitarias ciclo/rendimiento ocupacional

Masa (Total, Número de Robustez Seguridad

solvente, reactivos) operaciones ambiental (aire,
unitarias agua, tierra)

Peligro inherente Dimensión Energía (total, Seguridad

(toxicidad, (volumen) calentamiento,
estabilidad, enfriamiento,
reactividad) tratamiento)

Costo Escalabilidad Facilidad de Costo

limpieza y
mantenimiento
Renovable Controlable Costo
Reciclable Costo
Calidad (Perfiles de
pureza/impureza)
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Indicadores básicos1: intensidad de materia, intensidad de
energía, consumo de agua, emisión de componentes
tóxicos, emisión de contaminantes y emisión de gases de
efecto invernadero
INDICADOR UNIDADES MEJOR PEOR
SEP (Specific Economic Potential)
Tabla 3 (#6) usd/kg prod 16 0
MI (Mass intensity)
Tabla (#7) Kg mp/kg prod 1 40
RME (Reaction mass efficiency)
Tabla 2(#5) Kg prod/kg mp 1 0
GWP (Global warming potential
Tabla 1(#23) kgCO2/kg prod 0 REFERIDO AL CASO BASE

FWC(Fractional water consumption)

Tabla 2(#24) m3H2O/kg prod 0 2.95
RSEI Tabla 4(#2) kJ/kg prod 0 1.95X106
1
Smith & col. Ind. Eng. Chem. Res. 2012, 51, 2329–2353

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Representación gráfica de las mejoras logradas en un proceso

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 SIMULADORES DE PROCESOS COMERCIALES

[Link] [Link]

[Link]/18/CHEMCAD_ [Link]/[Link]
Process_Simulation_Software

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FUNDAMENTOS DE SIMULACIÓN DE PROCESOS
QUÍMICOS
1. Especificación de variables de diseño
En el diseño de procesos para la separación física de componentes por mecanismos
en los que intervienen transferencias de calor y materia, la primera etapa consiste
generalmente en la especificación de las condiciones del proceso o variables
independientes [Kwauk, Mooson (1956 ) AIChE J., 2, 240-248]

NGL = NV - Nec
NGL: Número de Grados de libertad de diseño
NV: Número de Variables
Nec: Número de Ecuaciones independientes

Ejemplo1:

Se tiene una separación súbita (Flash) de una mezcla multicomponente en un tanque

que tiene como producto dos fases en equilibrio físico, sin reacción química.

Escriba
a. El modelo matemático correspondiente para la operación mencionada en estado
estacionario
b. El número de grados de libertad de diseño
c. La especificación de variables
d. El algoritmo de solución para el caso isotérmico
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Solución
1. Representación esquemática

Figura 5. Tanque flash de dos fases en equilibrio termodinámico

2. Definición de variables

Flujo molares: F, V, L [ = ] lbmol/h

Fracciones molares del componente i: Zi, Yi, Xi, i = 1, 2, ... C componentes
Temperaturas: TF, TV, TL [ = ] R
Presiones: PF, PV, PL [ = ] Psia
Calor: Q [ = ] BTU / h
Entalpías: HF, HV, HL [ = ] BTU / lbmol

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 3. Aplicación de las ecuaciones de
conservación de masa, energía y 4. Declaración de las restricciones
condiciones de equilibrio físico C
F= V + L (1 Ec) C
 Zi  1
i 1
(1 Ec),  Yi  1 (1 Ec),
i 1

F Zi = V Yi + L Xi (C-1 Ec) C

i = 1, 2, ... C componentes  Xi  1
i 1
(1 Ec)

F HF + Q = V HV + L HL (1 Ec) El número total de ecuaciones

independientes es Nec = 2 C + 6
Yi = Ki Xi (C Ec)
5. Listado del conjunto de variables
TV = TL (1 Ec)
F V L 3
PV = P L (1 Ec)
Zi, Yi Xi 3C
TF TV TL 3
PF PV PL 3
Q 1
Número de variables NV = 3 C + 10

Como NGL = NV - Nec

Entonces se tiene NGL = 3 C + 10 - (2 C + 6)

NGL = C + 4
Figura 5. Tanque flash de dos fases
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 6. Especificación de variables
Para la corriente de alimentación de especifican C + 2 variables como son: f1, f2,…, fc, TF & PF y las
otras dos variables faltantes estarán dadas según los casos indicados en la tabla 1.
Tabla 1. Casos de estudio para el tanque flash de dos fases
CASO TIPO FLASH VARIABLES POR VARIABLES A
ESPECIFICAR CALCULAR
1 Isotérmico TV o TL & PV o PL L, V, Yi, Xi, Q

2 Adiabático

3 Temperatura de rocío para F

4 Temperatura de burbuja para F

5 Presión de rocío para F

6 Presión de burbuja para F

7 Recuperación de un componente i en L

8 Recuperación de un componente i en V

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 1. Especificación de variables
Para la corriente de alimentación de especifican C + 2 variables como son: f1, f2,…, fc, TF & PF y las
otras dos variables faltantes estarán dadas según los casos indicados en la tabla 1.
Tabla 1. Casos de estudio para el tanque flash de dos fases
CASO TIPO FLASH VARIABLES POR VARIABLES A
ESPECIFICAR CALCULAR
1 Isotérmico TV o TL & PV o PL L, V, Yi, Xi, Q

2 Adiabático Q & PV o PL L, V, Yi, Xi, TV, TL

3 Temperatura de rocío para F V = F o V/F = 1 o Yi= Zi, Xi, TL, Q

L = 0 & PV o PL

4 Temperatura de burbuja para F L = F o V/F = 0 o Xi= Zi, Yi, TV, Q

V = 0 & PV o PL
5 Presión de rocío para F V = F o V/F = 1 o Yi= Zi, Xi, PL, Q
L = 0 & TV o TL
6 Presión de burbuja para F L = F o V/F = 0 o Xi= Zi, Yi, PV, Q
V = 0 & TV o TL
7 Recuperación de un componente i en L Li (uno) & PV o PL Li(los demás), V, Yi,
Q, TV, TL
8 Recuperación de un componente i en V Vi (uno) & PV o PL Vi(los demás), L, Yi,
Q, TV, TL

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2. Algoritmo de solución (Caso isotérmico )

1. Una vez especificadas F, Z1, Z2, ... 6. Calcular los valores para la función y
ZC-1, TF & PF y TV o TL & PV o PL , primera derivada de la función
se podrá calcular el coeficiente de
reparto Ki para cada uno de los C
Zi 1  Ki 
componentes de la mezcla de f (V / F )  
k

alimentación i 1 1  (V / F ) k Ki  1

2. Fijar la tolerancia  para el error y el Zi 1  Ki 

2
df k C

número máximo de iteraciones  d (V / F ) i 1 1  (V / F )k Ki  12
3. Especificar un valor inicial para (V/F)0
= 0.5 7. Calcular el nuevo valor para
(V/F)k+1con
4. Especificar valores iniciales para el fk
(V/F)k+1 = (V/F)k - df k
error, un contador k y el número de
iteraciones (iter) d (V / F )

5. Si error <  o iter >  entonces se 8. Calcular el error como

termina el proceso de calculo y se
reportan los valores calculados para (V / F ) k 1  (V / F ) k
(V/F)k, L, V, Yi & Xi , de lo contrario error 
(V / F ) k 1
continuar con el proceso de calculo
9. Asignar k = k+1

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 Ejercicio 1. Separación
súbita de una mezcla
multicomponente con tres
fases en equilibrio.

Considere el flash de tres

fases de la figura 6, Escriba el
modelo matemático para
demostrar que el número de
grados de libertad de diseño
es de C + 4.
Figura 6. Separación súbita con tres
Desarrolle el esquema de fases en equilibrio
simulación para los casos 3, 4,
1, 2 y 7 (para recuperar el 90%
del nC7 alimentado en la fase
líquida) de la tabla 1 para la
alimentación siguiente:

Componente N2 CO2 H2S C1 C2 C3 iC4 nC4 iC5 nC5 nC6 nC7 nC8 nC9 nC10 nC12 T [°F] P[Psia]
Alimenta
ción
[lbmol/h] 358 4966 389 2996 2396 2291 604 1540 790 1130 1765 2607 1845 1669 832 1214.5 120 284.7

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Grados de Libertad para otras operaciones
Representación Operación No. Representación Operación No.
Grados de Grados de
libertad de libertad de
diseño diseño
Rehervidor y
condensador C + 4 Absorbedor 2C + 2N +
total o parcial 5
en equilibrio

Cambiador
de calor con C++4
dos 2C + 7 Reactor
corrientes de
proceso
Compresor, Flash dos o
bomba y C+4 tres fases en C + 4
turbina equilibrio
Divisor de C+5
dos Mezclador 2C + 6
corrientes de
corrientes
Válvula C+4

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Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 21/56
2. Especificación de variables de diseño para un esquema
de proceso
¿Cómo se calculan los grados de libertad para un conjunto de módulos interconectados?

Para calcular el número de grados de libertad de diseño de un esquema de proceso, se puede

aplicar un algoritmo para la enumeración de variables, ecuaciones y grados de libertad para
combinaciones de elementos con el fin de formar unidades, lo cual se puede representar como

Numero total
de unidades
NGLU   NGL
i 1
i - NCR (C  2)  N A

NGLU : Número de Grados de Libertad de una Unidad Compleja

NGL i : Número de Grados de Libertad de diseño para la unidad i
NCR : Número de Corrientes de Interconexión
NA : Número de Grados de Libertad Adicionales

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Ejemplo 3:

Reporte el NGLU para el esquema que representa el problema de Cavett

Tabla 2. Grados de libertad para el problema de
Cavett
Unidad Operación NGLi Variables a
especificar
I Flash2 C+4

II Flash2 C+4

III Flash2 C+4

IV Flash2 C+4

V Mix3 3C+8

VI Mix2 2C+6

 NGL
i 1
i  9 C + 30

NCR = 8 & NA = 0 por lo tanto

NGLU  ( 9 C  30 ) - 8 (C  2)  0

NGLU = C + 14 Figura 7. Problema de Cavett

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Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 24/56
Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 25/56
Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 26/56
SIMULACIÓN DE PROCESOS

Basados en los enfoques modular: -Secuencial & Simultáneo

Figura 9. Esquema de proceso en el simulador comercial PRO/II

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 1. Enfoque modular secuencial para la simulación de procesos
El enfoque modular secuencial es una
técnica de simulación aplicada a esquemas
de proceso que operan en régimen
permanente, el orden de solución de cada
módulo que conforma el sistema se
determina a partir del conjunto de corrientes
de corte, que a su vez se especifica por
medio de la matriz de ciclos, por ejemplo,
para el problema de Cavett la matriz de
ciclos correspondiente está definida en la
tabla 3.

Figura 10. Problema de Cavett

Tabla 3. Matriz de ciclos para el problema de Cavett

Ciclo\Corriente S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10 S11
A 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0
B 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0
C 0 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0

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Si el conjunto de corrientes de corte
seleccionado esta dado por { S2, S9 }
entonces la secuencia de cálculo, de
acuerdo a la figura 5, será la siguiente:

Tabla 3. Secuencia de cálculo a partir del conjunto de

corrientes de corte [S2,S9}
MÓDULO OPERACIÓN
II FLASH2
I FLASH2
IV FLASH2
VI MIX2
III FLASH2
V FLASH2 Figura 11. Secuencia de cálculo para el problema de
Cavett
.:

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Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 30/56
Ejercicio
Reporte la secuencia de cálculo y el conjunto de corrientes de corte para la figura 3

Figura 12: Esquema de proceso

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Que también puedes ser representado de la forma siguiente

Figura 15: Rutina que representa la secuencia de cálculo para el

Figura 13: Programa principal para resolver el conjunto de corrientes de proceso químico
corte

El módulo solver (Figura C) es un algoritmo

para corregir el valor del conjunto de
corrientes de corte. Los algoritmos
comúnmente empleados son:

1. Sustitución sucesiva,
2. Wegstein,
3. Newton,
Figura 14: Rutina del algoritmo de convergencia
4. Quasi-Newton
4.1 Secante,
4.2 Secante generalizada,
4.3 Broyden, etc

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Métodos de convergencia

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 n
hi xj H t

j1 xj s

t s
0 (1), i  1,2,..., n
2 2
n
 xj   t 
Además se cumple que  
j1  s 
    1
 s 
(2)

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 2. Sustitución sucesiva

Ejemplo:
(a) f ( x)  5 x 2  3 x  2
Su forma correspondiente en sustitución
sucesiva será:

x k 1

 
5 xk
2
2
3 Figura 16: Representación gráfica para la sustitución sucesiva
[Link]

(b) f ( x)  cos(2 x) , se puede escribir

k 1
como: x  x k
 cos( 2 x k
)

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3. Aceleración de Wegstein

k
Método de Wegstein acotado:  5  wi  0

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 3. Newton

A través de una expansión por medio de la serie de Taylor alrededor del punto xk

F ( x)  F ( x k )  J k ( x  x k )  ...

Además, en la vecindad de la raíz se cumple que F ( x)  0 entonces

J k (x  xk )  F (xk )

que corresponde a un sistema de ecuaciones algebraicas lineales de la forma Ay  b

Que puede ser resuelto con la expresión de convergencia siguiente:

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5. Quasi-Newton

5.1 Método de la Secante

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Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 40/56
5.2 Secante generalizada

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 Considerando que si k  1,

Figura 17: v2 es la componente de x2 que es

O bien, si entonces
ortogonal a x1

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5.3 Método de Broyden

Con

Nota:

Si codifica los algoritmos, pruébelos con el sistema de ecuaciones algebraico

siguiente:

x +y x-y
f1 (x, y) = - 2x + sin , f 2 (x, y) = - 2y + cos 
 2   2 
Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 43/56
Selección del modelo de cálculo de propiedades termodinámicas

Figura 18. Diagrama de flujo para la selección del modelo de propiedades termodinámicas en
Aspen-plus –Tomado de - [Link]

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Tabla. Descripción de los modelos para el cálculo de propiedades termodinámicas en Aspen-plus

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Tabla. Descripción de los modelos para el cálculo de propiedades termodinámicas en Aspen-plus

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Aplicación del enfoque modular secuencial para la simulación de procesos
a través del empleo de matlab y el simulador comercial Aspen-plus
Caso 1 El problema de Cavett

Tabla 4. Datos para el proceso de Cavett

COMPONENTE ALIMENTACIÓN FLASH 1 FLASH 2 FLASH 3 FLASH 4
[lbmol/h] Para el esquema de la figura 4,
Ki Ki Ki Ki
N2 358.2 15.0000 35.0000 180.0000 630.0000
aplique el enfoque modular
CO2 4965.6 2.2700 6.6000 29.1000 89.0000 secuencia considerando como
H2S 389.4 0.8400 2.0300 8.4000 29.5000 corrientes de corte ys = [S2,S9] y
C1 2995.5 3.5000 11.5000 56.0000 204.0000 una tolerancia de 1x10-6.
C2 2395.5 1.0200 2.5000 11.2000 42.0000 Compare los resultados
C3 2291 0.4150 0.9200 3.3000 10.5000 obtenidos una la simulación en
iC4 604.1 0.2150 0.4400 1.1600 4.1500 Aspen-plus, justifique las
nC4 1539.9 0.1680 0.3350 1.0100 2.9800 desviaciones encontradas
iC5 790.4 0.0930 0.1560 0.4050 1.1200
nC5 1129.9 0.0820 0.1250 0.3200 0.8800
nC6 1764.7 0.0390 0.0480 0.1050 0.2750
nC7 2606.7 0.0193 0.0180 0.0350 0.0900
nC8 1844.5 0.0104 0.0069 0.0125 0.0285
nC9 1669 0.0059 0.0028 0.0044 0.0095
nC10 831.7 0.0035 0.0012 0.0017 0.0035
nC12 1214.5 0.0001 0.0001 0.0001 0.0001
T [°F] 120.0 100 120 96 85
P[Psia] 284.7 817.7 284.7 63.7 27.7

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Caso 2 Proceso de síntesis de monoclorobenceno (MCB)
Reporte los valores de los indicadores de sustentabilidad RME (Reaction mass efficiency), RSEI
(Specific energy intensity), GWP (Global warming potential), MI (Mass intensity), FWI (Fractional
water consumption) y SEP (Specific Economic Potential) para el proceso de síntesis de
monoclorobenceno. Trace los valores en un diagrama de multieje.

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Tablas de costos de servicios auxiliares y
precios de materia prima y producto
Agua Agua Vapor Elect
enf ref
Usd/MMBTU 0.2236 0.2936 2.3211 0.0775
usd/kwh

Cl2 MCB C6H6

Usd/lb 0.06 0.63 0.31

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Caso 3. Proceso de síntesis de cumeno

Figura 20. Proceso de síntesis de cumeno

a. ¿Cuáles son las temperaturas de operación del reactor y tanque flash?

b. ¿Cuál es la carga térmica del cambiador de calor?

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Caso 4 EJERCICIO DE CLASE
Resuelva los problemas de optimización para (a) Maximizar la ganancia, (b) Minimizar el
consumo de energía y (c) Maximizar la producción de MCB.

Trace en un diagrama multieje las respuestas de tres soluciones óptimas, incluyendo el caso
base. Refiera el indicador GWP al caso base como cero sustentable.
¿Cuál proceso es el mejor? ¿Cuál es el peor? ¿Sería posible resolver el problema de
optimización para todas las funciones simultáneamente?

Tablas de costos de servicios auxiliares y precios de materia prima y producto

Agua enf Agua ref Vapor Elect
Usd/MMBTU 0.2236 0.2936 2.3211 0.0775 usd/kwh

Cl2 MCB C6H6

Usd/lb 0.06 0.63 0.31

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 RESUMEN Base Gmax S14MCBmax Emin
CASO %SUSTENT %SUSTENT %SUSTENT %SUSTENT
SEP
(Specific Economic
Potential)
Tabla 3 (#6) 1.3 1.5 1.5 1.2
MI
(Mass intensity)
Tabla (#7) 97.8 97.8 97.8 97.8
RME
(Reaction mass
efficiency)
Tabla 2(#5) 53.7 54.3 54.3 53.5
GWP
(Global warming
potential)
Tabla 1(#23) 0 24.2 22.8 31.7
FWI
(Fractional water
consumption)
Tabla 2(#24) 96.7 97.3 97.2 97.5
RSEI
(Specific energy intensity)
Tabla 4(#2) 99.8 99.9 99.9 99.6

Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 52/56
Caso 5. EJERCICIO DE CLASE
Se ha propuesto recircular una fracción del 30% de Cloro y benceno para el proceso de síntesis de
monoclorobenceno. Trace las respuestas de los indicadores de sustentabilidad para este caso.

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 BASE CASO Max MCB CASO Min energía CASO RECICLO
INDICADOR MEJOR PEOR UNIDADES CASOBASE % SUSTEN MaxS14MCB % SUSTEN Min Energía % SUSTEN RECICLO % SUSTEN
SEP 16 0 USD/KGMCB $ 0.53 3.3 $ 0.53 3.3 $ 0.61 3.8 $ 0.66 4.1
MI 1 40 KGMP/KGMCB 1.86 97.8 1.86 97.8 1.87 97.8 1.93 97.6
RME 1 0 KGMCB/KGMP 0.54 53.7 0.54 53.8 0.53 53.5 0.52 51.9
GWP 0 0.32 KGCO2/KGMCB 0.18 42.7 0.32 - 0.12 60.8 0.13 59.6
FWC 0 2.95 M3H2O/KGMCB 0.098 96.7 0.15 94.9 0.08 97.4 0.11 96.4
RSEI 0 1.95E+06 KJ/KGMCB 3,063 99.8 5,290 99.7 2,124 99.9 5,420 99.7

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REFERENCIAS

1. Ruiz-Mercado, G. L; Smith, R. L.; & Gonzalez, M. A. Sustainability

Indicators for Chemical Processes: II. Data Needs. Ind. Eng. Chem. Res.
2012, 51, 2329–2353.

2. Ruiz-Mercado, G. L; Smith, R. L.; & Gonzalez, M. A. Sustainability

Indicators for Chemical Processes: I. Taxonomy. Ind. Eng. Chem. Res.
2012, 51, 2309–2328.

3. Constable, D.J. C. Using Metrics to Drive Innovations in Green

Chemistry and Engineering. 2014 U.S. EPA TRI Conference. American
Chemical Society. 2014.

4. Rincón García, E. A. Eco-Indicadores para empresas mexicanas. Tesis

UNAM. 2006.

5. Araújo Q., Ofélia F. Green Chemistry in Process Engineering. 2008.

[Link]

Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 55/56
 008_-_Green_Chemistry_in_Process_Engineering_-
_1_Slide_per_Page.pdf {10 de enero del 2018}
[Link], W. D. , Seader, J.D. & Lewin, D.R.
Process Design Principles. John Wiley &Sons Inc. 2008

[Link], L.T., Grossmann, I.E. & Westerberg, A.W. Systematic Methods of

Chemical Process Design. Prentice Hall International Series in the
Physical and Chemical Engineering Series.1997
[Link], Robin, Chemical Process Design and Integration. John Wiley 2005

[Link], J.M. Conceptual Design of Chemical Processes. McGraw-Hill

International Editions Chemical Enginering Series. 1988

Martín Rivera Toledo. Fundamentos de Simulación de Procesos. Diseño de procesos UNAM 56/56