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Defectos en Redes Cristalinas y Dislocaciones

El documento describe varios tipos de defectos en las redes cristalinas de materiales. Incluye defectos puntuales como vacancias, átomos intersticiales y sustitucionales. También describe defectos lineales como dislocaciones helicoidales, de arista y mixtas. Finalmente, cubre defectos superficiales como las superficies del material y los límites de grano, donde los átomos no tienen un arreglo de equilibrio entre granos con diferentes orientaciones.

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Defectos en Redes Cristalinas y Dislocaciones

El documento describe varios tipos de defectos en las redes cristalinas de materiales. Incluye defectos puntuales como vacancias, átomos intersticiales y sustitucionales. También describe defectos lineales como dislocaciones helicoidales, de arista y mixtas. Finalmente, cubre defectos superficiales como las superficies del material y los límites de grano, donde los átomos no tienen un arreglo de equilibrio entre granos con diferentes orientaciones.

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DEFECTOS DE RED CRISTALINA

DEFECTOS PUNTUALES
Los defectos puntuales son perturbaciones localizadas en los arreglos iónicos o
atómicos de una estructura cristalina que de otra manera sería perfecta. A pesar de que se les
llama defectos puntuales, la perturbación afecta una región que involucra varios átomos o
iones. Estas imperfecciones, que se muestran en la, pueden ser generadas por el movimiento
de los átomos o iones cuando ganan energía al calentarse, durante el procesamiento del
material o por la introducción intencional o no intencional de impurezas.

I M P U R E Z A S

Las impurezas son elementos o compuestos que contienen materias primas o durante
el procesamiento. Por ejemplo, los cristales de silicio crecen en crisoles de cuarzo cuya
impureza es el oxígeno.

D O P A N T E S

dopantes son elementos o compuestos que se adicionan de manera deliberada, en


concentraciones conocidas, en lugares específicos de la microestructura, con un efecto
beneficioso deseado sobre las propiedades o el procesamiento.

En general, el efecto de las impurezas es perjudicial, mientras que el efecto de los


dopantes sobre las propiedades de los materiales es útil. El fósforo y el boro son ejemplos de
dopantes que se adicionan a cristales de silicio para mejorar las propiedades eléctricas del
silicio puro.
a) Vacancia: Se produce una vacancia cuando un átomo o un ion está ausente de su
sitio normal en la estructura cristalina

b) átomo intersticial: Un defecto intersticial se forma cuando se inserta un átomo o ion


adicional en la estructura cristalina en una posición por lo general desocupada. Los
átomos o iones intersticiales, aunque mucho menores que los átomos o iones
localizados en los puntos de red, siguen siendo mayores que los sitios intersticiales
que ocupan; en consecuencia, la región cristalina circundante está comprimida y
distorsionada. Con frecuencia, los átomos intersticiales, como el hidrógeno, se
presentan como impurezas, mientras que los átomos de carbono se adicionan de
manera intencional al hierro con el fi n de producir acero

c) átomo sustitucional pequeño

d) átomo sustitucional grande

Se produce un defecto sustitucional cuando se reemplaza un átomo o un ion por un tipo


distinto de átomo o ion. Los átomos o iones sustitucionales, que ocupan el sitio de red normal,
pueden ser mayores que los átomos o iones normales de la estructura cristalina, en cuyo caso
se reducen los espaciados interatómicos circundantes, o se agrandan
e) defecto de Krefeld: Un defecto de Frenkel es un par de vacancia-intersticial formado
cuando un ion salta de un punto de red normal a un sitio intersticial y deja atrás una
vacancia. Aunque por lo general se asocia con los materiales iónicos, un defecto de
Frenkel puede ocurrir en metales y en materiales enlazados de manera covalente.

f) defecto de Schottky: Un defecto de Schottky, es exclusivo de los materiales iónicos


y se encuentra de manera común en muchos materiales cerámicos. Cuando las
vacancias ocurren en un material enlazado iónicamente, debe estar ausente un
número estequiométrico de aniones y cationes en las posiciones atómicas regulares
para que se conserve la neutralidad eléctrica

Todos esos defectos perjudican el arreglo perfecto de los átomos pequeños.

DISLOCACIONES
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera sería
perfecto. Por lo general se introducen en el cristal durante la solidificación del material o cuando
éste se deforma de manera permanente. Aunque las dislocaciones se encuentran en todos los
materiales, entre ellos las cerámicas y los polímeros, son particularmente útiles para explicar
la deformación y el endurecimiento de los materiales metálicos.

Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones: la dislocación helicoidal, la dislocación


de arista y la dislocación mixta.

DISLOCACIONES HELICOIDALES

La dislocación helicoidal puede ilustrarse si se corta parcialmente un cristal perfecto y


después se lo tuerce en un espaciado atómico. Si se realiza en un plano cristalográfico una
revolución alrededor del eje sobre el cual se torció el cristal, comenzando en el punto x y luego
se recorren espaciados atómicos iguales en cada dirección en sentido de las manecillas del
reloj, se termina en el punto y un espaciado atómico debajo del punto inicial.
El cristal perfecto a) se corta y se hace una ranura en un espaciado atómico, b) y c). La línea
a lo largo de la cual ocurre el corte es la dislocación helicoidal. Se requiere un vector de Burgers
b para completar una vuelta de espaciados atómicos iguales alrededor de la dislocación
helicoidal.

DISLOCACIONES DE ARISTA

Una dislocación de arista puede ilustrarse si se corta de manera parcial un cristal


perfecto, se separa el cristal y se llena de manera parcial el corte con un medio plano adicional
de átomos. La arista inferior de este plano insertado representa la dislocación de arista. Si se
describe una vuelta en sentido de las manecillas del reloj alrededor de la dislocación de arista,
comenzando en el punto x y se recorre un número igual de espaciados atómicos en cada
dirección, se termina en el punto y a un espaciado atómico del punto inicial.

El cristal perfecto en a) se corta y se inserta un medio plano adicional de átomos b). La arista
inferior del medio plano adicional es una dislocación de la arista c). Se requiere un vector de
Burgers b para completar una vuelta de espaciados atómicos iguales alrededor de la
dislocación de arista.

DISLOCACIONES MIXTAS

Como se muestra en la fi gura 4-6, las dislocaciones mixtas tienen componentes de


arista y helicoidal, con una región de transición entre ellas. Sin embargo, el vector de Burgers
sigue siendo el mismo para todas las porciones de la dislocación mixta.
a)Cuando se aplica un esfuerzo cortante a la dislocación en a), los átomos se
desplazan, b) y ocasionan que la dislocación se mueva un vector de Burgers en la
dirección de deslizamiento. c) El movimiento continuo de la dislocación con el tiempo
crea un escalón d) y el cristal se deforma. e) El movimiento de la oruga es análogo
al movimiento de una dislocación.

DEFECTOS SUPERFICIALES
Los defectos superficiales son los límites, o planos, que separan un material en
regiones. Por ejemplo, cada región puede tener la misma estructura cristalina, pero
orientaciones distintas.

SUPERFICIE DEL MATERIAL


Las dimensiones exteriores del material representan las superficies en las que el cristal
termina de manera abrupta. Cada átomo ubicado en la superficie ya no posee el número de
coordinación apropiado y se interrumpe el enlazamiento atómico. La superficie exterior también
puede ser muy áspera, contener muescas diminutas y ser mucho más reactiva que la mayor
parte del material.
LÍMITES DE GRANO
La microestructura de muchas cerámicas de ingeniería y materiales metálicos consiste
en muchos granos. Un grano es una porción del material dentro de la cual el arreglo de los
átomos es casi idéntico; sin embargo, la orientación del arreglo de átomos, o estructura
cristalina, es distinta en cada grano vecino.

c)

a) Los átomos cercanos a los límites de los tres granos no tienen un espaciado o arreglo
de equilibrio como muestra este esquema. b) Granos y límites de grano de una muestra de
acero inoxidable. c) Micrografía electrónica de alta resolución de la transmisión de barrido en
un límite de grano de oro.
En la figura a) se muestran tres granos; el arreglo de los átomos en cada uno de ellos
es idéntico, pero los granos están orientados de manera distinta. Un límite de grano, la
superficie que separa los granos individuales, es una zona angosta en la que los átomos no
están espaciados de manera apropiada. En otras palabras, los átomos están tan cercanos
entre sí en algunas localizaciones en los límites de los granos que generan una región de
compresión, mientras que en otras áreas están tan alejados que generan una región de
tensión.

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