República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular para la Defensa
Universidad Nacional Experimental Politécnica de la Fuerza Armada
U. N.E.F.A
Núcleo Sucre-Sede Cumaná
Profesora:
Guillermo Rojas.
Integrantes:
Martín Barreto C.I 26.651.107
Eliannys Villarroel C.I 27.080.530
Cumaná, Octubre del 2018
INTRODUCCIÓN
La electrónica forma parte esencial de la vida cotidiana, los avances
tecnológicos a través del tiempo han permitido su uso y desarrollo.
El diodo está formado por una unión de dos materiales semiconductores
extrínsecos, uno tipo P y otro tipo N. Este acoplamiento posee la característica de
permitir el paso de la corriente eléctrica en un sentido y oponerse al paso de la
misma en sentido inverso. Por lo tanto, un diodo puede polarizarse de dos
manera: polarización directa (permite la circulación) y polarización inversa (no
permite la circulación). Depende de las características de la corriente que se le
transmita para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.
De la curva característica del diodo puede deducirse su comportamiento al
aplicarle una tensión alterna, permitiendo la circulación de la corriente eléctrica en
el semiciclo en que se polariza en directo y comportándose como llave abierta en
el otro. Este proceso se llama rectificación de la corriente y tiene importantes
aplicaciones tecnológicas.
DESARROLLO
PRACTICA N°1.
Objetivos
Medida de la resistencia directa e inversa de un diodo.
Trazado de la curva característica tensión-corriente.
Análisis del rectificador de media onda.
Materiales
Unidad básica para sistema IPES (Unidad de alimentación mod. PS1-PSU/EV,
Caja de soporte de los módulos mod. MU/EV, Unidad de control individual mod.
SIS1/SIS2/SIS3).
Módulo de experimentación mod. MCM3/EV.
Multímetro.
Osciloscopio con sonda diferencial.
1. Diodo
El diodo es un dispositivo de semiconductor compuesto por una unión P-N y
su curva característica corriente-tensión es la que se muestra en la figura B03.1.
Los parámetros característicos visualizados en el gráfico son:
La tensión de ruptura Vz, a la cual se verifica el efecto avalancha; en
correspondencia de dicha tensión se tiene un rápido incremento de la corriente
que, si no se limita correctamente, provoca la destrucción del diodo.
La tensión de umbral Vs, a la cual el diodo comienza a conducir
considerablemente; para valores de tensión de polarización directa superiores a
éste, la corriente crece rápidamente.
Se ha visto que un diodo conduce sólo si se polariza directamente; por lo
tanto, alimentando un diodo con tensión alterna, es fácil verificar que sólo la media
onda positiva provocará en el circuito una circulación de corriente, dado que la
componente negativa se cortará.
2. Diodo Semiconductor.
Un diodo semiconductor moderno está hecho de cristal semiconductor
como el silicio con impurezas en él para crear una región que contenga portadores
de carga negativa (electrones), llamada semiconductor de tipo n, y una región en
el otro lado que contenga portadores de carga positiva (huecos), llamada
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada región. El límite
dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una unión PN, es donde la
importancia del diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones
del lado n (llamado cátodo), pero no en la dirección opuesta; es decir, cuando una
corriente convencional fluye del ánodo al cátodo (opuesto al flujo de los
electrones).
RESULTADOS Y ANALISIS
1. Medida de la conducción directa e inversa de un diodo.
Medir el grado de conducción (elevado, medio, bajo) que presentan los
diodos D1 (al silicio) y D2 (al germanio), polarizándolos directamente e
inversamente.
Para poder medir la conducción del diodo del Silicio se coloca son de
manera las sondas se colocara el lado positivo en el ánodo y el lado negativo en el
cátodo del diodo, caso contrario al diodo del germanio que se colocara de manera
inversa de tal manera de calcular el amperaje de dicho diodo, en la siguiente tabla
se mostrada lo calculado:
Silicio Germanio
Directa Inversa Directa Inversa
0,5 1200 7,5 130,6
Dichos valores serán calculados dependiendo de las escalas que se puedan
calcular entre esos están 2k, 20k, 200k, 2M, 200M.
Q1 ¿Qué diferencias presentan los diodos al germanio y al silicio?
La resistencia directa del diodo al silicio es pequeña, pero superior a la del diodo al
germanio; en cambio, las dos resistencias inversas son elevadas.
2. Medida de la Corriente en el diodo en función aplicada.
En esta medida de corriente en la placa eléctrica se colocó los jumpers J2,
J5, J8, J9.
El jumper de J7 en los puntos (1,2) se ubicó para calcular el amperaje,
colocando el ánodo de las sondas en mA, encendiendo la fuente de corriente nos
dará un valor del cual debería ser el mínimo amperaje a calcular, para luego tener
la referencia del calculó del voltaje, pero con la diferencia de que el ánodo de las
sondas vendría colocándose en la medida de tensión. Desconectando el jumper
J7 se calcularon dichos valores dependiendo del valor calculado en mA, esto se
dedujo mediante la siguiente tabla en el caso del D1:
mA 0,3 0,5 0,7 1 5 10
Voltaje de Silicio 0,51 0,56 0,58 0,6 0,68 0,72
