Bloque III.

Semiconductores
Tema 4. Transistor de efecto campo.

Mª Jesús Algar Díaz

Ángel Serrano Sánchez de León
 Índice
1. Introducción.
2. Transistor JFET.
2.1 Funcionamiento
2.2 Curva característica de drenador
2.3 Zonas de funcionamiento
2.4 Modelos aproximados
2.5 Curva de transferencia 2

2.6 Circuitos de polarización

3. Transistor MOSFET.
3.1 De empobrecimiento.
3.2 De enriquecimiento.
4. Inversor.
 1. Introducción.
• FET (Field Effect Transistor):

• Dispositivo semiconductor de 3 terminales.

• Dispositivo unipolar corriente debida SOLO a portadores

mayoritarios (e- o h+).
3
• Corriente de drenador controlada por voltaje.
• ∆𝑉 crea un canal por el que circulan los portadores.
• JFET en el proceso de fabricación
• MOSFET el voltaje aplicado

• Impedancia de entrada elevada y consumen poca potencia.

• Similar al BJT en funcionalidad y curva característica I-V.

1. Introducción a los transistores.

4
 2. Transistor JFET.
• Terminales del JFET (junction FET):
• Surtidor o fuente: S (source)
• Puerta o graduador: G (gate)
• Drenador: D (drain)

• Tipos de JFET:
5
𝑖𝐷
De canal N: S y D tipo n, G tipo p.

𝑖𝐷
De canal P: S y D tipo p, G tipo n.

• Fronteras N y P zona de deplexión.

• Para baja frecuencia: S y D intercambiables dispositivo simétrico

• Dos diodos: G-S y G-D
 2. Transistor JFET.
2.1 Funcionamiento (canal n).

VGS=0:
• VD > VS VDS>0 6

• Unión p-n G pol. inversa IG=0

• ID – VD relación lineal:
• Transistor ≈ resistencia
• Zona óhmica
 2. Transistor JFET.
2.1 Funcionamiento (canal n).

VD , VS =0:
• Anchura zona de deplexión
• Anchura canal se puede cerrar 7
(estrangulamiento, Vp)
• Resistencia del canal
• Pendiente ID respecto VD
• IDSS corriente de drenaje de
saturación
• Región de saturación:
• Transistor ≈ fuente de corriente
 2. Transistor JFET.
2.1 Funcionamiento (canal n).

VG <0:
• Anchura zona de deplexión mayor
que con VG=0.
• Anchura canal menor que con 8
VG=0.
• Valor ID menor que con VG=0.

VD muy grande:
• Avalancha de e- entre G y el canal.
• Región de ruptura.
 2. Transistor JFET.

2.2 Curva característica de drenador.

Zona
Región de Saturación
óhmica
9

Región de
Ruptura

Zona de Corte
 2. Transistor JFET.

2.3 Zonas de funcionamiento.

• Ruptura:
• VDS grande avalancha que rompe el transistor.

• Corte: 10
• VGS suficientemente negativa para bloquear el canal (VGS < Vp).
• transistor no conduce (circuito abierto) 𝑰𝑫 = 𝟎
• Límite: eje horizontal de la gráfica
 2. Transistor JFET.

2.3 Zonas de funcionamiento.

• Zona óhmica:
• 0 < VDS < |Vp|
𝑉𝑝
• relación lineal entre ID y VDS equivale a resistencia: 𝑅𝐷𝑆 =
𝐼𝐷𝑆𝑆 11
• Según nos acercamos a 𝑉𝑝 se va perdiendo la linealidad

• Saturación:
• VDS>|Vp|
• En estrangulamiento ID es máxima (IDSS , para VGS = 0).
• transistor fuente de corriente controlada por VGS.
 2. Transistor JFET.

• 2.3 Zonas de funcionamiento.

Corte: 𝑣𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑝 (𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑝 < 0)

Canal N
Óhmico: 0 < 𝑣𝐷𝑆 ≤ |𝑉𝑝 |
En conducción: 𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑝 12
Activa: 𝑣𝐷𝑆 > |𝑉𝑝 |
¡Las desigualdades van
al contrario!

Corte: 𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑝 (𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑝 > 0)

Canal P
Óhmico: 0 > 𝑣𝐷𝑆 ≥ |𝑉𝑝 |
En conducción: 𝑣𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑝
Activa: 𝑣𝐷𝑆 < |𝑉𝑝 |
 2. Transistor JFET.
2.4 Modelos aproximados de funcionamiento.

13

Corte Zona óhmica Saturación

(circuito abierto) (resistencia) (fuente de corriente 𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑝 𝑉𝑝 < 𝑉𝐺𝑆 < 0 controlada por tensión 𝑉𝐺𝑆 )
𝐼𝐷 = 𝐼𝐺 = 𝐼𝑆 = 0 0 < 𝑉𝐷𝑆 < |𝑉𝑝 | 𝑉𝑝 < 𝑉𝐺𝑆 < 0
𝐼𝐺 = 0 𝑉𝐷𝑆 > |𝑉𝑝 |
𝐼𝐺 = 0
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝
 2. Transistor JFET.

2.5 Curva de transferencia (característica de transferencia).

• 𝐼𝐷 en función de 𝑉𝐺𝑆 para 𝑉𝐷𝑆 constante.

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑝 14

𝑉𝐺𝑆 = 0 → 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝 → 𝐼𝐷 = 0

• Los JFET son dispositivos de ley cuadrática.

https://es.wikipedia.org/wiki/JFET
 2. Transistor JFET.

2.5 Curva de transferencia (característica de transferencia).

15

𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 )
 2. Transistor JFET.

2.5 Curva de transferencia (característica de transferencia).

• Transconductancia: variación en la corriente de drenador 𝐼𝐷 respecto

de la tensión 𝑉𝐺𝑆 , manteniendo 𝑉𝐷𝑆 constante.
𝑑𝐼𝐷 2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = =− 1− = 𝑔𝑚0 (1 − ) 16
𝑑𝑉𝐺𝑆 𝑉𝑝 𝑉𝑝 𝑉𝑝

• Unidad: 𝜴−𝟏 o siemens(S).

• 𝑔𝑚0 transconductancia cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0.
• Relacionado con el factor de amplificación en voltaje.
 2. Transistor JFET.
2.6 Circuitos de polarización.

Canal N
𝑉𝐺𝑆 negativa 17
𝑉𝐷𝑆 positiva

¡Las flechas y los signos

van al contrario!

Canal P
𝑉𝐺𝑆 positiva
𝑉𝐷𝑆 negativa
 3. Transistor MOSFET.
• MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor):
• Placa metal (compuerta)
Estructura MOS (metal-óxido-
• Aislante: Si O2 (dióxido de silicio)
semiconductor)
• Placa inferior: semiconductor

• Terminales: 18

• G, D y S.
• B (sustrato): cortocircuitada con S.

• Zentrada elevada (104-107 MΩ) 𝐼𝐺 = 0

• Tipos:
• Enriquecimiento (acumulación) E-MOSFET
• Deplexión (empobrecimiento) D-MOSFET E-MOSFET canal n
 3. Transistor MOSFET.

3.1 De enriquecimiento.

• Acumulación o E-MOSFET

• Aplicación: conmutador en circuitos digitales, microprocesadores, etc.

• Tipos: 19

E-MOSFET canal n = NMOS E-MOSFET canal p = PMOS

 3. Transistor MOSFET.
3.1 De enriquecimiento (canal n).

• D y S tipo n Zona de deplexión

• G tipo p (oposición al paso de e-)

• G y dieléctrico forman condensador

20
con Si O2 de dieléctrico.

• 𝑉𝐺𝑆 > 0 se carga el condensador

• Región de deplexión debajo del óxido.

• 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑡 (𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) e- van

desde S hasta D.
• Reduce resistencia del canal
• Aumenta la pendiente de la curva V-I.
(R lineal controlada por V).
 3. Transistor MOSFET.
3.1 De enriquecimiento (canal n).

• 𝑉𝐷𝑆 ≫ 0 densidad de e- cercano

aD
• Pendiente curva V-I
21
• conductividad del canal

• Cuando 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 canal

desaparece en D (estrangulamiento).

• Cuando 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 curvas V-I

horizontales
• Cuando 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 𝑉 − 𝐼 ≈lineal
 3. Transistor MOSFET.
3.1 De enriquecimiento (canal n).

• Resumen funcionamiento:

Solo funcionana si 𝑉𝐺𝑆 > 0

22
• Si 0 < 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑡 ∄canal (transistor en corte circuito
abierto)

• Solo conduce si 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑡

 3. Transistor MOSFET.
3.1 De enriquecimiento.

• Curva característica (canal n):

Zona óhmica 23

Región Activa

Región
corte
 3. Transistor MOSFET.
3.1 De enriquecimiento.

• Curva característica (canal p):

Zona óhmica 24

Región Activa

Región
corte
 3. Transistor MOSFET.

3.1 De enriquecimiento.

• Zonas de funcionamiento (canal n):

• Corte:
• VGS muy pequeña: 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑡 (siendo 25
𝑉𝑡 > 0) no hay canal.
• Transistor no conduce (circuito
abierto) 𝐼𝐷 = 0

Modelo aproximado Corte

 3. Transistor MOSFET.

3.1 De enriquecimiento.

• Zonas de funcionamiento (canal n):

• Zona óhmica:
• 𝑉𝐺𝑆 supera tensión umbral ( 𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡 ) 26
y 𝑉𝐷𝐺 ≤ −𝑉𝑡 (𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
• Transistor conduce
• Equivale a resistencia controlada por
𝑉
tensión, 𝑉𝐺𝑆 : 𝑅𝐷𝑆 = 𝐷𝑆
𝐼𝐷
Modelo aproximado
• Ecuación de entrada: 𝐼𝐺 = 0 zona óhmica
• Ecuación de salida:
𝑘
𝐼𝐷 = [2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 2 ]
2
 3. Transistor MOSFET.

3.1 De enriquecimiento.

• Zonas de funcionamiento (canal n):

• Activa (saturación):
• 𝑉𝐺𝑆 supera tensión umbral ( 𝑉𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡 ) 27
y 𝑉𝐷𝐺 ≥ −𝑉𝑡 (𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )
• Transistor conduce
• El canal está estrangulado
𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 (condición de estrangulamiento) Modelo aproximado
• Transistor como fuente de corriente zona activa
controlada por tensión 𝑉𝐺𝑆 .
• Ecuación de entrada: 𝐼𝐺 = 0
• Ecuación de salida: 𝑘
𝐼𝐷 = (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )2
2
 3. Transistor MOSFET.

3.1 De enriquecimiento.

• Resumen zonas de funcionamiento

Corte: 𝑣𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑡 (𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑡 > 0)

Canal N
Óhmico: 𝑣𝐷𝐺 ≤ −𝑉𝑡 (𝑣𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑡 ) 28
En conducción: 𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡
Activa: 𝑣𝐷𝐺 ≥ −𝑉𝑡 (𝑣𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑡 )

Corte: 𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡 (𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑡 < 0)

Canal P
Óhmico: 𝑣𝐷𝐺 ≥ −𝑉𝑡 (𝑣𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑡 )
En conducción: 𝑣𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑡
Activa: 𝑣𝐷𝐺 ≤ −𝑉𝑡 (𝑣𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑡 )
 3. Transistor MOSFET.

3.1 De enriquecimiento.

• Circuitos de polarización

29
 3. Transistor MOSFET.
3.2 De deplexión.

• Empobrecimiento o D-MOSFET

• Aplicación: amplificador de
señales débiles de altas
frecuencias o radiofrecuencia.
30
• Canal en proceso de fabricación

• Tipos según sustrato:

• p canal tipo n
• n canal tipo p

• Funcionamiento según polarización puerta:

• Modo de empobrecimiento o puerta negativa
• Modo de enriquecimiento o puerta positiva
 3. Transistor MOSFET.

3.2 De deplexión.

MOSFET deplexión canal n MOSFET deplexión canal p

31
 3. Transistor MOSFET.

3.2 De deplexión.

• Funcionamiento según
polarización puerta (canal n):

• 𝑉𝐺𝑆 > 0 ancho del canal

32
• Modo de enriquecimiento o
puerta positiva.

• 𝑉𝐺𝑆 < 0 ancho del canal

• Aumenta resistencia del
canal
• Modo de empobrecimiento
o puerta negativa
• 𝑉𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑡 (𝑉𝑡 < 0) canal desaparece transistor en corte
 3. Transistor MOSFET.
3.2 De deplexión.

• Curva característica (canal n):

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑡 Zona óhmica 33

Región Activa

Región
corte
 3. Transistor MOSFET.

3.2 De deplexión.

• Zonas de funcionamiento = MOSFET de enriquecimiento.

• VDS pequeña: transistor = resistencia lineal controlada por tensión.

• VDS grande: 34
• Estrangulamiento del canal en D
• transistor = fuente de corriente controlada por tensión.

Ecuaciones y modelos
aproximados igual que para el
MOSFET de enriquecimiento.
 3. Transistor MOSFET.

3.2 De deplexión.

• Resumen zonas de funcionamiento

Corte: 𝑣𝐺𝑆 ≤ 𝑉𝑡 (𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑉𝑡 < 0)

Canal N
Óhmico: 𝑣𝐷𝐺 ≤ −𝑉𝑡 (𝑣𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑡 ) 35
En conducción: 𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑡
𝑘
𝐼𝐷 = [2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑡 )𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 2 ]
2

Activa: 𝑣𝐷𝐺 ≥ −𝑉𝑡 (𝑣𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 −𝑉𝑡 )

Como MOSFET de
enriquecimiento pero
𝑉𝐺𝑆 2
con 𝑉𝑡 < 0. 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑡
 3. Transistor MOSFET.

3.2 De deplexión.

• Circuitos de polarización

36
 4. Inversor.
• Puerta lógica NOT.
Vin Vout Vin Vout
• Invierte el valor de la tensión de entrada.

• NMOS:
37
 4. Inversor.
• PMOS

38
 4. Inversor.
• CMOS

39
 7. Bibliografía.
• Norbert R. Malik. Circuitos Electrónicos Análisis, simulación y diseño.
Ed. Prentice Hall, capítulo 5.

• J.V. Míguez, F. Mur, M. A. Castro y J. Carpio, Fundamentos físicos de la

ingeniería, e.d. McGraw Hill, capítulo 11.

• L. Montoto, Fundamentos Físicos de la Informática y las

40
Comunicaciones, e.d. Thomson, capítulo 14.

• J.M. Albella, J.M. Martínez-Duart, Fundamentos de electrónica física y

microelectrónica, e.d. Addison-Wesley, capítulo 8.

• Enlace:
• https://christianlopez94.wordpress.com/2015/06/03/polarizacion-de-jfet/
• https://www.tina.com/es/resources/home/field-effect-transistor-
amplifiers-2/
• https://sensoricx.com/electronica-de-control/la-guia-maxima-transistores-
fet-y-mosfet/