Transistor
El transistor de unión bipolar (bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos
y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones;
pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o CMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo
cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera
quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
Base, región intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor, región encargada de recibir
portadores.
Simbología
NPN PNP
Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente, que forman dos
uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o
recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el
paso de dichos portadores (base). El transistor es un dispositivo controlado por
corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a
los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.
De manera simplificada, la corriente que circula por el emisor es función
amplificada de la que se inyecta en el colector, pero el transistor solo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule corriente entre colector y emisor,
según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia
logrado entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del
transistor.
Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo,
entre otros
Tipos de BJT
Transistor NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras
"N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las
diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares
usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor
que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operación.
Los transistores NPN consisten en una capa de material
semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N.
Una pequeña corriente ingresando a la base, es amplificada en la salida del
emisor.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y
apunta en la dirección en la que la corriente convencional circula cuando el
dispositivo está en funcionamiento activo.
Transistor PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material
semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los
transistores PNP son generalmente operados con el colector como salida y el
emisor conectado como entrada de corriente proveniente de una fuente. Una
corriente negativa a la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está
en funcionamiento activo.
Parámetros de los BJT a considerar
Disipación total del dispositivo (Pc): Es la potencia que se pierde al pasar el
dispositivo, generalmente por medio de la generación de calor en el
componente.
Corriente del colector DC máxima (Ic): Intensidad máxima que circula por el
colector.
Corriente colector-emisor (Ice): Intensidad que circula entre las dos puertas
del transistor (Colector - Emisor)
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Temperatura límite de uso del
transistor.
Hfe Ganancia de corriente del transistor
Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del
dispositivo (colector y emisor con la base abierta en los bipolares).
Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión
prácticamente constante. VCEsat entre colector y emisor en él. Este valor, junto
con el de corriente máxima, determina la potencia máxima de disipación en
saturación.
Los parámetros más importantes a considerar a la hora de escoger un
transistor bjt son la corriente máxima continua de colector cuando actúa como
interruptor cerrado (IC), la tensión que soporta entre colector y emisor como
interruptor abierto (VCE) y el parámetro β (que representa la ganancia de
corriente).
Otro parámetro importantes a valorar es la frecuencia de conmutación, cuanto
menos sea el tiempo de conmutación, más rápido funciona, el orden de
frecuencia de los transistores bipolares es de KHz o MHz.
VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS BJT
VENTAJAS
1. Los BJT tienen como ventaja que es posible sacarles una mayor ganancia, a
diferencia de los FET y MOSFET
2. Su uso es más directo (solo con la hoja de datos ya podemos sacar las
tensiones mínimas, de saturación…)
3. No se dañan tanto por la electricidad estática como los FET
4. Son más lineales que los FET
5. Reducidas pérdidas en conducción.
DESVENTAJAS
1. Tienen un consumo importante en la polarización, ya que estos transistores
funcionan a partir de corriente.
2. Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOSFET
3. Impedancia de entrada baja
4. Generan un nivel de ruido mayor que los FET
5. Son menos estables con la temperatura
6. Más difíciles de fabricar
Como elegir un transistor para su aplicación
Si se desea simplemente encender un circuito o interruptor en una carga, hay
ciertas cosas que se deben considerar. Determine si desea polarizar o
energizar el transistor con corriente positiva o negativa (p. ej. Tipo NPN o PNP,
respectivamente). Un transistor NPN es impulsado (o activado) por corriente
positiva polarizada en la base para controlar el flujo de corriente del Colector al
Emisor. Los transistores de tipo PNP están impulsados por una corriente
negativa polarizada en la base para controlar el flujo del Emisor al Colector.
(Note que la polaridad para PNP se invierte desde NPN).
Diferentes tipos de encapsulados
